688082！國產設備沖進 1.4nm 決賽圈

14A 制程的野心與困境
氮氣鼓泡技術破解行業痛點
業績與研發的雙重支撐
國產設備的進階之路
結語

Hi，大家好，我是芯片志，這是我的第115篇原創文章，感謝大家的點贊和關注。

全球半導體設備廠商的爭奪戰已悄然打響。

作為計劃 2027 年量產的頂尖工藝，14A 制程搭載 High-NA EUV 光刻機與第二代 PowerVia 背面供電方案，其極致的工藝要求，將濕法刻蝕環節的良率瓶頸推至行業焦點。

而在這場高端設備的角逐中，國產設備龍頭盛美上海（688082）憑借獨創技術成功躋身英特爾測試名單，成為極少數沖進 1.4nm 制程決賽圈的中國設備商，實現了國產半導體設備在先進制程領域的關鍵突破。

14A 制程的野心與困境

英特爾 14A 制程從誕生之初就劍指行業巔峰。

相較于當前主流制程，其核心優勢體現在兩大顛覆性技術：一是采用 High-NA EUV 光刻機，可實現更精細的線路圖案化，助力晶體管密度提升 30%；二是第二代 PowerVia 背面供電方案，能大幅降低芯片內部的供電損耗，使能效比提升15%-20%，目標直指臺積電 2nm 制程的性能壁壘，同時為其代工業務爭奪高端客戶筑牢根基。

但極致的技術突破背后，是難以逾越的工藝難題。

當芯片線路寬度邁入納米級，高深寬比結構的濕法刻蝕環節，正成為制約良率的致命瓶頸：傳統磷酸清洗工藝中，化學液在納米級溝槽和通孔內流動性極差，反應副產物無法及時排出，易形成二次沉積；同時晶圓內及晶圓間的刻蝕均勻性難以把控，直接影響3D邏輯器件的電路精度，而這恰好是 PowerVia 背面供電技術的核心要求。

對于英特爾而言，若無法解決這一難題，14A 制程的量產計劃與性能目標都將淪為空談。

氮氣鼓泡技術破解行業痛點

盛美上海能從全球設備廠商中突圍，核心籌碼是其專利申請中的氮氣（N?）鼓泡技術，以及搭載該技術的升級款 Ultra C wb 濕法清洗設備。

這一技術的突破性在于物理原理的創新。

傳統濕法刻蝕工藝中，納米級微結構內的化學液近乎靜止，副產物沉積與結構坍塌風險并存。

而盛美上海的氮氣鼓泡技術，可在化學液中生成均勻、可控的微氣泡，在納米結構內部形成定向微流動：一方面，流動的氣泡能高效帶出反應副產物，從根源解決二次沉積問題；另一方面，氣泡的物理支撐作用可有效防止高深寬比結構的坍塌，這對 3D NAND、3D DRAM 及 14A 制程的 3D 邏輯器件制造至關重要。

從性能數據來看，升級后的 Ultra C wb 設備已展現出國際頂尖水準：晶圓內及晶圓間的刻蝕均勻性提升 50% 以上，可精準匹配14A制程的納米級控制精度；顆粒去除率能高效清除特殊磷酸添加劑的有機殘留物，工藝兼容性覆蓋磷酸、TMAH 等多種核心化學藥液；同時，其批式處理模式在化學品消耗和生產效率上顯著優于單晶圓設備，恰好契合英特爾因采用 High-NA EUV 而承壓的成本控制需求。

更關鍵的是，盛美設備已通過英特爾嚴苛的工藝驗證。目前其 Ultra C wb設備完成了疊層氮化硅蝕刻、柵極線鎢蝕刻等三道先進工藝測試，性能與國際龍頭設備持平；公司高管也證實，已向美國頭部半導體廠商（含英特爾）交付 3 套測試設備，且部分關鍵指標已達到量產級要求，為后續進入供應鏈奠定了基礎。

業績與研發的雙重支撐

盛美上海的技術突破并非偶然，其背后是持續的研發投入與穩健的業績基本面。2025 年前三季度，公司實現營業收入51.46 億元，同比增長 29.42%；歸母凈利潤 12.66 億元，同比大增 66.99%，營收與利潤的雙增長，為前沿技術研發提供了充足的資金保障。

盛美上海凈利潤變化

在研發端，盛美上海始終堅持差異化創新路線。除氮氣鼓泡技術外，公司還在 2025 年 9 月推出首款 KrF 工藝前道涂膠顯影設備 Ultra Lith KrF，并已交付國內頭部邏輯晶圓廠，完成光刻產品線的重要擴充。

同時，其 PECVD、立式爐管等設備也在持續迭代，形成了覆蓋前道制造與后道封裝的設備矩陣，構建起多元化的技術護城河。

國產設備的進階之路

盛美上海沖進 1.4nm 制程決賽圈，對國產半導體設備行業具有里程碑意義。長期以來，7nm 以下先進制程的核心設備市場被海外廠商壟斷，盛美上海的突破，不僅打破了這一格局，更證明國產設備已具備切入國際頂尖制程供應鏈的能力，為國內半導體產業鏈自主化提供了關鍵支撐。

不過，這場突圍戰仍存挑戰。一方面，測試認證與規模化量產之間仍有差距，盛美設備需通過英特爾更長周期的工況驗證，才能真正實現量產供貨。

另一方面，全球設備龍頭也在加速技術迭代，行業競爭將日趨激烈。此外，14A 制程 2027 年的量產時間表，也對設備的穩定性與交付效率提出了更高要求。

從長期布局來看，盛美上海已將技術優勢向更多領域延伸。其氮氣鼓泡技術可適配 500 層以上 3D NAND、3D DRAM 的制造需求，而面板級封裝設備矩陣也在助力 AI 芯片封裝技術升級，多賽道協同將進一步夯實其行業地位。

總結

盛美上海以氮氣鼓泡技術叩開英特爾 14A 制程大門，是國產半導體設備從跟跑到并跑的縮影。這場技術突圍，既驗證了差異化創新的可行性，也為國內設備商沖擊更高制程打開了想象空間。

未來，若能順利完成量產驗證并實現訂單落地，盛美上海不僅將收獲英特爾的供應鏈訂單，更將推動國產設備在全球先進制程領域的話語權躍升。

關于#盛美上海半導體設備進入英特爾最終測試，您有什么看法？歡迎評論區留言分享！（注意，內容不構成任何投資建議）

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