【簡訊】英特爾酷睿300系列Wildcat Lake規格曝光；REDMI K90至尊版入網…

REDMI K90至尊版入網

日前，有數碼博主透露，REDMI K90系列新成員入網，型號為2604FRK1EC。結合其透露的信息及此前多方爆料來看，該機預計為REDMI K90至尊版，有望本月發布。

核心配置上，REDMI K90至尊版將搭載天璣9500芯片，為了充分釋放芯片有的潛力，該機還將引入主動散熱風扇，這也將成為小米首款配備主動散熱的機型。相較傳統被動散熱方案，主動風扇在散熱效率上更具優勢，有望帶來更持久、穩定的高性能輸出。

續航方面，REDMI K90至尊版內置8500mAh±超大電池，搭配100W有線快充，兼顧長續航與快速回血能力。

其他配置上，該機采用包括165Hz高刷新率屏幕、2D視覺四等邊設計、定制調音對稱雙揚聲器、超聲波指紋識別以及IP68級防塵防水等。

JEDEC計劃放寬HBM高度限制

據TrendForce報道，隨著HBM的迭代及性能要求的提升，JEDEC固態技術協會考慮再次放寬HBM的高度限制，可能提高至900微米。這是未來緩解存儲器制造商的生產瓶頸，支持下一代HBM產品更快地進入大規模生產，不但能降低成本，還能提升良品率。

目前無論是三星的TC NCF技術還是SK海力士的MR-RUF技術，都是使用凸塊實現層與層之間的連接。要實現更多層數的堆疊，厚度必然會繼續增加，現有的技術在原限定高度下很難實現這樣的操作。混合鍵合技術不需要凸塊，通過板載芯片和晶圓直接鍵合，讓層與層之間更加緊密，以減少封裝厚度。不過混合鍵合技術尚未完全成熟，而且相比現有的鍵合技術過于昂貴。

如果將HBM的高度要求放寬，那么利用現有技術就能支持更多層數。

不過業界普遍認為，最終存儲器廠商都不可避免地引入混合鍵合技術，這對于20層或以上的堆疊至關重要。JEDEC固態技術協會改變HBM的高度限制要求，一方面為混合鍵合技術爭取到了更多的開發時間，另一方面也是為了加快下一代HBM的商業化進程。

英特爾酷睿300系列Wildcat Lake規格曝光

近日，國外有網友曝出英特爾了即將要推出的Wildcat Lake處理器的型號與具體規格，處理器的陣容包括六個型號，囊括酷睿7、酷睿5和酷睿3三個檔次的產品，所有產品的基礎功耗都是15W，最大睿頻功耗35W，酷睿7和酷睿5的型號均配備兩個P核與四個LP E核，兩組Xe核心的核顯，而酷睿3型號就只有一個P核與4個LP E核，核顯也只有一組Xe核心。

最高規格的酷睿7有兩個型號，分別是酷睿7 360和酷睿7 350，兩者的頻率其實是一樣的，P核的單核睿頻4.8GHz，雙核睿頻4.7GHz，而LP E核的最大睿頻3.6GHz，核顯最高頻率2.6GHz，NPU算力17 TOPS，區別在于酷睿7 360支持英特爾SIPP而酷睿7 350不支持。

酷睿5有330、320和315三個型號，前兩個型號頻率一樣，P核單核睿頻4.6GHz，雙核睿頻4.5GHz，LP E核的最大睿頻3.3GHz，而315的P核頻率低了200MHz，LP E核則低了100MHz，GPU與NPU頻率也要低一些。

酷睿3只有304一個型號，它的頻率也是所有型號中最低的，它設計的優先考慮能耗而非純粹的多線程性能，以適應邊緣計算和物聯網部署中常見的散熱限制。NPU算力并不高，但對于工業或自動化環境中的設備端推理來說可能綽綽有余。

OPPO Find X10 Ultra今年不會上市

近日，OPPO Find系列產品負責人卓世杰針對網絡上關于OPPO Find X10 Ultra的上市傳聞作出明確回應，確認該機型2026年全年不會上市，并提醒消費者不要輕信相關不實信息。

OPPO當前旗艦重心為Find X9 Ultra，該機發布會已正式定檔2026年4月21日，在成都舉辦OPPO與哈蘇影像新品聯合發布會，同期還將推出Find X9s Pro。

作為核心影像旗艦，Find X9 Ultra全球首發哈蘇10倍光變天眼長焦鏡頭，采用首創5反射棱鏡結構，支持10倍原生光學變焦、20倍光學品質變焦，最高可達120倍數碼變焦。搭載AOA主動光學校準技術，通過三次中心校對提升光軸精度，搭配云臺級OIS光學防抖，保障長焦成像穩定。該機還配備定制JNL 5000萬像素融合式傳感器，配合LUMO超像素引擎，可實現遠距離高清拍攝。

同場發布的Find X9s Pro將搭載哈蘇雙2億像素系統，包含2億像素大底主攝與2億像素大底長焦，是Pro檔位中唯一雙2億像素機型。

三星、SK海力士加大在華投資

為了有效應對全球存儲市場的短缺危機，韓國兩大芯片巨頭三星電子與SK海力士不約而同地選擇了加大對中國工廠的投入。據韓國媒體最新披露，這兩大巨頭已確定在2025年繼續擴大在華投資規模。

根據兩家公司提交的年度報告顯示，三星電子2025年計劃向西安芯片工廠注資4654億韓元，約合3.04億美元，同比漲幅高達67.5%。西安工廠作為三星的重要生產基地，其產能升級對全球存儲市場至關重要。

SK海力士的投資力度更為驚人，其位于江蘇無錫的工廠在2025年將獲得5811億韓元的投資，同比實現翻倍增長。同時，其遼寧大連工廠也將獲得4406億韓元的注資，較2024年增長超過五成。

目前，三星正致力于將西安工廠的主力工藝進行全面代際升級。上月底，該工廠已成功實現第八代V-NAND閃存的量產。此舉旨在精準滿足人工智能服務器及超大規模數據中心對高容量存儲芯片的迫切需求。

SK海力士目前已向無錫和大連工廠累計投入超過1萬億韓元，這些資金將專項用于DRAM和NAND生產工藝的迭代更新，以確保其在華產能能夠緊跟全球最前沿的技術標準。

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