中國化合物半導體迎來關鍵躍升，生態重構與成本挑戰并存

AI浪潮正在深度重構全球化合物半導體產業的競爭格局。

4月24日上午，聚焦化合物半導體領域的2026九峰山論壇在武漢開幕，吸引超千家半導體產業鏈企業參會。

會上發布的《第三代半導體產業發展報告2025》（下稱《報告》）提到，中國半導體產業已實現從技術追趕到局部領先的躍升，半導體照明產業總產值約1037億元，規模居世界第一；國防和5G移動通信需求推動氮化鎵射頻電子市場規模119億元、同比增長9.2%；中國企業碳化硅材料占全球供給約50%，進入全球第一梯隊。2026年，預計第三代半導體功率及射頻電子產值增速將達15%以上。

但多名行業專家也清醒認識到，我國半導體產業仍面臨成本較高和品牌影響力不足等方面的挑戰，高端襯底、核心鋰電工具、關鍵設備等環節也存在明顯短板，研發、中試、量產的轉化鏈條還不夠順暢，處于從“技術突破”邁向“產業領先”的關鍵階段，資本生態的構建，復合型人才的培養，也都是全行業共同的必答題。如果能突破這些瓶頸，中國半導體有望在未來5-10年實現全球引領，搶占國際科技與產業競爭的戰略主動權。

需求牽引與技術推動共振

在中國科學院院士、武漢大學工業科學研究院執行院長劉勝看來，隨著硅基材料、性能潛力逐漸逼近物理極限，化合物半導體憑借高頻、高效、耐高溫等獨特的性能正在迎來市場需求牽引與技術推動的雙重機遇共振。

從全球市場看，AI算力的擴容驅動著高速模塊從800G向1.6T乃至3.2T的迭代，核心材料磷化銦供需缺口超過70%。據濟邦咨詢的最新研究，全球AI光收發模塊的市場規模從2025年的165億美元擴大至2026年的260億美元，增速超過57%。從國內市場看，國家已將化合物半導體納入“十五五”重大戰略方向，正在崛起的人工智能、具身智能、6G通信等未來產業，也都融合了化合物半導體的支撐。

《報告》稱，2025年，我國第三代半導體功率電子領域市場規模約227億元，同比增長28.6%，其中新能源汽車及交通市場突破148億元，消費電子市場接近32億元，電信及基礎設施成為增速最快領域。GaN（氮化鎵）射頻器件市場119億元，同比增長9.2%；光電方面，車用LED領域保持增長，GaN基激光器市場規模達70億元。

供給端，國內第三代半導體功率電子、射頻電子、LED產值分別為231億元、47億元、1037億元。國內碳化硅（SiC）的襯底、外延及晶圓（折合6英寸）產能分別為420萬片、230萬片、190萬片，產量分別為205萬片、93萬片、85萬片，產能利用率較上年有所提升。GaN功率電子的外延及晶圓（折合6英寸）產能分別為96萬片和74萬片，產量分別為63萬片和43萬片，較上年實現較大增長。射頻電子外延及晶圓（折合6英寸）產能分別為17萬片和15萬片，國產化率進一步提升。

產業格局上，中國企業全球市占率顯著提升，天岳先進、天科合達等躋身SiC襯底全球前三，瀚天天成、天域半導體等進入SiC外延全球前二，SiC材料整體供給占全球一半，英諾賽科GaN功率器件全球市占率繼續保持第一。

技術方面，SiC 8英寸襯底實現規模化供貨，12英寸外延全球首發，GaN相關技術取得突破；超寬禁帶半導體多項技術實現國際首發。

展望2026年，經歷了行業的規模化增量，2026年產業將朝著提質增效方向深化發展，預計第三代半導體功率及射頻電子產值增速有望達到15%以上。

多項首臺套成果亮相

論壇期間，多家產業鏈領軍企業集中發布了一批覆蓋材料、器件、裝備等領域的最新技術成果。

光谷芯材發布了三大外延片系列產品，覆蓋8英寸及6/8英寸襯底規格，關鍵性能對標國際先進水平。昌龍智芯推出氧化鎵外延材料及功率器件產品矩陣，其中一款產品填補了國內相關市場空白。泰晶科技推出面向高速光模塊領域推出兩款高端差分振蕩器，為AI數據中心與下一代高速互聯提供了解決方案。

在裝備板塊，中電科電子裝備集團推出四款先進封裝測試核心裝備，推動了我國高端裝備發展進程。

中國電科第二研究所有關負責人對第一財經表示，本次發布的TCB熱壓鍵合機首臺設備已在客戶端應用展示，正開發第二代設備，將用于量產線長期驗證。

隨著半導體產業持續擴產，高等級潔凈室資源日益緊缺。以醫療凈化起步的華康潔凈（301235.SZ）正積極切入半導體潔凈室賽道。據公司負責人介紹，武漢作為中國中部半導體產業核心高地，近年來半導體產能快速釋放，帶動了高等級潔凈室新建與改造的持續性需求。2025年，華康潔凈中標了半導體材料、化合物半導體芯片、車規級電子元件等關鍵領域的多個電子半導體訂單，推動整體營收增長。面向未來，華康潔凈以武漢、上海兩大總部為戰略中樞，立足光谷，加速向長三角、京津冀等半導體主產區拓展布局，進一步提升區域覆蓋能力與產業鏈協同水平。

開幕式上，東湖高新區對外發布“光谷化合物半導體產業創新街區”規劃方案，打造以九峰山實驗室為“科技創新核”，集產業發展融合區、產業發展賦能區、尖端人才聚集區為一體的“一核三區”格局，打通“研發-中試-量產”全鏈條，目標直指千億級。

當前，以九峰山實驗室為龍頭，武漢已建成全球規模最大、技術最先進的化合物半導體中試平臺，與全球近600家產業鏈伙伴深度協同，帶動落地企業70余家，推動全市化合物半導體產業規模突破400億元，成為全國化合物半導體產業的重要一級。

東湖高新區投促局有關負責人介紹，創新街區內16.8萬平方米的化合物半導體孵化加速及制造基地項目即將于今年建成投用。在這里，初創企業可“拎包入駐”，帶著設計圖就能造出芯片樣品。同時，光谷設立了890億元政府投資基金群，加快集聚產業上下游生態，打造全球化合物半導體產業投資首選地。

“如果要在中國版圖上尋找化合物半導體產業的發展機遇，武漢光谷是一個繞不開的選擇?！钡谌雽w產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲在接受第一財經記者采訪時表示，作為國家級集成電路中試平臺，也是開放創新的第三方產業化平臺，九峰山實驗室可以助力化合物半導體領域的科研成果中試驗證、產品迭代、降本規?；?；支撐科研人員創業、企業前瞻技術研發、設備廠商應用推廣，并對標國際平臺。

進入生態重構深水區

吳玲表示，AI浪潮推動全球半導體產業強勁發展，但也面臨國際供應鏈重塑與技術競爭等挑戰，寬禁帶半導體為代表的化合物半導體成為半導體領域高端產業鏈話語權爭奪的焦點。

“我國在光電子、射頻電子和功率電子領域建立了較為完整的研發和產業體系，但仍有性價比和品牌影響力方面的挑戰。”吳玲對第一財經記者表示，材料和器件的長期可靠性是決定其能否被采納的“生命線”，材料與器件的固有缺陷，電磁干擾等新挑戰，其封裝與驅動生態的成熟度尚不及傳統硅器件，評價方法與標準體系也不盡完善；成本是決定其能否大規模普及的關鍵，目前高昂的襯底與外延成本，產能擴張與供需失衡，將加速行業洗牌；產業化已進入生態重構的深水區，即從單個產品性能的比拼轉向系統級解決方案的競爭，終端應用企業開始深度參與前端技術研發，產學研合作更加緊密，創新資源配置需要更加高效。

劉勝從三個方面提出建議。其中在生態融合方面，要推動產學研用從物理集聚走向化學融合。他認為，高校的許多前沿探索已具備轉化潛力，但科研團隊缺乏感知市場脈動的通道，企業可以洞需市場但在自主投入中探索艱難，亟需九峰山實驗室這樣的公共平臺，切實開展生態資源的雙向整合。

在人才培養方面，要破除空間、思維與制度的壁壘，真正構建深度融合的復合型人才培養新模式。高校擁有深厚的理論基礎和學術積攢，企業具備真實的產業場景與驗證環境。盡管近年來校企共建研究院試點培養模式已初見成效，但覆蓋的廣度和融合的深度仍有不足，須拿出更大的改革勇氣，一方面聯合引進頂尖的產業領軍人才讓大師級的工程思維反哺課堂，另一方面要共同培育一批既懂技術原理又懂產業規律的新生力量。

在資本支持方面，劉勝說，化合物半導體是一場考驗耐力的長跑，需要真正的耐心和資本的護航，因此需要完善從概念驗證到規?；慨a全周期金融支持，陪伴硬科技企業穿越周期。