儀電規(guī)范｜半導體材料選擇標準有哪些？看GB/T 50780如何要求？

半導體材料

半導體材料是指電導率介于金屬與絕緣體之間的材料，半導體材料的電導率在歐/厘米之間，一般情況下電導率隨溫度的升高而增大。半導體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料。 半導體材料是指電導率介于金屬與絕緣體之間的材料，半導體材料的電導率在歐/厘米之間，一般情況下電導率隨溫度的升高而增大.半導體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料.

5．1 半導體材料

5．1．1 半導體材料 samiconductor materials

電阻率介于導體與絕緣體之間，范圍在1×10-5Ω·cm～1×107Ω·cm的一種固體物質(zhì)。

5．1．2 晶體材料 crystal materials

在三維空間中，由沿一定晶向、以一定周期性結構排列的原子、離子或分子組成的固體物質(zhì)。

5．1．3 單晶材料 single crystal materials

不含大角晶界或亦孿晶界的晶體材料。

5．1．4 多晶半導體材料 polycrystal semiconductor materials

由大量結晶方向不相同的單晶體組成的半導體材料。

5．1．5 多晶硅 polysilicon

熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成晶核，晶核長成晶面取向不同的晶粒，晶粒再結晶形成的物質(zhì)，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。

5．1．6 非晶態(tài)材料 amorphous materials

具有可與晶態(tài)物質(zhì)相比較的高硬度和高黏滯系數(shù)的剛性固體。又稱無定形或玻璃態(tài)材料。

5．1．7 非晶硅 amorphous silicon

熔融硅在過冷條件下凝固時，硅原子以無規(guī)則網(wǎng)絡形態(tài)排列成晶核，這些晶核長成晶粒，晶粒再結晶成的物質(zhì)。

5．1．8 硅基材料 silicon-based materials

以硅材料為襯底或基底，通過不同工藝過程生長制成的材料。

5．1．9 絕緣層硅 silicon-on-insulator(SOI)

在單晶硅片上形成絕緣薄層的硅單晶襯底材料。

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