數(shù)千萬美元，2000顆Blackwell GPU，SK海力士AI基建來了！

本次部署將包含250臺服務(wù)器，搭載2000顆英偉達(dá)Blackwell系列GPU。

SK海力士正在搭建自有人工智能基礎(chǔ)設(shè)施，這是該公司首次在生產(chǎn)廠區(qū)直接部署獨立AI系統(tǒng)。此前，SK海力士的數(shù)字孿生業(yè)務(wù)一直依賴SK電訊的云基礎(chǔ)設(shè)施。行業(yè)觀察人士表示，半導(dǎo)體制造正邁向AI直接運營晶圓廠的新階段。

業(yè)內(nèi)消息稱，SK海力士近期已完成AI服務(wù)器采購招標(biāo)。本次部署將包含250臺服務(wù)器，搭載2000顆英偉達(dá)Blackwell系列GPU。該基礎(chǔ)設(shè)施將落戶公司清州園區(qū)，服務(wù)器定于6月起交付安裝，總投資規(guī)模預(yù)計達(dá)數(shù)千萬美元。該AI基礎(chǔ)設(shè)施投用后，將支撐工廠數(shù)字孿生系統(tǒng)與內(nèi)部AI智能體運行。

數(shù)字孿生是在虛擬環(huán)境中復(fù)刻真實工廠的技術(shù)。半導(dǎo)體晶圓廠部署數(shù)十萬顆傳感器，持續(xù)監(jiān)測設(shè)備溫度、振動、氣體流量等參數(shù)，這些數(shù)據(jù)流與虛擬模型實時同步，使其可像實體工廠一樣運行。在這一環(huán)境下，可提前模擬設(shè)備布局、工藝條件與物流流程，僅將優(yōu)化后的方案應(yīng)用于實際產(chǎn)線。半導(dǎo)體產(chǎn)線一旦停工將造成巨額損失，因此實體試驗空間有限。數(shù)字孿生技術(shù)支持在不同條件下反復(fù)模擬，是提升良率與產(chǎn)能利用率的核心工具。

內(nèi)部AI智能體相當(dāng)于企業(yè)級AI助手，可自動化員工工作流程。與公共聊天機(jī)器人不同，這類系統(tǒng)基于企業(yè)專屬數(shù)據(jù)訓(xùn)練，能理解公司專用術(shù)語與業(yè)務(wù)場景。通過學(xué)習(xí)半導(dǎo)體生產(chǎn)數(shù)據(jù)、工藝手冊及內(nèi)部文件，AI智能體可支撐工程分析、報告生成、員工培訓(xùn)等多項工作。依托自有AI基礎(chǔ)設(shè)施運行，還能確保企業(yè)敏感數(shù)據(jù)不外流。AI的應(yīng)用將進(jìn)一步推動晶圓廠運營自動化，長期來看可能改變操作員與工藝監(jiān)控崗位的人力結(jié)構(gòu)。AI智能體也有望替代大量重復(fù)性行政工作。

去年11月，英偉達(dá)與SK集團(tuán)就工業(yè)AI云服務(wù)正式達(dá)成合作，由SK電訊以GPU即服務(wù)模式，為SK海力士等旗下子公司提供基礎(chǔ)設(shè)施。但本次清州部署項目為獨立計劃。鑒于晶圓廠運營數(shù)據(jù)的敏感性，SK海力士認(rèn)為，自建基礎(chǔ)設(shè)施比依賴外部云服務(wù)更具優(yōu)勢。

選址清州主要因當(dāng)?shù)仉娏θ萘砍渥恪Ｐ袠I(yè)消息稱，公司利川廠區(qū)電力與空間不足，無法支撐該基礎(chǔ)設(shè)施。清州M15X晶圓廠近期已全面量產(chǎn)，投資約19萬億韓元的P&T7先進(jìn)封裝廠也已動工。該基地正從以NAND閃存為主，轉(zhuǎn)型為覆蓋DRAM、高帶寬內(nèi)存（HBM）與先進(jìn)封裝的AI內(nèi)存核心樞紐。

本次采購規(guī)格未拆分內(nèi)存組件，招標(biāo)書要求包含內(nèi)存的完整集成服務(wù)器系統(tǒng)，最終合同授予最低報價方。以往，三星電子等內(nèi)存廠商通常會在服務(wù)器招標(biāo)中排除DRAM與固態(tài)硬盤，轉(zhuǎn)而內(nèi)部供應(yīng)。行業(yè)分析師指出，過去一年DRAM與NAND價格近乎翻倍，內(nèi)部調(diào)撥的成本優(yōu)勢已大幅減弱。

值得一提的是，SK海力士計劃于今年下半年向客戶供應(yīng)第七代高帶寬內(nèi)存HBM4E樣品，將采用1c DRAM工藝以提升競爭力。SK海力士HBM銷售與營銷副總裁Kim Ki-tae在 4 月 23 日第一季度財報電話會議上表示，公司正與客戶就出貨時間表與產(chǎn)品規(guī)格緊密協(xié)調(diào)。“內(nèi)部計劃是在下半年提供樣品，產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展順利，目標(biāo)是明年量產(chǎn)。”

HBM4E是HBM4的迭代產(chǎn)品。SK海力士計劃將其1c DRAM工藝應(yīng)用于HBM4E核心裸片；現(xiàn)有HBM4產(chǎn)品基于第五代1b DRAM工藝，而競爭對手三星電子從一開始就采用1c DRAM生產(chǎn)HBM4。Kim強(qiáng)調(diào)，SK海力士1c DRAM已展現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先性能，該工藝于去年底開始量產(chǎn)，良率與產(chǎn)能均已進(jìn)入成熟階段。三星電子也預(yù)計在年中前后向客戶提供HBM4E樣品。

關(guān)于現(xiàn)有HBM4產(chǎn)品的認(rèn)證與出貨時點，Kim表示，競爭力不僅取決于速度與功耗效率，還取決于品質(zhì)、良率與供應(yīng)穩(wěn)定性。SK海力士正根據(jù)客戶量產(chǎn)計劃擴(kuò)產(chǎn)，確保及時供貨，同時在整體DRAM市場保持產(chǎn)能均衡分配。

除HBM外，公司還在籌備下一代DRAM與NAND產(chǎn)品。基于1c工藝的低功耗DRAM LPDDR6將于今年下半年全面供貨，面向旗艦智能手機(jī)。SK海力士稱，該產(chǎn)品相較LPDDR5X數(shù)據(jù)處理速度提升33%，功耗效率提升20%以上，已于上月完成開發(fā)。

SK海力士本月還啟動了基于1c工藝LPDDR5X 192GB SOCAMM2量產(chǎn)。相較傳統(tǒng)服務(wù)器內(nèi)存模組，其帶寬翻倍、能效提升 75%，專為英偉達(dá)Vera Rubin AI計算平臺優(yōu)化，預(yù)計下半年開始向英偉達(dá)供貨。

SK海力士同時在開發(fā)包括CXL、存內(nèi)計算（PIM）及高帶寬閃存在內(nèi)的新型解決方案。計劃推出支持CXL 3.0的第二代CXL內(nèi)存模組，容量與性能優(yōu)于第一代CXL 2.0模組（已完成客戶驗證）；并已與Naver Cloud簽署備忘錄，開展CXL與存內(nèi)計算技術(shù)驗證。

在高帶寬閃存領(lǐng)域，SK海力士已啟動標(biāo)準(zhǔn)化工作，并于2月與閃迪組建聯(lián)盟。高帶寬閃存采用類似HBM的3D堆疊NAND架構(gòu)，提升帶寬以改善數(shù)據(jù)處理速度與延遲，有望彌補HBM存儲容量有限的短板。

SK海力士NAND營銷負(fù)責(zé)人Song Chang-seok表示，公司正為邊緣AI、實體AI等場景優(yōu)化存儲解決方案，旨在進(jìn)一步鞏固以HBM為基礎(chǔ)的AI內(nèi)存市場領(lǐng)先地位。

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