艾邁斯歐司朗發布光互連Micro?LED陣列

3月18日，光學解決方案供應商艾邁斯歐司朗（ams OSRAM）宣布，其成熟的EVIYOS Micro LED技術已成功拓展至下一代AI光互連領域。艾邁斯歐司朗展示了具備超低功耗且支持高速傳輸的Micro LED陣列原型，并表示公司正穩步推進至產品開發階段。

艾邁斯歐司朗首席執行官Aldo Kamper表示，通過EVIYOS技術，公司已在汽車前照燈領域實現高像素化Micro LED陣列的規模應用。目前，艾邁斯歐司朗正利用在EVIYOS技術上的專業積累，解決AI服務器機架內外數據鏈路的能效挑戰。

Micro LED陣列與光電二極管接收器集成至AI數據中心高帶寬數據傳輸解決方案的概念（來源：艾邁斯歐司朗）

面對AI數據中心的能效需求，新型Micro LED陣列原型采用了專利外延堆棧技術，測試數據顯示，該器件的截止頻率超過1GHz，而每比特能耗低于2pJ。

據悉，艾邁斯歐司朗的EVIYOS技術是全球首款規模量產的汽車級Micro LED發射器陣列，EVIYOS集成了25600個可獨立尋址的像素，每個像素的寬度僅約為人類頭發的一半。

在光互連的應用中，Micro LED陣列的制造工藝與汽車矩陣發射器類似，主要區別在于，EVIYOS使用整體式陣列，而數據中心應用則使用切分的單體Micro LED。發射器從晶圓上切割后安裝在基板上，使每個器件都能耦合到多芯光纜中獨立的垂直通道，之后，該基板可集成到目標CMOS晶圓上實現系統級整合。

憑借極小的占用空間，基于Micro LED的轉接器可以實現極高的帶寬密度。單個發射器在全長10米的鏈路上，支持每通道大于或等于3.0 Gbit/s的數據傳輸速率，且能耗低于2pJ/bit，同時滿足行業標準中低于10的負15次方的比特誤碼率要求。

光互連Micro LED制造技術（來源：艾邁斯歐司朗）

與傳統超高頻激光傳輸相比，這種以數百個并行通道替代單路超高速線路的“低速寬帶”架構為AI基礎設施帶來了多重優勢。

首先是可靠性，系統可包含冗余通道，允許在不影響整體功能的情況下更換故障發射器。其次是效率，這種架構顯著降低了功耗和發熱，為數據中心運營商提供了寶貴的散熱空間。最后是簡潔性，Micro LED光互連本質上是并行的，消除了傳統方案中復雜且昂貴的串行/解串步驟。

隨著EVIYOS基礎技術成功適配數據通信市場需求，艾邁斯歐司朗正迅速過渡到產品開發階段，繼續向公司“數字化光子學”戰略轉型的方向發展。

LEDinside整理

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