【硬件資訊】硬件噩耗

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美光被罵“故意減產抬價”，高管卻喊冤：AI數據中心搶爆內存，晶圓廠擴建要等幾年，根本來不及補貨。內存貴是因為手機電腦都要大容量，但造大容量產量反而少。并且晶圓廠建設周期長、技術門檻高，短期內產能提升受限。不過“

Christopher Moore歡迎市場有新的競爭對手，這樣能讓美光變得更好，幫助其更好地服務客戶。

新 聞2： Counterpoint預計存儲價格會繼續上升，2026年Q1/Q2分別上漲40~50%和20%

近日，行業分析機構Counterpoint Research發布了一份內存月度價格追蹤報告，稱目前存儲市場已進入“超級牛市”階段，市場的行情已經超越了2018年的歷史高點，在AI與服務器需求的持續刺激下，供應廠商的議價能力已經達到歷史最高水平。機構官方預計2026年Q1/Q2的存儲價格將會繼續上漲，漲幅分別為40~50%和20%左右。

圖片來源：Counterpoint Research

Counterpoint Research指出，64GB RDIMM存儲的價格已經從2025年Q3的255美元暴漲至Q4的450美元，按照這個勢頭發展，該容量的存儲價格將在2026年3月進一步攀升至700美元，并在年內有可能會沖擊1000美元的關口。這個價格幾乎是2018年的兩倍。而存儲價格的上漲已經對硬件制造商的物料清單（BoM）成本造成結構性的改變。比如在智能手機領域， 一臺iPhone 17 Pro Max的BoM中，存儲所占的成本比例已經超過10%，比2020年的iPhone 12 Pro Max上漲了8%。至于搭載了16GB–24GB LPDDR5X 內存及 512GB–1TB UFS 4.0 存儲的旗艦機型，這個占比只會更高，可能達到20%甚至更多。

而由于服務器DDR5存儲價格的飆漲，更多存儲芯片廠商已經轉向利潤更高的服務器DDR5存儲生產，LPDDR4 和 eMMC 等老一代技術產品的供應正在快速收縮。同時按照目前生產廠商的預計，雖然2026年DRAM的產量會同比增長24%，但對于目前的供需缺口來說，想要完全滿足AI和服務器需求，仍然需要一定的時間。

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Counterpoint預測存儲價格將持續攀升，2026年Q1/Q2漲幅分別達40%-50%與20%，主因AI及服務器需求激增導致供需失衡。盡管DRAM產能預計增長24%，但短期內缺口仍然難以補上這個缺口。這波等等黨算是大敗而歸。

新 聞3： 臺積電正在重新評估產能分配，將部分45-90nm產線分配給CoWoS等封裝

隨著人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和異構集成架構的需求飆升，除了不斷擴張產能外，臺積電（TSMC）也在加快對現有產能的分配調整，以進一步適配客戶的訂單要求，滿足市場的需求。

據TrendForce報道，臺積電正在重新評估產能的分配問題，打算將部分45nm至90nm成熟制程節點的產線分配給CoWoS-L和CoPoW等先進封裝。臺積電暫時還沒有發布正式公告，不過考慮到全球范圍內有非常多可以提供相關產能的代工廠，加上臺積電在成熟制程節點的市場份額占比并不算高，預計短期影響會畢竟有限。

目前成熟制程節點主要集中在汽車、工業和消費電子應用領域，異構集成架構正迅速重塑其角色。隨著人工智能和高性能計算應用主導了芯片設計，先進封裝已成為關鍵因素。為此臺積電加強了40nm和65nm產能配置，以支持硅中介層和先進封裝硅橋等關鍵結構的生產。

接下來臺積電可能會對其6英寸和8英寸晶圓廠的產能布局進行調整，未來12至24個月內，個別8英寸晶圓廠可能會支持封裝和測試產線。臺積電在中國臺灣地區的大部分8英寸晶圓廠集中在新竹，靠近采用2nm制程節點生產的寶山Fab 20。如果能改造成封裝和測試產線的一部分，將更好地支援前沿制造基地。

隨著削減成熟制程節點的產能，臺積電還考慮將一些生產設備轉移到子公司世界先進位于新加坡的12英寸晶圓廠，同時也會將部分高端電源管理芯片訂單一起轉過去，為2/3nm芯片生產騰出更多空間。

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臺積電調整成熟制程產能，轉向CoWoS等先進封裝（

CoWoS

Chip-on-Wafer-on-Substrate

）是一種先進的

2.5D封裝技術

，通過將

處理器芯片

高帶寬內存

HBM

）等組件集成在同一

硅中介層

上，實現高密度集成。?

新聞4：什么意思？年后還要漲50%？

黃金又漲起來了？但現在唱衰的聲音也有。

內存嘛，一直都在波動。

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