AMD平臺D5內(nèi)存選誰？科摩思承影機(jī)甲CL28低時序首選

前言：

多年前出現(xiàn)一個diy圈子里面出現(xiàn)一種特殊內(nèi)存，叫做AMD專用內(nèi)存，這東西是從利用報廢服務(wù)器內(nèi)存顆粒和AMD平臺的技術(shù)寬容性，以極低的價格滿足了部分老AMD平臺用戶升級或組裝低價主機(jī)的需求。穩(wěn)定性可靠性不高。

真正意義的AMD專用內(nèi)存，其實應(yīng)該是從AM5接口開始，ＡＭＤ出臺的ＥＸＰＯ，與Intel的ＸＭＰ相比，ＡＭＤ的ＥＸＰＯ走的是另外一條路。ＸＭＰ側(cè)重「高頻帶寬釋放」，適配Intel酷睿的緩存架構(gòu)；ＥＸＰＯ側(cè)重「內(nèi)存延遲控制」，貼合AMD Ryzen處理器的內(nèi)存控制器特性。

簡單來說，ＡＭＤ平臺內(nèi)存看重的是時序，而不是頻率。其中，ＤＤＲ５　６０００　ＣＬ２８可以說ＡＭＤ平臺的甜點，今天給大家分享一款來自科摩思的ＣＬ２８高性能內(nèi)存，并且通過測試給大家解答一下，為什么ＡＭＤ平臺更看重低時序。

科摩思總部位于深圳，2011年成立，是一家深耕存儲芯片領(lǐng)域的國家級專精特新小巨人企業(yè)。

一、核心參數(shù)與硬件架構(gòu)

1.顆粒與頻率：海力士 A-die 的超頻基因

承影機(jī)甲全系采用海力士原廠 A-die 顆粒（部分批次為 M-die），這是目前公認(rèn)的超頻性能最強(qiáng)的 DDR5 顆粒之一。以 6000MHz CL28 版本為例，其默認(rèn) XMP/EXPO 頻率下時序為 C28-36-36-73，電壓 1.4V；而 6800MHz 版本則為 C34-45-45-108，電壓 1.45V。實測中，6000MHz 版本可輕松超頻至 8200MHz（C36-48-48-128），讀取速度突破 119GB/s，延遲壓至 55.3ns，較默認(rèn)頻率性能提升 30% 以上。

2.散熱設(shè)計：1.5mm 厚馬甲的效能突破

采用 CNC 切割 + 氧化工藝打造的1.5mm 厚金屬散熱片，實測在8200MHz高頻運行時，內(nèi)存溫度穩(wěn)定在 55℃以內(nèi)（環(huán)境溫度 25℃），較無散熱片產(chǎn)品降溫15℃以上，確保長時間高負(fù)載下的穩(wěn)定性。

3.兼容性與協(xié)議支持：雙平臺一鍵超頻

同時兼容 Intel XMP 3.0 和 AMD EXPO 雙協(xié)議，主流主板（如華碩 Z790、微星 B760M 迫擊炮、AMD X670E）可一鍵開啟預(yù)設(shè)超頻檔位，無需手動調(diào)整參數(shù)。尤其適配 AMD Zen4 架構(gòu)—— 在銳龍 9 7950X 平臺上，6000MHz CL28 版本可穩(wěn)定運行，F(xiàn)CLK 頻率同步至 3000MHz，實現(xiàn)內(nèi)存性能最大化。

二、AMD平臺低時序需求深度解析：為何時序比頻率更關(guān)鍵？

1.架構(gòu)根源：Infinity Fabric 總線的延遲敏感特性

AMD Ryzen 系列處理器的核心互聯(lián)依賴Infinity Fabric（無限結(jié)構(gòu)）總線，這條 “內(nèi)部數(shù)據(jù)高速公路” 的頻率（FCLK）與內(nèi)存控制器頻率（UCLK）、內(nèi)存顆粒頻率（MCLK）存在理想的 1:1:1 同步關(guān)系。當(dāng)內(nèi)存時序過高時，即使頻率達(dá)標(biāo)，也會直接拖慢總線數(shù)據(jù)傳輸效率：

以 Zen4 架構(gòu)的銳龍 9 7950X 為例，搭配 6000MHz CL36 內(nèi)存時，F(xiàn)CLK 雖能同步至 3000MHz，但內(nèi)存延遲高達(dá) 89ns；換用科摩思承影機(jī)甲 6000MHz CL28 版本后，延遲降至 77.7ns，Infinity Fabric 數(shù)據(jù)吞吐效率提升 13%。

若強(qiáng)行追求 7200MHz 高頻但時序放寬至 C40，會導(dǎo)致 FCLK 與 MCLK 被迫切換為 1:2 分頻（FCLK 1800MHz），總線速度腰斬，反而出現(xiàn)游戲掉幀問題。

2.性能瓶頸：AMD 內(nèi)存控制器的優(yōu)化方向

與 Intel 側(cè)重高頻高帶寬的策略不同，AMD 內(nèi)存控制器更追求 “高效能低延遲”。Zen 架構(gòu)內(nèi)存控制器的原生延遲高于 Intel，低時序成為彌補(bǔ)這一差距的關(guān)鍵：

實測對比：在銳龍 7 9800X3D 平臺上，承影機(jī)甲 6000MHz CL28（延遲 76.8ns）較同頻率其他品牌CL34 內(nèi)存（延遲 85.2ns），《CS2》1% Low 幀提升 18%，Blender 渲染速度快 9%。

顆粒優(yōu)勢：海力士 A-die 顆粒的低時序潛力，使其能在 6000MHz 頻率下穩(wěn)定運行 CL26-34 時序，延遲進(jìn)一步壓至 75ns 以內(nèi)，完美契合 AMD 平臺的優(yōu)化需求。

3.EXPO 協(xié)議的適配價值

AMD EXPO 協(xié)議的核心是 “高頻 + 低時序” 的預(yù)設(shè)組合，科摩思承影機(jī)甲的 6000MHz CL28 版本正是為此設(shè)計：

一鍵開啟 EXPO 后，內(nèi)存自動加載優(yōu)化時序與電壓參數(shù)，無需手動調(diào)試即可實現(xiàn) “頻率 6000MHz + 延遲 < 80ns” 的甜點性能。

對比手動超頻：EXPO 預(yù)設(shè)的時序參數(shù)（C28-36-36-73）經(jīng)過原廠驗證，在銳龍平臺的穩(wěn)定性優(yōu)于自行壓縮時序，適合非專業(yè)玩家。當(dāng)然了，一般用戶并沒有時間和能力去滿滿調(diào)試，所以我們直接選擇科摩思的CL28低時序內(nèi)存就省力省心了。

三、性能實測與場景表現(xiàn)

1.理論性能：突破 100GB/s 的讀寫天花板

相比于理論和架構(gòu)分析這些枯燥的文字分析，我們還是更加樂意看到實際數(shù)據(jù)。理論必須有實踐數(shù)據(jù)作為支持，手上的平臺不算強(qiáng)大，但也足夠給大家體現(xiàn)出低延遲帶來的性能提升。

具體平臺如下：

CPU：AMD 7600X

主板：技嘉X760

內(nèi)存：科摩思承影機(jī)甲DDR5 6000 CL28

顯卡：影馳RTX2060 super

科摩思 DDR5 6000支持AMD的EXPO，直接在bios里面打開即可實現(xiàn)CL28低時序。

下面，我們就來看看CL28時序性能。

測試前，我們先來檢測一下科摩思DDR5的工作狀態(tài)。在BIOS里面打開了EXPO后，內(nèi)存工作在6000MHz頻率，時序為28-36-36-73。對于Intel用戶來說，打開XMP也是可以實現(xiàn)這個最佳時序的。

其他方面的信息，我們可以看到，內(nèi)存顆粒來自于海力士，而且還是特挑的A-die顆粒，超頻潛力更強(qiáng)。

下面，我們開始測試，通過基準(zhǔn)測試、游戲測試對比。

1、CPUZ多核多線程基準(zhǔn)測試

CPUZ主要的作用是檢測CPU以及內(nèi)存信息的，里面提供的基準(zhǔn)測試有一定的參考價值，但不多。

CPUZ的多核多線程測試中，C28時序的成績是5886。

1、AIDA64 內(nèi)存性能測試

AIDA64是一個綜合性檢測軟件，而且還是一款內(nèi)存性能測試與輕量級別硬件穩(wěn)定性測試。

AIDA64內(nèi)存測試內(nèi)存內(nèi)存讀取性能，C28時序的成績是63319MB/s。

1、SuperPI 單核浮點性能與內(nèi)存性能測試

雖然是上古的測試軟件，但是嚴(yán)謹(jǐn)性還是足夠的，尤其是對于內(nèi)存頻率、時序變化的測試，還是有非常好的參考意義的。

以前跑百萬位測試的對于內(nèi)存差距體現(xiàn)不會太明顯，我們玩高級一點的。

superPI 八百萬位測試，C28時序的成績是1分3秒735，這個已經(jīng)非常不錯了。

1、3DMARK 圖形、CPU多項性能測試

3DMARK CPU性能測試中，C28時序的成績是7243。

DX11圖形性能測試，C28時序的成績是10758。

1、古墓麗影11 DX12游戲測試

我手上的顯卡只能說和主流的RTX4060差距不大，但畢竟性能有限，而且要體驗內(nèi)存性能的話，低分辨率下面反而明顯一點，畢竟4K分辨率、光線追蹤全開的話，基本上就沒CPU和內(nèi)存的事情了。

同樣的6000MHz頻率下面，C28時序是139幀。

也就是說，在顯卡負(fù)載不高，比方說電競游戲方面，低時序能帶來的游戲幀數(shù)提高也是非常直觀的。

1、黑悟空benchmark

黑悟空這個IP相信就不用介紹了，畢竟這可是給國內(nèi)游戲長臉的事情。在新的3A大作下面，我的顯卡瓶頸就很明顯了，高時序和低時序的幀數(shù)僅僅差了1幀，完全可以忽略。

小結(jié)一下測試，3A游戲大作還是顯卡說了算，低時序帶來的更多是加載、讀檔時候速度提高，幀數(shù)幾乎沒有變化。倒是電競游戲的幀數(shù)提高明顯一點，也更加流暢。

視頻剪輯方面，無論是剪映還是達(dá)芬奇，都能明顯體現(xiàn)到低時序帶來的響應(yīng)速度提高，如果手上有RTX4080級別顯卡的朋友，可能低時序帶來的性能收益會更加明顯。

總結(jié)：

由于AMD平臺的特殊性，低時序?qū)τ谛阅芴嵘募t利高于高頻率。而低時序反而更加難以調(diào)整，畢竟涉及到的是四個小參而不是單純拉頻率。

事實上。現(xiàn)在內(nèi)存超頻已經(jīng)變得不容易，現(xiàn)在的內(nèi)存不大吃電壓，拉高了頻率，要是時序差一樣是白搭。

相比而言，科摩思直接采用特挑海力士顆粒，直接出廠實現(xiàn)低時序的方案更加方便好用。低時序給整機(jī)的性能帶來3%-8%左右的小幅度提升，帶來更高的內(nèi)存帶寬以及更快的響應(yīng)速度。而且由于是出廠調(diào)校的，穩(wěn)定性和可靠性更加高。