1、公司介紹
杭州士蘭微電子股份有限公司是中國內地規模最大的集成電路芯片設計與制造一體化(IDM)企業之一。公司立足于功率半導體(功率IC、功率模塊和分立器件)、智能傳感器(MEMS)與模擬電路等核心領域,通過持續投入芯片制造產能建設,構建了從芯片設計、制造到封裝測試的完整產業鏈。公司正從消費類市場向工業控制、汽車電子等高端應用領域加速轉型,致力于成為世界級的半導體產品供應商。
2、里程碑 (1997-2025)
1997年9月 :公司正式成立,專注于芯片設計業務
2000年1月 :建成第一條芯片制造中試線
2001年1月 :杭州士蘭集成電路有限公司成立,專注于BCD工藝和分立器件芯片制造
2003年3月 :在上海證券交易所上市(股票代碼:600460)
2005年6月 :承擔國家"863"計劃課題,研發高壓BCD工藝
2010年9月 :8英寸芯片生產線項目啟動籌備
2015年12月 :與廈門市海滄區政府簽署協議,合作建設12英寸芯片制造生產線和先進化合物半導體生產線
2017年10月 :杭州士蘭集昕8英寸芯片生產線正式投產
2018年3月 :廈門士蘭集科12英寸芯片生產線及廈門士蘭明鎵化合物半導體生產線項目正式開工建設
2020年7月 :廈門12英寸生產線實現通線并投產
2021年5月 :廈門12英寸線產能持續爬升,公司宣布定增募資,加碼汽車級和工業級功率模塊和功率IC研發
2022年9月 :廈門12英寸線實現月產4萬片目標,廈門士蘭明鎵化合物半導體器件生產線投產
2023年11月 :公司產品在光伏逆變、新能源汽車、工業控制等高端市場取得突破性進展
2024年3月 :宣布啟動"汽車電子芯片研發及產業化項目"
2024年12月 :廈門12英寸生產線月產能突破6萬片
2025年6月 :新一代SiC功率模塊實現量產,獲得多家新能源汽車廠商訂單
2025年9月 :宣布在杭州建設新的研發中心,聚焦第三代半導體技術
2025年10月 :宣布在廈門新成立一家子公司,建設一條12英寸的模擬芯片制造線,規劃產能4.5萬片/月
3、業務重組與戰略投資 (2001-2025)
[設立] 2001年1月 :成立杭州士蘭集成電路有限公司,進軍芯片制造領域,實現從設計向IDM模式的轉型
[設立] 2010年5月 :成立成都士蘭半導體制造有限公司,布局西部市場
[合資] 2015年12月 :與廈門市海滄區政府合作,合資設立廈門士蘭集科微電子有限公司(負責12英寸芯片生產線)和廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司(負責化合物半導體器件)
[投資] 2017年10月 :對旗下制造子公司持續增資,擴大8英寸和12英寸芯片制造產能
[投資] 2021年5月 :通過定增募集資金,重點投向"汽車級和工業級功率模塊和功率IC研發及產業化項目"
[投資] 2022年9月 :加大對廈門士蘭明鎵的投資,加快SiC功率器件等第三代半導體產品的研發與量產進程
[合作] 2023年8月 :與多家汽車零部件供應商建立戰略合作,推進車規級芯片認證
[投資] 2024年3月 :啟動新一輪產能擴張計劃,投資建設新的功率半導體封裝測試基地
[合作] 2025年1月 :與國際半導體設備供應商達成戰略合作,引進先進制造工藝
士蘭微的產品線圍繞功率半導體、智能傳感器和模擬電路三大核心構建,并持續向高門檻、高附加值領域拓展。
功率半導體 :公司核心業務,營收占比持續提升
功率IC :包括AC-DC、DC-DC、LED驅動電路、IPM(智能功率模塊)等,廣泛應用于家電、工業電源、汽車電子
功率分立器件 :包括IGBT、MOSFET、SBD、FRD等,在新能源汽車、光伏逆變器領域市場份額顯著提升
功率模塊 :IPM模塊、IGBT模塊、SiC模塊,在白電、工控、新能源汽車領域實現批量供貨
MEMS傳感器 :包括麥克風、加速度計、壓力傳感器等,持續拓展工業級應用
模擬電路 :包括電源管理芯片、音頻放大器等,產品線不斷豐富
第三代半導體 :SiC功率器件、GaN射頻器件已實現量產并推向市場
士蘭微是國內少數擁有自有芯片制造產能的IDM企業,其制造能力是公司的核心競爭優勢。
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杭州基地 :
士蘭集成(5/6英寸) :工藝覆蓋1.0μm至0.13μm,專注于高壓BCD工藝、分立器件工藝和MEMS工藝,持續進行技術改造升級
士蘭集昕(8英寸) :月產能穩定在5.5萬片以上,主要生產高壓BCD、超薄片槽柵IGBT、超結高壓MOSFET等特色工藝芯片
士蘭集昕(12英寸) :2022年功率器件比較景氣的時候,改造了一些產能出來,具體哪層沒有更多信息
成都基地 :
成都士蘭 :持續擴大封裝測試產能,新增汽車級功率模塊生產線
廈門基地(戰略重心) :
士蘭集科(12英寸) :公司最先進的制造平臺,主要生產MOSFET、IGBT、高壓IC等產品。截至2025年9月,月產能已達7萬片,工藝技術提升至65納米
士蘭明鎵(化合物半導體) :SiC功率器件產線已實現規模化量產,GaN射頻器件產線完成工藝驗證,開始小批量生產,4英寸 6英寸都有,產能折合成了4英寸
士蘭集宏:8英寸SiC產線,一期3.5萬片,二期2.5萬片,合計6萬片
士蘭集華:最新公告的,準備再投資200億,建設一條更先進的模擬 邏輯12英寸產線,規劃產能,4.5萬片。
研發體系 :
在杭州、上海、廈門設有三大研發中心
2025年啟動建設新的汽車電子芯片研發平臺
與多家高校和研究機構建立聯合實驗室
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