美荷兩國曾同時發(fā)聲，對中國獨(dú)立研發(fā)的光刻機(jī)技術(shù)給予了強(qiáng)烈批評

2024年9月，中國工信部發(fā)布一份年度重大技術(shù)裝備推廣目錄，把幾款國產(chǎn)光刻機(jī)參數(shù)公開出來，本來是正常產(chǎn)業(yè)推動的事，結(jié)果美荷兩國政府部門很快就有了反應(yīng)，先后表態(tài)表達(dá)強(qiáng)烈不滿。

半導(dǎo)體圈子里很多人看到，技術(shù)自主這條路走得越實(shí)，外界壓力就來得越直接，競爭從來不只是設(shè)備本身的事。

目錄發(fā)布前后美荷兩國的同步表態(tài)

2024年9月工信部發(fā)布的《首臺（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024年版）》中，收錄了國產(chǎn)氟化氪和氟化氬光刻機(jī)。氟化氬光刻機(jī)參數(shù)為193納米波長，分辨率65納米以下，套刻精度8納米以內(nèi)。這些數(shù)據(jù)反映出國產(chǎn)DUV光刻機(jī)已經(jīng)從實(shí)驗室走向推廣階段。

目錄上線后，美國商務(wù)部和荷蘭經(jīng)濟(jì)事務(wù)部幾乎同時發(fā)聲，對中國獨(dú)立研發(fā)光刻機(jī)技術(shù)提出強(qiáng)烈批評。美方提到研發(fā)速度可能擾亂全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)公平競爭秩序，還暗示部分技術(shù)存在知識產(chǎn)權(quán)隱患。

荷蘭方面指出獨(dú)立研發(fā)可能影響供應(yīng)鏈穩(wěn)定，同時重申繼續(xù)執(zhí)行對華出口管制政策。兩國表態(tài)重點(diǎn)放在宏觀層面，內(nèi)容相似，行業(yè)內(nèi)認(rèn)為這是經(jīng)過協(xié)調(diào)的回應(yīng)。同期荷蘭9月6日宣布擴(kuò)大ASML部分DUV光刻機(jī)出口許可要求，美國也更新相關(guān)規(guī)則，批評聲音和管制調(diào)整基本同步。

出口管制背景下的國產(chǎn)設(shè)備實(shí)際進(jìn)展

美荷兩國從2019年起限制ASML EUV光刻機(jī)對華出口，2023年進(jìn)一步把主流DUV設(shè)備納入管制，2024年9月前后又調(diào)整細(xì)則增加許可要求。這些措施讓中國企業(yè)采購先進(jìn)設(shè)備遇到更多困難。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要穩(wěn)定供應(yīng)鏈，自主研發(fā)就成了重點(diǎn)方向。

上海微電子裝備從早期布局，實(shí)現(xiàn)了28納米DUV光刻機(jī)的樣機(jī)測試和批量交付。中芯國際等企業(yè)在成熟制程產(chǎn)線上使用國產(chǎn)設(shè)備，芯片生產(chǎn)保持穩(wěn)定。目錄發(fā)布后，2025年上海微電子裝備接到新訂單，一臺步進(jìn)掃描式光刻機(jī)以約1.1億元成交，用于重點(diǎn)科研單位產(chǎn)線。

配套光源和光刻膠企業(yè)也同步提升，產(chǎn)業(yè)鏈配套率逐步提高。整體看，外部管制沒有擋住國內(nèi)設(shè)備的應(yīng)用步伐，反而讓產(chǎn)業(yè)更注重核心技術(shù)掌握。

星空科技布局與光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)長遠(yuǎn)意義

星空科技繼續(xù)投入半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域，2025年入主中旗新材后，重點(diǎn)推動材料與裝備協(xié)同。團(tuán)隊規(guī)劃產(chǎn)能擴(kuò)張，涵蓋更高水平封裝光刻機(jī)，年產(chǎn)目標(biāo)按計劃推進(jìn)。基地建設(shè)穩(wěn)步進(jìn)行，預(yù)計2026年形成穩(wěn)定輸出。國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈配套能力在提升，中芯國際等企業(yè)批量使用國產(chǎn)設(shè)備，產(chǎn)品進(jìn)入市場流通。全球半導(dǎo)體市場供應(yīng)來源增多，多元化趨勢明顯。

中國光刻機(jī)研發(fā)堅持自主路徑，在成熟制程上已經(jīng)站穩(wěn)腳跟。光刻機(jī)從早期100納米突破到如今材料裝備融合，一直在實(shí)打?qū)嵧七M(jìn)。產(chǎn)業(yè)格局向多元方向發(fā)展，核心技術(shù)自主可控成為長期保障。