湖北
2026年3月31日，全球市場研究機構TrendForce發布了內存市場最新分析預測報告。
分析顯示，2026年第二季度，DRAM供應商正持續將產能調配至高帶寬內存（HBM）與服務器存儲領域，同時推行補漲定價策略，以此縮小各產品線間的價差。在此背景下，即便終端市場出貨量仍面臨一定下行壓力，傳統DRAM合約價預計仍將環比上漲58%~63%。
與此同時，人工智能與數據中心的強勁需求持續拉動NAND閃存市場行情，漲價勢頭已全面覆蓋全品類產品，預計二季度NAND閃存合約價或將達到70%~75%的環比漲幅。
北美云服務運營商正加速推進人工智能推理業務部署，這一舉措直接拉動了人工智能服務器及通用服務器的采購需求，使得大容量雙列直插式內存模組（RDIMM）成為市場核心采購標的。
從供應端來看，廠商憑借更高的盈利空間，持續優先保障服務器DRAM的產能供應，并與核心客戶簽訂長期供貨協議，為后續產能擴容提前鋪路。不過，短期內市場供貨緊張的格局仍難以得到緩解。
在手機市場方面，各大主流品牌持續面臨內存成本攀升的壓力，或將從2026年第二季度起逐步調整生產規劃，但上半年移動端DRAM需求暫時不會出現大幅萎縮。
目前，DRAM廠商正與核心客戶密集敲定二季度定價基準、明確漲價幅度，同時通過補漲定價策略抹平不同應用場景的價差。因此，預計移動端DRAM合約價將延續上一季度的上漲態勢。
在顯存領域，內存漲價已明顯拖累筆記本電腦與游戲設備的市場需求，加之圖形顯存（GDDR）的產能分配持續受限，市場供貨缺口難以填補，2026年第二季度顯存價格或將進一步攀升。
在消費級DRAM領域，采購方主要主打低價走量的薄利產品。自2025年初開啟的持續漲價潮，已導致部分產品的內存成本高于終端售價，采購需求因此出現小幅降溫。但頭部廠商逐步退出消費級DRAM賽道，仍是打破市場供需平衡的核心因素，當前市場供貨短缺問題尚未得到有效緩解。
在嵌入式閃存（eMMC/UFS）領域，盡管智能手機市場整體行情疲軟，但旗艦機型搭載人工智能功能所催生的高速傳輸需求依舊剛性不減，車載與工業級市場需求也迎來小幅回暖態勢。
在供應層面，嵌入式閃存與企業級固態硬盤共享部分制程產能資源，但由于兩者盈利水平差距懸殊，使其成為全品類中供貨缺口最大的細分產品，預計2026年第二季度其價格將大幅飆升。
在普通消費級存儲卡及U盤領域，市場需求在漲價壓力下持續萎縮，相關廠商深陷成本與銷量的雙重困境，進而大幅削減NAND閃存晶圓采購量。
總的來看，2026年第二季度，即便NAND閃存廠商通過工藝升級、加大四階存儲單元（QLC）滲透率等方式提升芯片出貨比特總量，行業產能增長幅度依舊有限，市場整體嚴重短缺的趨勢仍難以扭轉。
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