浙江
韓國科技媒體《韓國經濟》（Hankyung）報道稱，三星電子已拿下英偉達 2026 年約一半 SOCAMM2 內存模組的供貨訂單，成為這一新一代 AI 平臺關鍵內存方案的重要供應方之一。 英偉達面向數據中心的下一代 “Vera Rubin” Superchip 模組將采用這種 SOCAMM2 形態的 DDR5 內存，供應規模預計將隨著 AI 服務器需求持續增長而進一步擴大。
“Vera Rubin” Superchip 由兩顆 “Rubin” 系列 AI GPU 與一顆 “Vera” CPU 組成，整體設計從目前 “Grace Blackwell” Superchip 上所使用的板載 LPDDR5X ECC 內存，轉向支持可插拔的 DDR5 SOCAMM2 模組。 SOCAMM2 即小尺寸小板卡封裝的 CAMM2 變種，在保持 DDR5 接口的同時通過更薄更緊湊的外形減少 PCB 占用空間，為高密度服務器主板與多芯片封裝預留更多布局余地。
與現有在 “Grace” 上采用的 512-bit LPDDR5X 方案相比，“Vera Rubin” 通過 8 通道、每通道再細分為 2 個子通道的 DDR5 設計，實現了總計 16 個子通道的寬帶通路，既提升了可擴展容量上限，也為更高的運行頻率和帶寬預留空間。 得益于從板載焊死內存轉向模塊化 SOCAMM2，未來服務器廠商在配置、升級和維護方面的靈活性將顯著增強，有助于延長整個平臺的生命周期并優化總擁有成本。
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