蹭熱度三哥是專業的：印度要造1納米以下“埃級”芯片！

就在美國和中國在以芯片為核心打科技戰的關頭，印度發了一個大新聞：開發尺寸小于1納米級的“埃級”芯片。

4月21日消息，印度聯合新聞社發布文章表示，印度頂尖研究機構印度科學研究所（IISc）的30名科學家團隊聯合向政府提交了一份開發“埃級”芯片的議案，旨在開發一種使用新型半導體材料（稱為二維材料）的技術，該技術可使芯片尺寸縮小至目前全球生產的最小芯片尺寸的十分之一，并鞏固印度在半導體領域的領先地位。

1納米等于1000埃米，進入埃米級尺度，差不多到了單原子級別。現在硅基半導體，最先進生產工藝發展到3nm，僅三星、臺積電、英特爾有能力進行生產，芯片第一生產大國中國大陸也僅只能勉強造出7nm的芯片。

而在半導體制造方面嚴重依賴外國的印度突然表現出它們的雄心壯志，要把這些牛人都干趴！

實際上三哥的“科學家”不是第一次提出這個宏偉藍圖的。早在2022年4月，印度科學研究所（IISc）就提過一份詳細的項目報告，同年10月它們修過后再次提交了，IISc希望用石墨烯和過渡金屬二硫化物等超薄材料來開發二維半導體。

所謂二維材料是指電子僅可在兩個維度的非納米尺度（1-100nm）上自由運動（就是平面運動）的材料，如納米薄膜、超晶格、量子阱。

石墨烯二維材料的起源與發展

石墨烯是一種天然的半金屬二維材料，它最早由英國曼徹斯特大學物理學家安德烈·蓋姆和同事諾沃肖洛夫通過撕粘在石墨上的膠帶獲得。

蓋姆用過的膠帶現在收藏在瑞典諾貝爾博物館

我嚴重懷疑三哥會利用印度龐大的人口優勢，給印度人都發膠帶來生產石墨烯，要不然再大的腦洞也無法解釋，三哥如何突破由中國、美國、韓國、日本把持了66%的生產專利技術限制。

在三哥這個報告之前，二維材料就引起了廣泛關注。歐洲已投資超過10億美元（約合830億盧比），韓國投資超過3億盧比，中國和日本等國家也對基于二維材料的半導體研究進行了大規模但未公開的投資。

今年3月，我國科學院物理研究所/松山湖材料實驗室通過原子級制造的范德華擠壓技術，制備出原子極限厚度的各種二維金屬。而且實驗設備價格已經降到了幾萬元的水平，可以得到鉍、錫、鉛、銦、鎵等的單原子層金屬。

單層二硫化鉬封裝的二維金屬鉍

我國的二維半導體材料與場效應晶體管（FET）已經于去年9月搭載在“實踐十九號”衛星上，被安置在衛星艙壁與防隔熱層之間，直接暴露于太空強輻射以及發射/回收階段的強烈振動沖擊等復雜環境中，以驗證二維過渡金屬硫族化合物（TMDCs）材料的在軌適應性。

而印度在二維材料方面，可以說是默默無聞，也不知是誰給他們的勇氣要率先突破“埃級”芯片的？更不要說在世界芯片生產領域毫無地位的印度，如何鞏固它們的“領先地位”？