聽美國調遣的ASML開始后悔，兩任CEO公開表示：制裁中國是在自掘墳墓，中國必然有辦法突破封鎖

散英魂寄千萬雄鷹翱翔神州，

盡智魄載十億慧芯呼喚華夏。

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前沿導讀

ASML前CEO彼得·溫寧克，現任CEO克里斯托弗·富凱曾多次批評美國政府對中國市場的出口管制，并且表示美國的對華制裁完全是基于意識形態所發動的限制，沒有任何事實依據可以證明中國發展芯片產業會影響美國的國家安全。

與其對中國實施制裁，不如將目光放在本土技術的發展上面，試圖阻止中國根本沒有意義，中國必然會集中力量創造可替代的技術方案。

02

深入市場

自從美國對中國市場封鎖了EUV光刻機之后，從西方媒體到中國媒體，討論熱度最高的問題就是“中國落后幾代芯片制程？”、“國產EUV什么時候突破封鎖？”、“中國的芯片產業與國外有多少年差距？”

從客觀角度出發，中國的芯片制造業距離國際水平還有明顯差距，尤其是在前端的光刻機上面。我們的光刻機產業起步時間并不短，但是在發展的過程中遲遲沒有注重自主化和商業化，過于信任全球化的產業體系，導致在關鍵時期被美國卡脖子。

盡管EUV光刻機被譽為人類工業領域最精密的儀器之一，可以制造7nm及以下工藝的先進芯片，但是在全球芯片制造業每年制造的1億片12英寸晶圓當中，EUV制造的芯片只有1%的總量占比，更多產品則是依賴于DUV光刻機制造的傳統成熟芯片。

成熟芯片是一切產業運轉的基石，先進芯片的研發也是建立在成熟芯片的技術基礎之上。

美國前幾年重點在先進芯片領域對中國企業圍追堵截，盡管中國制造出了7nm芯片，但中國企業因此付出了巨大的經濟代價。

為了平衡在先進芯片領域投入的巨量資源，中國企業開始在成熟芯片領域擴充產能，銷售成熟芯片所帶來的經濟效益，可以直接補貼到先進芯片的研發當中，同時讓兩種芯片技術并行發展。

先進設備的研發并不能一蹴而就，ASML為了解決EUV光刻機的問題，也是經過幾十年的驗證才成功的。

據我國半導體行業協會副理事長葉甜春表示，中國芯片產業在材料領域實現了較為明顯的國產化發展。12英寸45nm—28nm工藝所用材料的品種覆蓋率已超過70%，先進存儲工藝所用材料品種覆蓋率超過75%，300mm大硅片也已經實現了對國內FAB工廠主要工藝的全覆蓋。

在前端的光刻膠材料領域，早期的i線光刻膠市場占比已經超過了20%，ArF干式光刻膠開始批量應用，繼續推動成熟芯片的國產化替代。在193nm的KrF光刻膠產業中，已經實現了10%的市場占有率，部分涉及到浸潤式技術的先進材料開始小批量供應，整個產業鏈穩步推進當中。

03

技術追趕

盡管美國在對華制裁上面已經將封鎖擴大到了單個設備，但是想要通過科技戰的方法壓制中國技術發展，這從根本上來說對于中美兩國的企業都沒有好處，反而還會迫使中國企業開發自主設備，摒棄進口產品。

在全產業的制造設備上面，刻蝕機、沉積設備、清洗機均已經具備國產化替代的能力，而最前端的光刻機設備依然是制約中國芯片發展的核心難題。

先進光刻機并不是研發幾年就能立馬獲得成果，ASML能成功，最大因素就是具備全球頂尖法供應鏈體系。光是激光系統，就涉及到激光器、錫液滴發生器、收集鏡三大工業技術。

這三大技術被美國的Cymer公司所攻克，ASML在后來收購了這家公司，在美國技術的基礎上開發設備，這也為美國長臂管轄提供了有利條件。

而中國自主的EUV設備，已經布局了幾十年，并且取得了顯著的技術成果，但距離將自主技術應用到商業化領域，還有很長的路要走。

據中國科學院長春光機所發布的資料顯示：

中國各大單位自上世紀90年代開始涉足EUV成像技術，2002年，長春光機所實現了國內第一套EUV光刻原理裝置的研發，將整個技術邏輯實現了貫通。2008年，國家將EUV光刻技術列入重要攻關任務。2017年，國家科技重大專項組在長春光機所進行了EUV光刻技術的項目驗收，在光源系統層面實現了技術突破。

參考資料： 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 http://ciomp.cas.cn/yw/201707/t20170704_7929594.html

該技術的突破，集合了中科院旗下多個研究所、哈爾濱工業大學、華中科技大學等多所高校的力量才得以實現。但這只是在光源系統的技術突破，除此之外還需要有對準系統、高速晶圓臺、高精度反射鏡組、真空室等多個模塊單元。

每個模塊都需要單獨進行開發，在所有的模塊環節開發完成之后，就需要將其拼裝成一個完全體的光刻機設備。在設備拼裝完成之后，就進入到實驗階段。實驗階段需要反復對產品進行調試，只有達到合格標準之后，才能被出售給相關企業制造芯片。

除此之外，國產設備還會面臨著跟其他設備的兼容度、跟制造材料的兼容度、內部耗材的更替周期等多個問題，這些問題與芯片的制造效率息息相關，需要長時間的技術磨合。

如果說之前的中國芯片是慢步跟隨，那么現在的中國芯片就是悶頭狂奔。一切以自主技術的突破為導向，在有限的時間內去解決遇到的問題，搶占芯片科技制高點。就算暫時拿不下制高點，也得想辦法讓中國芯片被卡脖子的風險降到最低。

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