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半導體材料
半導體材料是指電導率介于金屬與絕緣體之間的材料,半導體材料的電導率在歐/厘米之間,一般情況下電導率隨溫度的升高而增大。半導體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料。 半導體材料是指電導率介于金屬與絕緣體之間的材料,半導體材料的電導率在歐/厘米之間,一般情況下電導率隨溫度的升高而增大.半導體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料.
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5.1 半導體材料
5.1.1 半導體材料 samiconductor materials
電阻率介于導體與絕緣體之間,范圍在1×10-5Ω·cm~1×107Ω·cm的一種固體物質(zhì)。
5.1.2 晶體材料 crystal materials
在三維空間中,由沿一定晶向、以一定周期性結構排列的原子、離子或分子組成的固體物質(zhì)。
5.1.3 單晶材料 single crystal materials
不含大角晶界或亦孿晶界的晶體材料。
5.1.4 多晶半導體材料 polycrystal semiconductor materials
由大量結晶方向不相同的單晶體組成的半導體材料。
5.1.5 多晶硅 polysilicon
熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成晶核,晶核長成晶面取向不同的晶粒,晶粒再結晶形成的物質(zhì),是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。
5.1.6 非晶態(tài)材料 amorphous materials
具有可與晶態(tài)物質(zhì)相比較的高硬度和高黏滯系數(shù)的剛性固體。又稱無定形或玻璃態(tài)材料。
5.1.7 非晶硅 amorphous silicon
熔融硅在過冷條件下凝固時,硅原子以無規(guī)則網(wǎng)絡形態(tài)排列成晶核,這些晶核長成晶粒,晶粒再結晶成的物質(zhì)。
5.1.8 硅基材料 silicon-based materials
以硅材料為襯底或基底,通過不同工藝過程生長制成的材料。
5.1.9 絕緣層硅 silicon-on-insulator(SOI)
在單晶硅片上形成絕緣薄層的硅單晶襯底材料。
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