【硬件資訊】持續(xù)發(fā)力AI！未來(lái)AI芯片將以存儲(chǔ)為核心？加大先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)及AI定制產(chǎn)品投入！

新 聞1： HBF或取代GPU地位，未來(lái)AI芯片將以存儲(chǔ)為中心

今年2月，SK海力士（SK hynix）宣布與閃迪（SanDisk）聯(lián)合舉辦了“HBF規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)化聯(lián)盟啟動(dòng)會(huì)”，正式發(fā)布面向AI推理時(shí)代的下一代存儲(chǔ)器解決方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球標(biāo)準(zhǔn)化戰(zhàn)略。雙方共同推動(dòng)HBF成為行業(yè)通用標(biāo)準(zhǔn)，充分發(fā)揮各自在HBM與NAND閃存領(lǐng)域長(zhǎng)期積累的設(shè)計(jì)能力、封裝技術(shù)及大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，率先推動(dòng)HBF的標(biāo)準(zhǔn)化與產(chǎn)品化進(jìn)程，為整個(gè)AI生態(tài)系統(tǒng)協(xié)同發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

據(jù)TrendForce報(bào)道，有著“HBM之父”之稱(chēng)的韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）教授金正浩近日在接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示，隨著存儲(chǔ)巨頭競(jìng)相押注HBF等后HBM技術(shù)后，目前由英偉達(dá)引領(lǐng)的GPU為中心模式最終將轉(zhuǎn)向以存儲(chǔ)為中心的架構(gòu)。

隨著AI領(lǐng)域從生成式模型轉(zhuǎn)向代理式模型，大量文件、視頻和多模態(tài)數(shù)據(jù)需要同時(shí)被處理，存儲(chǔ)成為了瓶頸，帶寬和容量都需要增加千倍，才能確保速度和準(zhǔn)確性。HBM通過(guò)垂直堆疊DRAM實(shí)現(xiàn)了超高速度，主導(dǎo)了當(dāng)今的AI加速器，未來(lái)以NAND閃存堆疊取代DRAM，通過(guò)HBF打造了“巨大的書(shū)架”，極大地?cái)U(kuò)展了容量，超越了現(xiàn)在的極限。

金正浩認(rèn)為，這將導(dǎo)致AI的權(quán)力平衡可能從GPU倒向存儲(chǔ)，未來(lái)AI系統(tǒng)將圍繞HBM和HBF構(gòu)建，實(shí)際上CPU和GPU只是嵌入其中。

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感覺(jué)這次的存儲(chǔ)浪潮讓他們有些膨脹了……至少在我看來(lái)，AI的核心還是“算力”，存儲(chǔ)容量小、速率慢，是可以用時(shí)間去彌補(bǔ)的，或者說(shuō)高速先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)并不是必要條件，總不能所謂的HBF會(huì)成為有運(yùn)算能力的存儲(chǔ)器吧？？

新 聞 2： SK海力士加大生產(chǎn)及工藝升級(jí)投入，未來(lái)兩年將花費(fèi)約12萬(wàn)億韓元購(gòu)買(mǎi)EUV光刻機(jī)

過(guò)去幾年里，SK海力士在存儲(chǔ)器市場(chǎng)可謂是春風(fēng)得意。一方面得益于人工智能（AI）熱潮及HBM領(lǐng)域的成功，在DRAM市場(chǎng)一度超越了過(guò)去多年的領(lǐng)頭羊三星，另一方面收購(gòu)了英特爾的NAND閃存業(yè)務(wù)，憑借QLC eSSD大規(guī)模出貨，在數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)大殺四方。

據(jù)TrendForce報(bào)道，SK海力士并沒(méi)有滿(mǎn)足于現(xiàn)狀，正在積極擴(kuò)展AI存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)，決定加大生產(chǎn)及工藝升級(jí)的投入。SK海力士已確認(rèn)從ASML處購(gòu)買(mǎi)更多EUV光刻機(jī)，計(jì)劃至2027年12月，花費(fèi)11.95萬(wàn)億韓元（約合79.97億美元/人民幣550.9億元），涵蓋設(shè)備采購(gòu)、安裝、以及升級(jí)等環(huán)節(jié)，以應(yīng)對(duì)AI存儲(chǔ)器不斷增長(zhǎng)的需求。

有業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士很可能加快向1cnm（第六代10nm級(jí)別）DRAM工藝過(guò)渡，更大范圍地應(yīng)用在HBM、DDR5和LPDDR6等下一代關(guān)鍵產(chǎn)品。目前SK海力士在HBM4上仍然采用1β (b) nm（第五代10nm級(jí)別）DRAM工藝，相比于三星的同類(lèi)產(chǎn)品有些吃虧。SK海力士已經(jīng)決定在HBM4E切換至新的工藝技術(shù)，再結(jié)合臺(tái)積電N3P工藝生產(chǎn)的基礎(chǔ)裸片（Base Die），進(jìn)一步提高性能表現(xiàn)。

除了購(gòu)買(mǎi)新設(shè)備外，SK海力士還在積極擴(kuò)張產(chǎn)能，以滿(mǎn)足下一代HBM的需求。近期位于韓國(guó)忠清北道清州市的M15X已經(jīng)開(kāi)設(shè)第二間潔凈室，并開(kāi)始安裝設(shè)備，比原計(jì)劃的5月提前了兩個(gè)月。

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倒不是為了下一代存儲(chǔ)，你看像三星這種，在這一代存儲(chǔ)器上就已經(jīng)卷起來(lái)了，用3nm工藝制造基板。不管是應(yīng)對(duì)現(xiàn)在的挑戰(zhàn)還是為了未來(lái)的高性能存儲(chǔ)器需求，SK海力士都不得不選擇加強(qiáng)這方面的投資，也算是必然的決定吧。

新 聞3： 東芝發(fā)布M12系列，大型數(shù)據(jù)中心SMR/CMR機(jī)械硬盤(pán)，最大提供34TB

東芝宣布，推出M12系列，這是專(zhuān)為運(yùn)營(yíng)大型數(shù)據(jù)中心的超大規(guī)模服務(wù)提供商而設(shè)計(jì)的新一代機(jī)械硬盤(pán)（HDD）。其采用了疊瓦式磁記錄（SMR）技術(shù)，可提供30TB至34TB容量，目前樣品已經(jīng)開(kāi)始發(fā)出。東芝還計(jì)劃在2026年第三季度帶來(lái)采用傳統(tǒng)磁記錄（CMR）技術(shù)的M12系列，提供最大28TB容量。

隨著數(shù)字服務(wù)和視頻內(nèi)容的持續(xù)擴(kuò)展、云服務(wù)的廣泛采用，以及最近數(shù)據(jù)需求量大的人工智能（AI）和數(shù)據(jù)科學(xué)的日益普及，都在推動(dòng)全球范圍內(nèi)生成和存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量大幅增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)中心需要更大容量、更強(qiáng)性能的機(jī)械硬盤(pán)來(lái)支持更高效的系統(tǒng)配置，而M12系列旨在滿(mǎn)足這一需求。

作為一款標(biāo)準(zhǔn)的3.5英寸近線(xiàn)硬盤(pán)，M12系列采用了東芝專(zhuān)有的設(shè)計(jì)和分析技術(shù)。其最多擁有11片磁盤(pán)，相比過(guò)往產(chǎn)品增加了1片，使用的記錄介質(zhì)從傳統(tǒng)的鋁基板替換為玻璃基板，不僅提高了耐用性，而且讓整個(gè)設(shè)計(jì)變得更加輕薄。另外還利用了東芝專(zhuān)有的FC-MAMR技術(shù)，使用了自旋扭矩振蕩器來(lái)輔助記錄，并采用氦氣密封。

新產(chǎn)品的最大數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)282 MiB/s，實(shí)現(xiàn)了約8%的性能提升，而每太字節(jié)的能耗（W/TB）則比上一代產(chǎn)品低約18%。M12系列同樣具有24×7的可靠性設(shè)計(jì)，每年的額定工作負(fù)載為550TB，AFR（年化故障率）為0.35%，MTTF/MTBF為250萬(wàn)小時(shí)。

展望未來(lái)，東芝還將引入熱輔助磁記錄（HAMR）技術(shù)，磁盤(pán)數(shù)量也將增至12片，以滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。

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東芝這次反映還算快？同樣是存儲(chǔ)器，機(jī)械硬盤(pán)自然也有大量需求，不過(guò)由于其優(yōu)勢(shì)主要還是存儲(chǔ)容量大，東芝也是進(jìn)一步加大了這一方面的研發(fā)。CMR的大容量盤(pán)其實(shí)越來(lái)越少了，東芝還能推動(dòng)這條線(xiàn)，也算是找了個(gè)很好的方向，就看市場(chǎng)會(huì)如何反映了。

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