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      誰在制造存儲芯片荒?

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      文章來源:甲子光年微信公眾號(ID:jazzyear)
      作者:王藝

      在深圳華強北,存儲芯片已成為新的硬通貨。

      從去年年中開始,存儲芯片價格一路上漲,部分型號存儲芯片價格已上漲十多倍。

      但更讓存儲芯片買家焦慮的是,三星、美光、SK海力士三大存儲原廠的代理商出貨非常謹慎,只賣給大客戶,中小客戶根本買不到存儲芯片。

      啟哥(化名)在芯片行業從業多年,他對「甲子光年」抱怨:“能流到市場上面來的量本來就很小。最受傷的是那些小廠,他們沒有穩定的貨源,只能被別人剝削。你想買芯片,代理商不報價,你能拿他有什么辦法?”

      在終端市場,這種變化被迅速放大:PC廠商開始上調整機價格,部分筆記本電腦提價500~1500元;手機廠商悄然調整存儲配置,以對沖成本壓力;而中小模組廠和渠道商,則在“隨時斷供”的不確定性中,被迫提前囤貨。

      而存儲芯片價格的快速上漲,正在通過產業鏈傳導機制,間接影響到晶圓代工廠的訂單結構與產能安排,中芯國際正是這一結構性變化中的“被波及者”,盡管他們并不直接生成存儲芯片。

      2月11日上午,中芯國際聯合CEO趙海軍在2025年第四季度業績說明會現場表示,目前中低端訂單減少,是因為AI對存儲芯片的強勁需求,擠壓了手機等其他應用領域能拿到的存儲芯片供應,從而導致中芯國際這樣的晶圓廠收到的中低端訂單減少。他還對客戶發出呼吁:“不要太悲觀,不要現在砍太多的單子。”

      表面上,這似乎是一場由AI引發的存儲芯片需求爆發,但是「甲子光年」近期走訪產業鏈上下游多方發現,一個更尖銳的問題正在浮現:當最基礎、最通用的存儲芯片都開始短缺,這究竟是AI時代的真實需求,還是一場被供給策略與市場預期共同放大的“人為緊張”?

      存儲芯片荒,并不僅僅是“缺貨”這么簡單。

      01存儲原廠:惜售理直氣壯

      存儲產業鏈里至少存在三層不同的價格體系:存儲芯片模組/成品終端整機。模組、整機的漲幅往往與芯片不對稱,因為終端廠商會通過“降配”或“減少促銷”來消化成本。因此,理解這輪危機的核心,必須直擊底層的芯片。

      「甲子光年」整理了2025年4月到2026年2月存儲芯片價格變動情況。以DDR4 16Gb(2GX8)3200存儲芯片價格為例,2025年6月還是單顆6.2美元,半年過后漲到了50.1美元,到了今年2月已經逼近77美元。


      2025年4月-2026年2月存儲芯片現貨價格變動,「甲子光年」制圖

      「甲子光年」了解到,韓系兩大存儲芯片原廠(三星、SK海力士)惜售心態空前強烈,不但不愿意簽定價長約,連大客戶也只能拿到部分配額。這兩大原廠還將原來的季度合約改成了“月調價”模式,并采取更嚴格的供給管理策略,包括加強配額制,并優先滿足AI客戶與企業級高毛利產品等。

      如果只從結果看,過去一年里,存儲芯片原廠做了三件高度一致的事:漲價、減產、優先高端客戶。

      在下游看來,這是一種“趁行情收割”的行為,但從原廠自身的經營邏輯出發,這更像是一場經過計算的供給重構。

      對存儲原廠來說,這一輪行情的起點并不是價格,而是需求結構的改變。

      AI服務器對存儲的消耗方式,與過去完全不同。隨著AI推理需求爆發式增長,HBM(高帶寬內存)、GDDR(GPU專用內存)、DDR5等高端存儲的需求被迅速拉高。2025年,三大原廠相繼宣布相繼宣布DDR4停產或減產,將資本開支與資源全力向HBM和DDR5傾斜,HBM也在2025年給三大原廠貢獻了絕大部分收入。


      2024 Q3-2025 Q3三大原廠HBM營收市場占比,圖片來源:Counterpoint

      這些高端存儲芯片的價格,理論上遠高于消費級存儲芯片,但是由于產能急劇減少而舊平臺仍有需求,DDR4在過去半年出現了罕見的“價格倒掛”現象,有時甚至比DDR5更貴。

      但是三大原廠還是堅持把核心產能都放在了高端存儲芯片上。2025年,HBM市場規模實現爆發式增長,相關產品價格上漲超30%,三星、SK海力士等廠商的HBM產能已基本售罄,呈現“一芯難求”的局面。以SK海力士向英偉達供應的一顆24GB HBM3E堆棧為例,價格約370美元,一張高端GPU通常需要六顆,而下一代HBM4的單顆價格甚至被預期將突破500美元。

      一位頭部云服務商的服務器采購負責人告訴「甲子光年」:“只要GPU出貨,我們就必須同步拉HBM。問題是GPU的供應鏈節奏不穩定,導致我們不得不提前備貨。”

      在如此巨大的利潤差距面前,原廠自然會優先將先進制程、設備與工程資源集中投向HBM生產,傳統存儲芯片產能被壓縮,甚至直接退出產線,也就成了理性選擇,所以原廠的“惜售”并不是一個情緒化動作

      這意味著,通用存儲的需求并沒有消失,而是在產能分配上被迫讓位。

      當產能已經被高端產品鎖定、庫存又處于低位時,如果原廠繼續向非核心客戶放量,只會帶來兩種結果:拉低平均銷售價格,削弱未來幾個季度的定價主動權。

      在行業中,平均銷售價格是存儲原廠衡量產品結構與議價能力的核心指標。當平均銷售價格持續上移,意味著原廠正在從“賣更多芯片”,轉向“經營稀缺性”。

      那么三大存儲原廠的話語權那么強嗎?既然DDR4是傳統成熟產品,三大原廠之外的廠商能不能迅速補產?

      這兩個問題答案是:超強,很難。

      存儲不是一個充分競爭市場,而是一個高度寡頭化的市場,三大原廠合計占據超過九成供給份額,尤其在高端DRAM(HBM/DDR5)市場中接近100%。

      存儲芯片對制程要求極高,資本開支巨大,良率爬坡難,技術積累周期長,雖然也有其他廠商可以生產DDR4存儲芯片,但是目前市場認可度較低,產能也很難短期跟上。

      中國臺灣存儲企業鈺創董事長盧超群近日出席媒體會時表示,當前DRAM最大的問題不在需求,而是“沒有新產能”。這并不是存儲原廠不想擴產,而是客觀條件所限制。DRAM廠的建設周期本來就比邏輯晶圓廠更長。一座邏輯晶圓廠從動工到對營收產生實質貢獻,大約需要四到五年,而DRAM廠往往要六年以上。等到產能真正開出來,市場早已缺貨多時。

      當三大原廠將產能主動轉向高端存儲產品時,全球通用存儲的供給便出現斷層式收縮。在庫存處于歷史低位的背景下,這種結構性減產足以迅速引發價格失衡。

      02代理商和渠道商:炮制漲價循環

      “這一輪漲價中,真實需求只占40%,另外60%是‘被惡意控制的泡沫’。”

      鄧欣(化名)是一位來自中國臺灣的芯片專家,有著十余年的芯片從業經驗,現任某國內半導體設備公司研發總監,他提到的“被惡意控制的泡沫”就是目前存儲芯片市場中被人為操縱的價格亂象。他直言不諱地告訴「甲子光年」:“他們(原廠)故意去塑造一個所有提供廠商都非常謹慎處理產能的氛圍,故意把產能壓下來,然后塑造一個‘客戶必須來跟我們買、必須來囤貨’的局面。”

      甚至出現了“配給制”。

      某存儲芯片原廠銷售對芯片行業媒體“芯師爺”表示:“我們現在不是賣芯片,是‘配給制’,老客戶只能拿到三成貨,新客戶連門都摸不著,想拿貨得排隊等半年。”

      三星某代理商銷售負責人徐平(化名)對「甲子光年」透露,現在的存儲市場存在“三層價格結構”:

      • 原廠價格:基準價,只有頭部云廠商和授權代理商能拿到。

      • 代理商價格:在原廠價基礎上加價10%-30%,供應給長期合作的優質客戶。

      • 貿易商價格:在代理商價格基礎上再翻1-2倍,這是中小企業不得不接受的“市場價”。

      徐平表示,80%的代理商都會“壓貨”等漲價。

      “原廠會給我們預期,會提前跟我們說供需情況,說會缺貨、會漲價。有些代理商老板聽到之后,第二天開始就說‘沒貨了’,等下個月價漲了再出貨。”他告訴「甲子光年」,一些代理商會保持至少一個季度(300萬顆)的庫存量,“他出了300萬顆給終端,又從原廠進300萬顆庫存,就這樣循環。”

      啟哥則告訴「甲子光年」,中間的分銷商、代理商囤貨炒貨,正是這段時間佰維存儲、江波龍被資本市場熱炒的原因。

      「甲子光年」綜合多方描述,梳理出了存儲芯片漲價鏈路:

      1. 原廠策略收縮原廠惜售 → 代理商預期漲價 → 代理商囤貨

      2. 渠道層層加碼貿易商跟風囤貨 → 市場貨源極度緊張 → 現貨流通率下降

      3. 需求被人為放大下游恐慌性備貨 → 重復下單鎖貨 → 需求虛高

      4. 價格反饋機制訂單遠超產能 → 原廠漲價理由充分 → 新一輪漲價開啟


      存儲芯片價格螺旋上升循環, 「甲子光年」制圖

      作為被存儲芯片漲價波及的中芯國際,其聯合CEO趙海軍近期站在外部視角提到,通道商(渠道商)看到存儲芯片漲價且供應緊張,出于“危機感”開始囤積貨源。這種囤貨行為進一步加劇了終端廠商的“缺芯”困境,導致他們不敢在當前下達大量出貨訂單。

      他形象地比喻說,這種效應如同一個人為了買一張緊缺的機票,會同時向多家航空公司發出詢問,造成了需求虛高的假象,而一旦供應恢復,真實需求就會顯現。

      03周期:供需失衡被低庫存杠桿放大

      美國橡樹資本管理有限公司創始人、知名投資人霍華德·馬克斯(Howard Marks)在《周期》一書中寫道:“市場的漲跌只是一時的,不可能一直如此,上漲之后必有下跌,下跌之后必有上漲,認識到市場波動必有周期對投資至關重要。”

      過去幾年的存儲芯片市場行情是一條循環往復的波浪線:2011年低價、2013年大漲、2015年回落、2017年狂飆、2019年劃入低谷。


      2008-2022年存儲芯片平均銷售價格變動周期圖,數據來源:Trendforce,制圖:Bloomberg

      與2017年那場轟轟烈烈的漲價周期相比,這一輪存儲芯片的漲價潮有許多共同點:價格上漲的節奏幾乎一致,都是快速、連續、幾乎無回調的上漲。

      但是周期不會相同只會相似:歷史不會重演過去的細節,歷史卻會重復相似的過程。

      對比2017年的存儲芯片漲價潮,「甲子光年」發現,過去存儲廠商的核心目標是快速擴產、拉高市占率,而在當前周期中,更重要的指標變成了產品結構、客戶結構和長期議價權


      2017年與2025年存儲漲價潮核心差異對比,「甲子光年」制圖

      在這種狀態下,存儲芯片原廠不需要通過“試探性漲價”測試需求彈性,價格上漲不再是博弈,而是順勢而為。

      在經歷2022~2023年的行業寒冬后,三大存儲芯片原廠的庫存已經被壓縮到歷史低位,DRAM和NAND的庫存周轉周期,已明顯低于長期健康區間,這導致供需失衡在“低庫存杠桿”下被放大了。

      有存儲市場業內人士表示,目前三大原廠的HBM產能被預定至2027年,新建產線2027下半年才釋放;DRAM 2026-2027年的產能已被英偉達、北美云廠商全額預訂;HDD的交期也延至52周。此外,當前DRAM庫存量僅為1.5個月,而正常水平應為2-2.5個月; NAND庫存量更低,僅為1個月左右。


      存儲產品原廠、渠道、模組廠及細分品類庫存,數據來源:某一級市場人士,「甲子光年」整理制圖

      相較于2017年,這一輪存儲漲價周期的技術門檻也更高。2017年DRAM制程進入1Xnm階段、產能增長有限,且2D NAND向3D NAND過度的技術爬坡期良率低,是技術不達標、制程升級陣痛導致的存儲產品缺貨。

      而2025年DRAM制程進入了1βnm/1γnm、HBM3/4、DDR5/LPDDR5X等產品成為主流,NAND也實現了200層以上的堆疊,更多是異構計算催生高端存儲品類爆發導致的結構性缺貨。

      那么,這場瘋狂的超級周期會到什么時候?

      從各大研究機構的短期預測來看,2026年上半年,存儲芯片的價格仍將處于劇烈的上行區間。TrendForce上調了DRAM/NAND合約漲幅預測,Counterpoint甚至用“violent price rally(暴烈的價格反彈)”來形容2026年第一季度的行情,預計DRAM等將上漲80%-90%。

      此外,新建晶圓廠的周期漫長。一座DRAM廠從動工到量產往往需要六年以上,且當前全球潔凈室建設面臨“需求激增、供給不足”的困境,進一步拖慢了產能釋放的步伐。

      展望行業發展趨勢,「甲子光年」分析:存儲價格上漲核心周期將持續至2026年底,產業高景氣度則至少延續至2027年,在AI帶動下,HBM賽道要到2028年初才可能迎來價格拐點。

      這樣看來,啟哥還將被存儲芯片荒和漲價潮影響一段時間,現在不正常的市場情況已經讓他產生了種種猜測,他執著地認為:“存儲原廠的產能并沒有拉滿。他們明明有能力多生產,但為了保利潤率,就是不肯多生產,就是愿意賣更貴的價格。”

      但無論如何,只要存儲芯片原廠保持“饑餓營銷”,只要AI的故事還能講下去,華強北的內存“黑金條”生意就不會停歇。

      *應受訪人要求,啟哥、鄧欣、徐平為化名

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