存儲芯片巨頭130億美元建廠，HBM市場將以年均33%的速度增長

截至2026年1月13日 14點21分，上證科創板半導體材料設備主題指數（950125）下跌3.20%。成分股方面，神工股份領跌6.63%，京儀裝備下跌5.52%，金宏氣體下跌5.40%，芯源微下跌5.02%，艾森股份下跌4.76%。科創半導體ETF（588170）下跌3.26%，最新報價1.69元。流動性方面，科創半導體ETF盤中換手13.81%，成交6.49億元，市場交投活躍。

截至2026年1月13日 14點22分，中證半導體材料設備主題指數（931743）下跌2.63%。成分股方面，矽電股份領跌6.57%，神工股份下跌6.56%，京儀裝備下跌5.19%，芯源微下跌4.95%，華海誠科下跌4.68%。半導體設備ETF華夏（562590）下跌2.86%，最新報價1.87元。流動性方面，半導體設備ETF華夏盤中換手14.42%，成交2.59億元，市場交投活躍。

消息面上，韓國SK海力士周二表示，公司已決定投資19萬億韓元（約合129億美元）在韓國建設一家先進的芯片封裝廠，以滿足與人工智能（AI）相關的、激增的存儲芯片需求。新工廠將于今年4月啟動建設，目標是明年年底完工。SK海力士表示，全球AI領域的競爭不斷加劇，正推動對AI專用存儲器的需求急劇上升，這也凸顯出公司需積極應對市場對高帶寬存儲芯片（HBM）日益增長的需求。該公司預計，從2025年到2030年，HBM市場將以年均33%的速度增長。

國信證券認為，Microchip CEO表示公司在多個終端市場實現了廣泛的復蘇，新一季度期初的訂單儲備遠優于去年12月所在季度的期初水平，建議關注周期復蘇階段料號導入加速的模擬芯片企業。存儲除需求量受AI需求拉動外，價格仍處于上漲周期中，TrendForce預計1Q26一般型DRAM合約價將季增55-60%，含HBM的整體DRAM合約價將上漲50-55%，NANDFlash合約價上漲33-38%，建議關注存儲產業鏈企業。

相關ETF：公開信息顯示， 科創半導體ETF（588170）及其聯接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創板半導體材料設備主題指數，囊括科創板中 半導體設備（60%）和半導體材料（25%）細分領域的硬科技公司。 半導體設備和材料行業是重要的國產替代領域，具備國產化率較低、國產替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導體需求，擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術進展。

半導體設備ETF華夏（562590）及其聯接基金（A類：020356；C類：020357），指數中半導體設備（63%）、半導體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導體上游。