2020年網(wǎng)友透露的光刻機消息已有部分被證實！美國的限制終將失敗

今年4月華為P70正式搭載麒麟9010上市銷售，7月份，華為銷售門店接到通知，可以談?wù)撌謾C搭載的SOC型號，說明華為已經(jīng)有把握在極限施壓的情況下繼續(xù)生產(chǎn)各式處理器。有博主拆解麒麟9010之后發(fā)現(xiàn)，它的光刻工藝環(huán)節(jié)對準標(biāo)志與眾不同，基本可以確定不是進口產(chǎn)品，最有可能是國產(chǎn)型號。然而，某些政客至今仍不死心，仍然以為我國無法自行生產(chǎn)DUVi設(shè)備。

彭博社當(dāng)?shù)貢r間8月29日報道：荷蘭政府可能不會續(xù)簽允許該國光刻機巨頭阿斯麥公司(ASML)向中國提供設(shè)備維修服務(wù)的許可，該許可于2024年底到期。報道談到荷蘭方面的決定是在美國施壓的情況下作出的。

那么此舉會給中國帶來什么影響呢？

基本等同于自掘墳?zāi)梗≌嬉詾槲覈悴欢ǜ叨斯饪虣C？

2020年，有網(wǎng)友透露了我國光刻機研制進展情況。當(dāng)年網(wǎng)友透露的消息我們無法證實，但現(xiàn)在回過頭來看，其中不少信息已經(jīng)得到官方證實！

本文在不泄密前提下，根據(jù)國內(nèi)官方網(wǎng)站公開的信息合理分析。

文中提到的能用于量產(chǎn)11納米制程工藝的光刻機是什么意思呢？

參考光刻機行業(yè)領(lǐng)先者ASML公布的參數(shù)可知其套刻精度達到3納米以內(nèi)，曝光分辨率40納米以內(nèi)（通常是38～41納米之間）。

那么我國深紫外浸沒式光刻機又是什么水平呢？

先來看看國內(nèi)某官網(wǎng)公布的SSA800-10W光刻機的參數(shù)：套刻精度2.5納米，曝光分辨率38～41納米，滿足28納米工藝需求。

由此可見，國產(chǎn)SSA800-10W光刻機就已經(jīng)能夠滿足11納米以下制程工藝量產(chǎn)要求。

在此要強調(diào)一點，我國在2021年就已經(jīng)造出SSA800-10W。

2022年3月18日，中科院微電子研究官方網(wǎng)站發(fā)布了《2021年年鑒》，文中提到：完成28nm浸沒光刻機曝光光源10mJ@4KHz工程樣機交付整機使用及15mJ@6KHz原理樣機研制。

官方學(xué)術(shù)期刊《激光與光電子學(xué)進展》2022年第五期論文《超精密高速激光干涉位移測量技術(shù)與儀器》提到：目前該系列儀器已成功應(yīng)用于我國350nm至28nm多個工藝節(jié)點的光刻機樣機集成研制和性能測。

文中明確提到了28納米工藝節(jié)點樣機，正好與上文提到的“滿足28納米工藝”相吻合。這說明SSA800-10W就是所謂的“28納米光刻機”。然而這種28納米光刻機指的是單次曝光就能量產(chǎn)28納米制程工藝的光刻機，通過套刻工藝，它也可以用于量產(chǎn)11納米制程工藝，如果不介意良率和成本，做出7納米制程工藝也是可以的。

11納米工藝節(jié)點只是2021年我國的水平，現(xiàn)在水平只會更高。

從ASML的發(fā)展經(jīng)驗來看，最新款DUVi型號NXT：2100i與NXT:1980i主要區(qū)別就是雙工件臺套刻精度更高。

如果能夠提升雙工件臺的套刻精度，那就能提升DUVi的曝光分辨率，即可以支持更高端的制程工藝量產(chǎn)。剛好，從2023年官方發(fā)布的消息來看，我國的雙工件臺套刻精度至少達到NXT：2000i的水準，而NXT：2000i就是一款能夠用于量產(chǎn)7納米甚至是5納米制程工藝的設(shè)備！

2023年，清華大學(xué)機械工程系本科生官方微信平臺機械之聲日前發(fā)文介紹了該系于2023面8月13日舉辦的《制造前沿講堂-集成電路》專場活動，本期活動邀請到清華機械工程系長聘教授朱煜，就光刻機技術(shù)做專題講座。

根據(jù)朱煜教授介紹，我國多家研究所正在共同進行DUV光刻機整機攻關(guān)和EUV光刻機關(guān)鍵技術(shù)預(yù)研，清華大學(xué)團隊目前正在承擔(dān)浸沒雙工件臺、平面光柵測量系統(tǒng)、EUV光刻機真空工作臺等的研發(fā)工作。
在活動自由交流環(huán)節(jié)，有學(xué)生向朱煜提問其課題組研發(fā)的工件臺和ASML公司差距。朱煜回應(yīng)稱:目前課題組研制的工件臺在大的代際上與ASML公司最先進工件臺（NXT：2000系列以上產(chǎn)品）處于同一水平。但在小的代際上與ASML的2000系列以上產(chǎn)品（最新型號NXT：2100i）還存在一代的差距，再迭代一次后就可以追上國際先進水平。

按照最保守推測，國產(chǎn)雙工件臺套刻精度達到2納米，樂觀估計達到1.5納米。

上文中清華大學(xué)官方網(wǎng)站的相關(guān)報道中明確提到了“DUV光刻機整機攻關(guān)”，結(jié)合朱煜教授提到的雙工件臺消息來看，這里的整機攻關(guān)應(yīng)該是指我國正在組織力量繼續(xù)提升DUVi整機分辨率，而不僅僅是造出整機！這或許就能解釋，為何麒麟9010處理器上面找不到進口光刻機的套刻對準標(biāo)志，很可能是因為采用了國產(chǎn)型號。

報道也提到了“EUV光刻機關(guān)鍵技術(shù)預(yù)研”，說明當(dāng)時國內(nèi)仍未完成EUV光刻機整機集成。

據(jù)了解，NXT：2000i就能支持5納米制程工藝量產(chǎn)，只是良率差點而已，而套刻精度更高的NXT：2050i則有助于提升良率，降低生產(chǎn)成本，理論上，不計成本的前提下，可用于量產(chǎn)3納米制程工藝。

綜上所述，合理推測，我國現(xiàn)在的DUVi設(shè)備水平至少達到NXT:2000i的水準，足以量產(chǎn)5納米制程工藝，在此大膽預(yù)測，今年下一代麒麟9系列SOC采用的就是5納米制程工藝量產(chǎn)。

既然我國已經(jīng)能夠自主生產(chǎn)DUVi設(shè)備，那自然也有能力自行維護，這個時候還想威脅我國停止維修服務(wù)，那不就等于自掘墳?zāi)箚幔?strong>恐怕美國的限制會再次落空！

盡管國產(chǎn)DUVi設(shè)備已經(jīng)取得重大進展，但現(xiàn)在仍不是揚眉吐氣的時候。一方面，國產(chǎn)DUVi設(shè)備產(chǎn)量很可能仍然十分有限，導(dǎo)致我國仍需大量進口DUVi，另一方面，國產(chǎn)EUV設(shè)備仍未得到官方證實已經(jīng)研制出來。未來我國仍需再接再厲，才能徹底打破半導(dǎo)體行業(yè)嚴重依賴外國的不利局面。

聲明：本文觀點為個人觀點，不代表官方觀點，歡迎共同探討。