ETF風向標｜營收增長341%！存儲芯片龍頭業績爆發

佰維存儲公告稱，2026年第一季度實現營業收入68.14億元，同比增長341.53%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為28.99億元，同比扭虧為盈。業績變動主要系本期業績大幅增長，主要受益于AI算力爆發，存儲行業進入高景氣周期，市場需求旺盛推動產品價格持續上漲。

受此消息催化，科創芯片ETF(588290)上漲0.5%，成分股中船特氣上漲7.2%，芯源微上漲4%，峰岹科技上漲3.5%，聯蕓科技上漲3.01%，納芯微上漲2.43%。拉長時間看，截至上一個交易日收盤，科創芯片ETF(588290)近1周累計上漲5.15%。

熱點解讀

當前，存儲行業進入新一輪景氣周期，DRAM合約價（芯片供應商與客戶之間簽訂的長期供應合同中的價格）預計2026年第一季度季增90%至95%，第二季度漲價已提前鎖定，再漲約30%。TrendForce數據顯示，第二季度DRAM合約價將季增58%至63%，NAND Flash合約價則季增70%至75%。Micron財報顯示，DRAM業務營收同比增長207%，環比增長74%，產品ASP環比上漲約65%；NAND Flash業務營收創歷史新高，環比增長82%，產品ASP環比上漲75%～79%。

漲價背后，存儲芯片產能供應持續吃緊。大型AI數據中心建設需求激增，促使科技公司大量囤積存儲芯片，導致整個行業處于短缺狀態。全球HBM(高帶寬內存)未來3年復合年增長率預計超40%，短缺態勢將持續到2026年以后。Samsung已確認正在開發第八代高帶寬內存HBM5，核心底層芯片將采用2nm工藝打造。

為匹配市場需求，Micron上調資本開支規劃，2026財年資本支出預計超250億美元，2027財年將繼續大幅增長，重點投向HBM及DRAM產能建設。2026年資本支出重點將轉向制程技術升級與混合鍵合等先進工藝的導入，位元供給增長幅度有限，供不應求的市場狀態或將持續全年。Samsung與NVIDIA合作深化，后者新款AI推理芯片已委托三星晶圓代工事業部負責生產。

國產存儲也在加速發展，長鑫存儲已正式推出LPDDR5X產品，長江存儲三期建設正邁向100%設備國產化目標。CBA+4F2在制程節點壓力以及混合鍵合技術積累加持之下或成為國產存儲彎道超車的必由之路。國內利基存儲市場亦將在AI定制化存儲推動下迎來發展良機，長江存儲和長鑫存儲作為國內存儲芯片制造龍頭企業，有望為產業鏈帶來諸多機會。

投資邏輯

存儲行業正迎來新一輪景氣周期，DRAM與NAND Flash合約價格持續上漲，AI算力需求爆發導致產能供應吃緊，全球HBM未來3年復合年增長率預計超40%。存儲原廠如Micron上調資本開支規劃，重點投向HBM及DRAM產能建設，2026年將轉向制程技術升級與先進工藝導入。國產存儲加速發展，長鑫存儲推出LPDDR5X產品，長江存儲三期建設邁向100%設備國產化，CBA+4F2技術或成為國產存儲彎道超車路徑，國內利基市場在AI定制化存儲推動下迎來發展良機。（聲明：以上信息僅供參考，不構成投資建議。市場有風險，投資需謹慎。）