北京
【技術背景】
在5nm技術節點，邏輯縮放面臨關鍵挑戰。邏輯單元面積由金屬間距（MP）、接觸柵極間距（CPP）和軌道高度共同決定。其中，柵極間距決定X維度尺寸，金屬間距與軌道高度決定Y維度尺寸。隨著工藝節點微縮至N7和N5，圖形化技術面臨"懸崖效應"，需要在成本與面積之間進行權衡。
兩種圖形化方案對比
??SAQP（自對準四重圖形化）方案??采用193i光刻技術，通過簡單的線條和切割工藝實現。其優勢包括良好的關鍵尺寸均勻性和可變性控制，金屬均勻性優異，有利于化學機械拋光。然而，該方法需要大量虛擬填充，導致活性網絡與虛擬網絡間耦合電容增加，對功耗性能產生負面影響。在24nm金屬間距下，193i需要4-5層切割掩模，而EUV僅需1層。
??EUV（極紫外）光刻方案??能夠直接打印設計目標意圖，無需虛擬填充，避免了額外的電容問題。但EUV面臨線邊緣粗糙度導致的CDU較差問題，且目前主要適用于24-26nm的一維圖形化。該技術的大規模生產可用性仍是關鍵挑戰。
業界需要同時為EUV和193i解決方案做好準備。SAQP方案可能因虛擬填充帶來的功耗性能影響而受到限制，而EUV的大規模生產時間表將決定其應用進程。設計-技術協同優化變得愈發重要，需要通過硅驗證數據來指導技術路線選擇，最終實現功率、性能和成本的最佳平衡。
文檔基于IMEC在2016年SPIE會議上的發表內容，展示了5nm節點前沿技術研究的初步成果
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