美荷兩國(guó)同時(shí)發(fā)聲，對(duì)中國(guó)獨(dú)立研發(fā)的光刻機(jī)技術(shù)給予了強(qiáng)烈批評(píng)

早在2019年起，美國(guó)開(kāi)始推動(dòng)盟友限制高端設(shè)備對(duì)華出口，荷蘭作為關(guān)鍵一環(huán)，逐步調(diào)整政策框架。

這種背景下，中國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)加大投入，聚焦深紫外線技術(shù)突破，逐步構(gòu)建本土產(chǎn)業(yè)鏈條。國(guó)際形勢(shì)中，技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，各方圍繞供應(yīng)鏈安全展開(kāi)博弈，中國(guó)路徑強(qiáng)調(diào)自力更生，避免外部掣肘。到2024年，中國(guó)已實(shí)現(xiàn)部分型號(hào)設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，這為后續(xù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

美荷兩國(guó)在2024年9月前后通過(guò)政策和輿論渠道，對(duì)中國(guó)光刻機(jī)自主進(jìn)展表達(dá)不滿。美國(guó)媒體密集報(bào)道，質(zhì)疑中國(guó)技術(shù)路徑的原創(chuàng)性，強(qiáng)調(diào)依賴現(xiàn)有設(shè)備分析而非從零創(chuàng)新。

同期，荷蘭政府正式擴(kuò)大出口許可審查，針對(duì)深紫外線浸沒(méi)式設(shè)備實(shí)施嚴(yán)格評(píng)估，直接影響中國(guó)采購(gòu)渠道。這種同步舉措形成合力，旨在遏制中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的追趕速度。

中國(guó)工信部隨即公布國(guó)產(chǎn)裝備目錄，列出氟化氬光刻機(jī)規(guī)格，波長(zhǎng)193納米，分辨率65納米以上，這標(biāo)志著從實(shí)驗(yàn)室到生產(chǎn)的轉(zhuǎn)變。

相比國(guó)際領(lǐng)先產(chǎn)品，中國(guó)設(shè)備在分辨率和穩(wěn)定性上仍有空間，但本土專利積累已超過(guò)500項(xiàng)，覆蓋光源到成像環(huán)節(jié)。

兩國(guó)發(fā)聲的核心在于技術(shù)參數(shù)對(duì)比。美國(guó)分析指出，中國(guó)套刻精度約1.5納米，而荷蘭阿斯麥產(chǎn)品控制在1納米以內(nèi)，這種差異在高密度生產(chǎn)中放大影響，產(chǎn)量效率可能降低20%。荷蘭政策則聚焦維修和服務(wù)許可，間接限制現(xiàn)有設(shè)備運(yùn)行。

不同于以往寬松出口，此次審查更注重軟件升級(jí)細(xì)節(jié)，確保技術(shù)不擴(kuò)散。中國(guó)研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過(guò)迭代優(yōu)化光源組件，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定輸出，與早期進(jìn)口依賴形成鮮明對(duì)比。

推進(jìn)過(guò)程中，清華大學(xué)等機(jī)構(gòu)設(shè)立專項(xiàng)實(shí)驗(yàn)室，專注材料科學(xué)攻關(guān)，企業(yè)如上海微電子從原型測(cè)試到批量驗(yàn)證，縮短周期15%。

事件細(xì)節(jié)顯示，美荷擔(dān)憂中國(guó)追趕步伐。阿斯麥極紫外線設(shè)備處理5納米節(jié)點(diǎn)，中國(guó)深紫外線版本則定位28至65納米區(qū)間，這種戰(zhàn)略差異源于供應(yīng)鏈安全優(yōu)先。

中國(guó)自產(chǎn)率從2022年的40%升至2024年的65%，鏡片和掩膜板優(yōu)化顯著。發(fā)展路徑采用多線并行，基礎(chǔ)研究與應(yīng)用反饋結(jié)合，引入自動(dòng)化控制，提升操作效率20%。與前代設(shè)備不同，新版本融入數(shù)字化監(jiān)控，減少人為誤差，專利申請(qǐng)覆蓋全鏈條。

從2019年的90納米分辨率，到2024年的65納米，通過(guò)光學(xué)升級(jí)實(shí)現(xiàn)。激光功率從50瓦增至200瓦，體現(xiàn)躍進(jìn)策略。供應(yīng)鏈調(diào)整轉(zhuǎn)向本土供應(yīng)商，庫(kù)存管理和備用方案確保連續(xù)性。

曝光系統(tǒng)從單光束到多光束，提高效率30%。穩(wěn)定性從3000小時(shí)無(wú)故障時(shí)間逐步接近5000小時(shí)，材料強(qiáng)化關(guān)鍵。更新?lián)Q代加入AI輔助對(duì)準(zhǔn)，精度提升10%，光刻膠從單一擴(kuò)展到多類型。

2024年下半年，中國(guó)完成第三代原型，環(huán)保材料降低能耗15%。市場(chǎng)份額從中端發(fā)力，從5%升至15%。跨學(xué)科協(xié)作形成聯(lián)盟，攻克成像難題。套刻精度精進(jìn)到1.5納米，產(chǎn)量從日產(chǎn)100片到300片。國(guó)際展會(huì)展示獲認(rèn)可，自主率覆蓋整機(jī)。

波長(zhǎng)控制波動(dòng)降至0.5%，傳感器升級(jí)貢獻(xiàn)大。第四代規(guī)劃向45納米推進(jìn)，聯(lián)合攻關(guān)材料創(chuàng)新。成本控制領(lǐng)先，版本低30%，利于大規(guī)模應(yīng)用。

測(cè)試階段多次模擬，參數(shù)優(yōu)化千次實(shí)驗(yàn)。兼容性匹配多種工藝，模塊化設(shè)計(jì)便于升級(jí)。冗余設(shè)計(jì)改善穩(wěn)定性，生產(chǎn)線擴(kuò)建產(chǎn)能翻番。

阿斯麥年產(chǎn)數(shù)百臺(tái)，中國(guó)從數(shù)十臺(tái)起步，增速更快。光源壽命延長(zhǎng)到8000小時(shí)，冷卻系統(tǒng)升級(jí)。迭代周期從兩年縮短到一年。深紫外線積累聚焦實(shí)用，參展反饋優(yōu)化設(shè)計(jì)。資金投入翻倍，支撐從研發(fā)到量產(chǎn)。

中國(guó)平衡貿(mào)易，稀土管理新規(guī)2025年生效，含本土來(lái)源設(shè)備需許可。荷蘭2025年1月調(diào)整出口數(shù)據(jù)規(guī)則，中國(guó)內(nèi)部循環(huán)減少依賴。自給率近80%，預(yù)計(jì)2026年份額翻番。

半導(dǎo)體重塑中，中國(guó)話語(yǔ)權(quán)增強(qiáng)，企業(yè)訂單增長(zhǎng)。生態(tài)構(gòu)建從設(shè)備到材料全覆蓋，光學(xué)系統(tǒng)多鏡組提升分辨。政策支持減稅激勵(lì)，標(biāo)準(zhǔn)制定主導(dǎo)本土規(guī)范。第五代概念融入量子元素，探索前沿。

兩國(guó)壓力轉(zhuǎn)為動(dòng)力，中國(guó)不懈迭代。材料耐久堅(jiān)固，資金鏈完整。

中國(guó)路徑韌性強(qiáng)，外部限制激發(fā)創(chuàng)新。產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋率超60%，從基礎(chǔ)到驗(yàn)證全鏈條。

國(guó)際舞臺(tái)，中國(guó)發(fā)聲漸強(qiáng)，科技競(jìng)爭(zhēng)中站穩(wěn)腳跟。光刻機(jī)只是一環(huán)，整體半導(dǎo)體生態(tài)構(gòu)建加速。

未來(lái)，中國(guó)將在更多領(lǐng)域展現(xiàn)實(shí)力，打破壟斷格局。

半導(dǎo)體領(lǐng)域，中國(guó)步伐穩(wěn)健，前景廣闊。

參考資料
光刻機(jī)巨頭CEO稱美國(guó)管制將推動(dòng)中國(guó)的技術(shù)研發(fā) 看看新聞