從30A到140A，十四家廠商主流DrMOS產品盤點

前言

在AI算力持續擴張的帶動下，數據中心的供電需求正進入更高功率以及更高布局密度密度新階段，單機柜功耗不斷上探。與此同時，功率半導體廠商也在把AI數據中心供電作為明確的增量方向加大投入，AI數據中心相關電源與功率器件的需求增長正在重塑行業相關資源分配。

在在實際供電設計層面，CPU、GPU以及加速卡對瞬態響應、效率的要求同步提升，使得功率級集成成為更現實的選擇。而DrMOS技術徹底改變了傳統板卡供電設計思路。在傳統方案中，上下管MOSFET與驅動IC獨立放置，不僅占用較大PCB空間，還因寄生參數帶來轉換效率下降的問題，尤其在應對 CPU、GPU 等高功率需求時表現不佳。DrMOS則將驅動器與MOSFET集成于一體，大幅降低寄生效應，整體占板面積僅為傳統設計的四分之一，在提升功率密度的同時兼顧效率與穩定性。

如今，DrMOS已被廣泛應用于AI數據中心以及個人PC等高性能設備，為消費級、數據中心等場景提供高效緊湊的供電解決方案，推動設備向高性能、小型化與節能化方向持續演進。

多家廠商相繼推出DrMOS

文中出現的DrMOS如上表所示，下文小編將為您詳細介紹。

ADI亞德諾

LTC7051

LTC7051是一顆采用LQFN 5×8mm的DrMOS，支持140A峰值輸出電流，采用低EMI/EMC Silent Switcher2架構，低SW電壓過沖，頻率高達2MHz，VIN高達14V，1MHz時效率高 94%，并具有1.8VOUT，芯片內集成升壓二極管和電容器以及電源開關。

AOS萬國半導體

AOZ52177QI

AOZ52177QI是一款通用型智能功率級，支持70A持續輸出電流，包含兩個非對稱的MOSFET和一個集成驅動器，適用于高電流、高頻率的DC-DC轉換器。AOZ52177QI提供輸出電流信號 (IMON)，能以5mV/A的增益實時報告模塊電流。IMON 信號可直接用于多相電壓調節系統中，替代電感 DCR 檢測或電阻檢測，無需溫度補償。

此外，AOZ52177QI還配備精準的模塊溫度監測功能 (TMON)，TMON 是一種電壓源信號，增益為8mV/°C。其MOSFET經過單獨優化，適用于同步降壓配置。高端 MOSFET 旨在實現低電容和低柵極電荷，以快速切換并支持低占空比操作；低端 MOSFET 具有超低導通電阻，可最大限度地降低傳導損耗。標準的QFN封裝經優化設計，可最小化寄生電感，從而實現最小的電磁干擾 (EMI) 簽名。

AOZ53071QI

AOZ53071QI是一款高效同步降壓功率級模塊，支持80A持續輸出，包含兩個不對稱的 MOSFET和一個集成驅動器。這兩個 MOSFET 分別針對同步降壓配置進行了優化。高壓側 MOSFET經優化后具有低電容和低柵極電荷，可實現快速開關和低占空比操作。低壓側 MOSFET具有超低導通電阻，可最小化傳導損耗。

AOZ53071QI采用 PWM 輸入來精確控制功率 MOSFET，與3V和5V（CMOS）邏輯兼容，并支持三態 PWM。該器件具有多種特性，使其成為一個高度通用的功率模塊。其驅動器中集成了自舉開關。低壓側MOSFET可以被驅動到二極管仿真模式，以提供異步操作并改善輕載性能。其引腳布局也針對低寄生參數進行了優化，將寄生參數的影響降至最低。

AOZ5507QI

AOZ5507QI是一款高效率的同步降壓功率級模塊，支持30A電流持續輸出，它由兩個不對稱的MOSFET和一個集成驅動器組成。這些MOSFET分別針對同步降壓配置進行了優化。高邊MOSFET經過優化，能夠實現低電容和低柵極電荷，從而在低占空比操作下實現快速開關。低邊MOSFET具有超低導通電阻，以盡量減少導通損耗。

AOZ5507QI使用PWM輸入來精確控制功率MOSFET的開關活動，與5V（CMOS）邏輯兼容，并支持三態PWM。AOZ5507QI提供了多種功能，使其成為一個高度通用的功率模塊。驅動器中集成了自舉開關。低邊MOSFET可以被驅動進入二極管仿真模式，以提供異步操作并提高輕載性能。此外，引腳布局也針對低寄生效應進行了優化，將這些效應降至最低。

1、AOS多顆DrMOS被全球知名顯卡品牌采用并量產出貨！

AOZ5517MQI

AOZ5517MQI是一款高效率的同步降壓功率級模塊，支持60A持續輸出，包含兩個不對稱的MOSFET和一個集成驅動器。這些MOSFET針對同步降壓配置進行了單獨優化。高壓側MOSFET經過優化，可實現低電容和低柵極電荷，以實現快速切換和低占空比操作。低壓側MOSFET具有超低導通電阻，可最小化傳導損耗。緊湊的QFN封裝可最小化寄生電感，從而實現極低的電磁干擾(EMI)特性。

AOZ5517MQI支持PWM和/或FCCM輸入，可實現對功率MOSFET切換活動的精確控制，與5V CMOS邏輯兼容，并支持三態PWM。AOZ5517MQI驅動器中集成了自舉二極管。低壓側MOSFET可以被驅動進入二極管仿真模式，以提供異步操作并提高輕載性能。引腳布局也針對低寄生參數進行了優化，將其影響降至最低。

AOZ5653BQI

AOZ5653BQI是一款高效率同步降壓功率級模塊，支持40A電流持續輸出，由兩個不對稱MOSFET和一個集成驅動器組成。MOSFET經過單獨優化，適用于同步降壓配置。高側MOSFET優化為低電容和柵極電荷，以實現低占空比操作下的快速開關。低側MOSFET 具有超低導通電阻，以將傳導損耗降至最低。緊湊的QFN可最大限度地減少寄生電感，從而將EMI特征降至最低。可直接替代TDA21240。

AOZ5653BQI采用PWM來精確控制MOSFET的開關，與3.3V邏輯兼容，提供了多項功能，使其成為一款高度通用的電源模塊。驅動器中集成了自舉開關。引腳排列也經過優化，以降低寄生效應，將其影響降至最低。

Aurasemi奧拉

AU4991

AU4991是奧拉推出的一款DrMOS，其將功率MOS柵極驅動器高度集成，用于高功率密度多相同步降壓。器件VIN輸入4.5~16V、可提供90A輸出電流能力，支持3.3V三態PWM 輸入并可實現節能工作模式；最高工作頻率可達2MHz。此外，該芯片集成精準電流報告與精準溫度報告，并內置過流/過溫保護、VDD/VDRV與 VIN欠壓鎖定、高低側短路保護、以及TLVR開路/短路檢測保護等，同時具備故障上報能力，便于與控制器聯動實現更穩健的系統保護策略。而在封裝層面，則采用LGA封裝。

從應用角度看，AU4991主要瞄準服務器、工作站與企業存儲等高電流 POL 供電場景，典型負載包括 CPU/GPU/ASIC/AI芯片的核心電壓軌，以及各類板級電源模塊/多相 VR供電等場景。

AU4992

AU4992同樣是奧拉推出的DrMOS，其將功率MOS柵極驅動器高度集成，用于高功率密度多相同步降壓。器件VIN輸入4.5~16V、可提供90A輸出電流能力，支持3.3V三態PWM 輸入并可實現節能工作模式；最高工作頻率可達1.5MHz。此外，該芯片集成精準電流報告與精準溫度報告，并內置過流/過溫保護、VDD/VDRV與 VIN欠壓鎖定、高低側短路保護、以及TLVR開路/短路檢測保護等，同時具備故障上報能力，便于與控制器聯動實現更穩健的系統保護策略。而在封裝層面，則采用LGA封裝。

從應用角度看，AU4991面向服務器、工作站與企業存儲等高電流 POL 供電場景，典型負載包括 CPU/GPU/ASIC/AI芯片的核心電壓軌，以及各類板級電源模塊/多相 VR供電等場景。

BPS晶豐明源

BPD80350E

晶豐明源推出BPD80350E是一顆16V/50A智能功率級DrMOS，基于過零電流檢測（ZCD）控制與先進封裝技術，實現高頻高效能電源管理。該器件支持NVIDIA OpenVReg16標準，可靈活配置16相雙軌多相控制器，兼容PWMVID/PMBUS/AVSBUS協議，并通過NVM存儲實現多模式參數預設。內置智能保護機制包含周期性過流檢測、MOSFET短路保護及過溫關斷功能，同時提供引腳可編程過流閾值與故障指示輸出，強化系統可靠性。

該芯片采用TLGA 5×5緊湊封裝，適配空間受限的高密度電源場景（如AI加速卡、GPU供電模塊），功率密度較傳統方案提升30%以上。其高頻開關特性結合多相動態分配算法，可有效降低紋波噪聲，滿足高性能計算設備對瞬態響應與能效的嚴苛需求，為智能電源系統提供高集成度、強魯棒性的硬件解決方案。

BPD80690

晶豐明源DrMOS BPD80690，廣泛適用于4.5V-16V輸入電壓范圍，90A DC電流，工作頻率可高達1.5MHz。滿足高瓦數、高效能和高功率密度芯片供電需求，實現高頻小型化供電方案，在熱性能和EMI性能上表現優異。同時BPD80690集成溫度檢測功能，電流檢測功能及多種保護功能，包括過流、過溫保護等功能。同時，BPD80690提供TLGA 5×6mm封裝，適用于高頻、大電流、小形態DC/DC轉換器、用于CPU、GPU和存儲陣列的多相電壓調節器等多種高頻、高功率密度的供電場景需求。

EINNO艾諾

ES5131

艾諾ES5131是一款智能功率級芯片，內部將半橋功率MOSFET與柵極驅動單片集成，器件輸入電壓范圍4.25~16V，VCC/VDRV供電范圍4.25–5.5V，輸出電壓范圍0.25–5.5V；支持70A 連續輸出電流，并具備90A峰值限流與鎖存式過流保護。開關頻率最高可到2MHz，兼容3.3V 三態 PWM 輸入；提供5μA/A 高精度電流上報與模擬溫度輸出，同時集成VCC/VDRV UVLO、引導自舉UVLO、過溫關斷、深度休眠省電與故障告警等功能。另外，該芯片的封裝為LQFN 5×6，且無需外置自舉電容。

在應用層面，ES5131可用于CPU、內存的VRM 功率級、服務器系統中的高電流母線/負載點供電軌，以及交換機、基站等通信基礎設施設備的高電流降壓電源。對于需要“高電流 + 高頻小型化 + 可測可管”的電源設計，它把功率器件、驅動與電流/溫度遙測集成到一個器件里，能明顯簡化控制器外圍。

ES5132

ES5132是一顆智能功率級芯片，內部把半橋功率MOSFET與柵極驅動集成，面向高電流、高頻DC-DC Buck優化死區時間與環路寄生，從而提升效率與功率密度。其輸入電壓范圍4.25~16V，VCC/VDRV供電 4.25–5.5V，輸出電壓范圍0.25~5.5V；支持70A連續輸出電流， 90A峰值樹池。最高開關頻率可達 2MHz，兼容 3.3V 三態 PWM 輸入；差異點在于它提供5mV/A的 MOSFET 電流模擬上報，同時還有 PTAT 溫度模擬輸出，并集成VCC/VDRV UVLO、引導自舉UVLO、過溫關斷、深度休眠省電與故障告警等功能。另外，該器件封裝為LQFN 5×6，且無需外置自舉電容。

在實際應用層面，ES5132可在CPU、內存等VRM多相供電、服務器系統的高電流中間母線/負載點電源軌，以及通信基礎設施設備中的高功率密度降壓電源等諸多場景應用。

Infineon英飛凌

TDA22590

TDA22590是一顆集成功率級芯片，內置一個低靜態電流同步降壓柵極驅動IC，該IC與控制器和MOSFET一起嵌入到PG-UFLGA-34-1的封裝中。內置成對的柵極驅動器和MOSFET組合能以更低的輸出電壓實現更高的效率，滿足高端CPU、GPU和DDR存儲器的供電要求，最高可輸出90A電流。

TDA21590

TDA21590集成功率級芯片包含一個低靜態電流同步降壓柵極驅動器IC，該IC與控制電路和MOSFET以及有源二極管結構共同封裝于PQFN 5×6的單顆芯片，反向恢復電荷極低。該封裝針對PCB布局、散熱、驅動器/MOSFET 控制時序進行了優化，在遵循布局準則的情況下，開關節點振鈴更小。成對的柵極驅動器和MOSFET組合能以更低的輸出電壓實現更高的效率，滿足 CPU、GPU和DDR存儲器設計的要求，最高可輸出90A電流。

TDA21570

英飛凌TDA21570是一顆70A的集成功率級內置一個低靜態電流同步降壓柵極驅動器IC，并結合了控制電路、MOSFET以及有源二極管結構，可實現類似肖特基二極管的低VSD，且反向恢復電荷極低。該封裝針對PCB 布局、傳熱、驅動器/MOSFET控制時序進行了優化，在遵循布局準則的情況下，開關節點振鈴最小。成對的柵極驅動器和MOSFET組合可在較低的輸出電壓下實現更高的效率，滿足CPU、GPU和DDR存儲器設計的需求。

TDA21535

TDA21535集成功率級包含一個低靜態電流同步降壓柵極驅動器IC，該IC與高壓側和低壓側 MOSFET以及有源二極管結構共同集成在PQFN 4×5封裝內，可實現類似肖特基的低Vsd值，且反向恢復電荷極低。該芯片與英飛凌多相控制器IC配合使用時，可構成一個完整的低電壓、高功率DC/DC穩壓器，最高可輸出35A電流，適合CPU、GPU、服務器、DDR內存等多種場景應用。

TDA21520

TDA21520集成功率級芯片包含一個低靜態電流同步降壓柵極驅動器IC，該IC與高壓側和低壓側 MOSFET 以及有源二極管結構共同封裝，可實現類似肖特基的低Vsd值，且反向恢復電荷極低。TDA21520 功率級與英飛凌多相控制器 IC 配合使用時，可構成一個完整的低電壓、高功率DC/DC穩壓器，最高可輸出20A電流。該芯片可在CPU、GPU穩壓供電、DDR內存供電、通信等諸多領域應用。

IVS長工微

IS6811A

長工微IS6811A 是集成功率 MOSFET 和驅動 IC 的智能功率級，可在3V -22V 寬輸入電壓內提供30A的連續輸出電流，瞬時承載能力超過100A，具備高精度電流與溫度監測，支持過流、過溫保護及故障上報功能。該器件支持100kHz -2MHz 頻率，在芯片瞬態達較高頻率時，仍能保證正常工作，且支持 Standby 模式與過流保護計數功能，可切換 MIN_OFF 時間以實現快速動態響應，是注重高效率和小尺寸多相方案的理想之選。

IS6809A

長工微IS6809A 是內置高/低側功率 MOSFET 與柵極驅動器的智能功率級，在寬輸入電壓內（3V-16V）提供高達70A 的輸出電流，兼具高功率密度與優異的熱性能。支持100kHz —2MHz 開關頻率，通過優化死區控制與低寄生電感設計，顯著提升轉換效率與動態負載響應能力。

IS6809A 支持精確的電流與溫度采樣，可實時監測電感電流與結溫，可接收控制器的三態脈寬調制（PWM）信號，還提供包括過流、短路、過溫在內的多重保護功能及故障報警機制，全面增強系統可靠性。

IS6812A

長工微IS6812A 是內置高/低側功率 MOSFET 與柵極驅動器的智能功率級，可在3V -16V 輸入電壓內提供70A 的連續輸出電流，憑借優化的 MOSFET 設計實現高電流輸出、優異的熱性能和能效表現。該器件支持100kHz - 2MHz 工作頻率及三態脈寬調制（PWM）信號，同時具備精確的電流與溫度監測、警報及完整的保護機制。

IS6816B

長工微IS6816B 是內置高/低側功率 MOSFET 與柵極驅動器的智能功率級，在2.5V –16V 輸入電壓內持續輸出90A，且具備優異能效表現與良好的熱性能。該器件支持高達 1.5MHz 開關頻率，配合優化的 MOSFET 設計與內部電流檢測機制，顯著提升轉換效率與動態響應能力，并有助于實現外圍元件的小型化。芯片支持高精度的電流/溫度監測、警報功能，兼容3.3V 三態 （PWM ）信號，并具備完整的系統保護機制，包括過流、過溫、欠壓鎖定及故障報警，確保系統在高功率密度應用中穩定可靠運行。

IS6821A

長工微IS6821A 是集成高/低側功率 MOSFET 和柵極驅動器的智能功率級，采用4mm x 6mm封裝，在寬輸入電壓范圍提供90A 的連續輸出電流，是高效率、小尺寸的多相應用理想選擇。

得益于優化的 MOSFET，該器件具有優異的電流承載能力、熱性能和能效，支持接收控制器的三態脈寬調制（PWM）信號。其具備完整的保護機制，IMON 引腳能提供5uA/A 增益的高精度的電流檢測信號，TMON 引腳可實時監控內部溫度，并在發生嚴重故障時迅速將信號拉高至3.3V 告警。

JOULWATT杰華特

JWH7030

杰華特JWH7030是一顆集成功率級芯片，內部集成兩個NMOS和半橋柵極驅動器，芯片可以提供30A的輸出電流，將驅動器和MOS管集成能夠優化死區時間和降低集成電感，支持100KHz-1.5MHz開關頻率。芯片支持三態PWM信號，內部集成電流采樣輸出VCC欠壓保護，逐周期過流保護和過熱保護，并具備失效指示，采用QFN3*5-21封裝。

JWH7067

杰華特JWH7067是一顆集成功率級芯片，內部集成兩個NMOS和半橋柵極驅動器，支持3-16V輸入電壓，具備70A輸出電流能力。將驅動器和MOS管集成，提供了高效的低電壓輸出，專為CPU，GPU和內存設計。芯片支持100KHz-1.5MHz開關頻率。芯片具備逐周期過流保護，欠壓保護，芯片溫度報告和溫度保護，支持三態PWM信號，具備失效指示，采用TLGA5*6封裝。

JWH7069

杰華特JWH7069是一顆集成功率級芯片，內部集成兩個NMOS和半橋柵極驅動器，支持3-16V輸入電壓，具備90A輸出電流能力。將驅動器和MOS管集成，提供了高效的低電壓輸出，專為CPU，GPU和內存設計。芯片支持300KHz-1.5MHz開關頻率。芯片具備逐周期過流保護，欠壓保護，芯片溫度報告和溫度保護，支持三態PWM信號，具備失效指示，采用TLGA5*6封裝。

JWH7079

杰華特JWH7079是一顆集成功率級芯片，內部集成兩個NMOS和半橋柵極驅動器，支持3-16V輸入電壓，具備90A輸出電流能力。將驅動器和MOS管集成，提供了高效的低電壓輸出，專為CPU，GPU和內存設計。芯片支持300KHz-3MHz開關頻率。芯片具備逐周期過流保護，欠壓保護，芯片溫度報告和溫度保護，支持三態PWM信號，具備失效指示，采用TLGA4*6封裝。

MERAKI茂睿芯

MK6840

茂睿芯MK6840是一顆DrMOS芯片，支持最高90A電流輸出，集成了兩顆MOSFET和驅動芯片，采用業界標準的4mm×6mm QFN封裝，大幅提高了功率密度和熱管理性能。

MK6840專為AI服務器、數據中心及高性能計算設備設計，具備峰值逐周期限流、負電流保護和BOOT電容自動刷新等多重保護功能，可為CPU、GPU等算力芯片提供高精度電流上報，提升系統性能并降低能耗，其設計完全兼容主流多相控制器。

MK6850

茂睿芯MK6850芯片集成了兩顆的SGT MOSFET和驅動芯片，采用業界標準的5mm×6mm QFN封裝，大幅提高了功率密度和熱管理性能。經過嚴格測試，MK6850展現出高可靠性、高效率和高精度IMON上報等優勢，在典型工況下實現了94.7%的峰值效率，并確保產品在高負載條件下的穩定性。

MK6850專為AI服務器、數據中心及高性能計算機設計，支持90A電流輸出，具備峰值逐周期限流、負電流保護和BOOT電容自動刷新等多重保護功能，可為CPU、GPU等算力芯片提供高精度電流上報，提升系統性能并降低能耗。其設計完全兼容主流多相控制器，已通過多平臺驗證，表現優異。

1、深圳這家芯片企業宣布量產DrMOS！

MK6851

茂睿芯MK6851是一顆DrMOS芯片，支持最高90A電流輸出，集成了兩顆MOSFET和驅動芯片，采用業界標準的5×6mm QFN封裝，大幅提高了功率密度和熱管理性能。

MK6851專為AI服務器、數據中心及高性能計算設備設計，具備峰值逐周期限流、負電流保護和BOOT電容自動刷新等多重保護功能，可為CPU、GPU等算力芯片提供高精度電流上報，提升系統性能并降低能耗，其設計完全兼容主流多相控制器。

MPS芯源半導體

MP86905

MP86905 是一款集成內部功率MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋芯片。MP86905在寬輸入范圍內可實現50A連續輸出電流。

MP86905是一種單片IC，每相可驅動高達 50A 的電流。該器件將驅動和 MOSFET 集成在一起，減少了寄生電感的產生，同時實現了最優的死區時間，大大提高了芯片的效率。MP86905 的工作頻率范圍為 100kHz 至 2MHz。該芯片提供許多功能以簡化系統設計。MP86905 配合帶三態 PWM 信號的控制器使用，并具有精確的電流采樣功能以監控電感電流以及溫度采樣功能以報告結溫。MP86905 是高效小尺寸服務器應用的理想之選。MP86905 采用小型FC-QFN（4mmx4mm）封裝。

MP86912C

MP86912C是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋驅動器，在寬輸入電壓（VIN）范圍內可實現25A的連續輸出電流 (IOUT)。該器件集成了驅動器和MOSFET，優化了死區時間并減少了寄生電感，從而實現了高效率。其工作頻率范圍為100kHz 至 2MHz。

該器件可與三態輸出控制器配合使用，并提供通用電流采樣和溫度采樣。它是注重效率與小尺寸的筆記本電腦應用理想之選,MP86912C采用 LGA (3mmx4mm) 封裝。

MP86920

MP86920是一款集成內部功率MOSFET和柵極驅動器的單片半橋驅動器。它可以在寬輸入電壓 (VIN) 范圍內實現高達20A的連續輸出電流 (IOUT)。

其集成驅動器和 MOSFET 通過優化死區時間并降低寄生電感實現高效率。它可以與具有三態輸出的控制器配合使用，工作頻率為 100kHz 至 2MHz。另外，該器件還提供通用的電流采樣和溫度采樣功能。MP86920適用于注重高效率與小尺寸的服務器和電信應用。MP86920 采用 LGA-27 (4mmx5mm) 封裝。

MP86933

MP86933是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋驅動器。MP86933 在寬輸入電壓范圍內可實現12A連續輸出電流，工作頻率為100kHz~2MHz。

該器件將驅動器和MOSFET集成在一起，減少了寄生電感的產生，同時實現了最優的死區時間，大大提高了其效率。MP86933 與三態輸出控制器配合使用，并具有通用電流采樣和溫度檢測功能。MP86933 是高效率小尺寸服務器和電信應用的理想之選。MP86933 采用小尺寸 FC-TQFN-13（3mmx3mm）封裝。

MP86934

MP86934 是一款集成內部功率 MOSFETs 和柵極驅動的單片半橋芯片。它在寬輸入范圍內可實現25A的連續輸出電流。MP86934 將驅動和MOSFETS集成在一起，減少了寄生電感的產生，同時實現了最優的死區時間，大大提高了芯片的效率。

這款超小型 3mm x 4mm FC-TQFN 芯片的工作頻率為100kHz - 2MHz。MP86934配合三態（高阻態）輸出控制器使用。同時還具有通用電流采樣和溫度檢測功能，是高效小尺寸服務器和電信應用的理想之選。

MP86935-A

MP86935-A是一款內部集成功率MOSFET和柵極驅動器的單片半橋驅動器。該器件在寬輸入電源范圍內可實現高達60A的連續輸出電流 (IOUT)。MP86935-A 可驅動每相高達 60A 的電流。其集成驅動器和MOSFET通過優化死區時間 (DT) 并降低寄生電感實現高效率。其工作頻率為100kHz~3MHz。

MP86935-A具備多項可簡化系統設計的功能，而且可與具有三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣以監測電感電流 (IL)，同時提供溫度采樣以報告結溫 (TJ)。MP86935-A是注重效率與小尺寸的服務器應用理想之選。它采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封裝。

MP86936

MP86936是一款集成內部功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋Intelli-Phase?解決方案。它可以在寬輸入電壓 (VIN) 范圍內實現高達 60A 的連續輸出電流 (IOUT)。該器件采用單片IC方法，可驅動每相高達 60A的電流。其集成驅動器和 MOSFET 通過優化死區時間并降低寄生電感實現高效率。它可以與具有三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用，工作頻率為 100kHz 至 3MHz。

MP86936具備多種可簡化系統設計的功能，包括提供精確的電流采樣(Accu-Sense?)和溫度采樣，以監測電感電流并報告結溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86936采用TQFN-23 (3mmx6mm)封裝。

MP86945A

MP86945A 是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋芯片。MP86945A 在寬輸入范圍內可實現60A連續輸出電流MP86945A 是一款單片 IC，每相驅動電流高達60A。該芯片將驅動和 MOSFET 集成在一起，減少了寄生電感的產生，同時實現了最優的死區時間，大大提高了芯片的效率。MP86945A 的工作頻率為 100kHz 至 2MHz。MP86945A 提供了許多功能以簡化系統設計。

MP86945A 配合帶三態 PWM 信號的控制器使用，并集成了精確的電流采樣功能來監控電感電流以及溫度采樣功能來報告結溫。MP86945A 是高效小尺寸服務器應用的理想之選。

MP86950

MP86950是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋。它可以在 4.5V 至 16V 的寬輸入電壓 (VIN) 范圍內實現高達 50A 的連續輸出電流 (IOUT)。該器件每相驅動電流高達 50A。其集成驅動器和 MOSFET 通過優化死區時間并降低寄生電感實現高效率。該器件的工作頻率為 100kHz~2MHz。

MP86950提供多種可簡化系統設計的功能，并能與具有三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣（Accu-Sense?）和溫度采樣，以監測電感電流并報告結溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86950 采用小尺寸 TLGA-27 (4mmx5mm) 封裝。

MP86952

MP86952是一款耐輻射的單片半橋 IC，具有內部功率 MOSFET 和柵極驅動器。 它可以在 3V 至 16V 的寬輸入電壓 (VIN) 范圍內實現高達 70A 的連續輸出電流 (IOUT)。Intelli-PhaseTM 解決方案可實現高達 70A的每相驅動電流。其集成 MOSFET 和驅動器通過優化死區時間 (DT) 和降低寄生電感來提供高效率。該器件的工作頻率為100kHz~3MHz。

MP86952 提供多項功能來簡化系統設計，同時兼容三態脈寬調制 (PWM) 信號控制器。它具備精確的電流采樣 (Accu-SenseTM)和溫度采樣功能，可以監測電感電流 (IL)并報告結溫 (TJ)。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86952 采用 LGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP86956

MP86956是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋芯片。它在寬輸入電壓范圍內可實現 70A 的連續輸出電流 (IOUT)。該器件為單片 IC ，每相驅動電流高達 70A。其驅動器和 MOSFET的集成優化了死區時間，并減少了寄生電感，從而實現了高效率。MP86956 的工作頻率范圍為 100kHz 至 3MHz。

該器件具有多種可簡化系統設計的功能。它可接收控制器的三態脈寬調制（PWM ）信號，同時具備精確的電流采樣和溫度采樣功能，以分別實現電感電流的檢測并報告結溫。MP86956是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。 它采用 LGA-41 (5mmx6mm) 和 TLGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP86957

MP86957 是一款集成內部功率 MOSFET 和柵極驅動的單片半橋芯片。它在寬輸入范圍內可實現70A的連續電流輸出。MP86957是一款單片 IC ，每相驅動電流可達70A 。將驅動和 MOSFET 集成在一起，可以通過優化死區時間和減少寄生電感來實現高效率。這款小型 5mmx6mm LGA 芯片的工作頻率為100kHz - 3MHz。

MP86957 具有多種功能，可以簡化系統設計。MP86957通過接收控制器的三態 PWM 信號來實現功率變換。它還提供 Accu-SenseTM電流采樣和溫度采樣，分別用于監測電感電流和報告結溫。MP86957 是高效率小尺寸服務器應用的理想之選。

MP86965

MP86965 是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋驅動器，在寬輸入電源范圍內可實現 60A 的連續輸出電流 (IOUT)。該器件采用單片 IC 方法，每相可驅動高達 60A 的電流。集成驅動器和 MOSFET優化了死區時間并減少了寄生電感，從而實現了高效率。MP86965 的工作頻率范圍為100kHz~2MHz。

MP86965 提供多種功能以簡化系統設計。它可以與具有三態 PWM 信號的控制器配合使用，提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監測電感電流并報告結溫。 MP86965是注重效率與小尺寸的服務器應用理想之選。它采用 TLGA-31 (4mmx5mm) 封裝。

MP86972

MP86972 是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋驅動器。它可在3V~12V的寬輸入電壓 (VIN) 范圍內實現高達 60A 的連續輸出電流 (IOUT)。該器件每相驅動電流高達 60A。其集成驅動器和 MOSFET 通過優化死區時間并降低寄生電感實現高效率。該器件的工作頻率為100kHz~3MHz。

MP86972 提供多種可簡化系統設計的功能，并能與具有三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監測電感電流并報告結溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86972 采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封裝。

MP86992

MP86992 是一款內部集成功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋驅動器。該器件在寬輸入電源范圍內可實現高達 50A 的連續輸出電流 (IOUT)。MP86992 采用單片 IC 方法，可驅動每相高達 50A 的電流。其集成驅動器和 MOSFET 通過優化死區時間 (DT) 并降低寄生電感實現高效率。該器件的工作頻率為 100kHz 至 3MHz。

MP86992 提供多種可簡化系統設計的功能，并能與具有三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監測電感電流 (IL) 并報告結溫 (TJ)。MP86992 是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。它采用 LGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP87993

充電頭網了解到，MPS也推出一款MP87993 DrMOS芯片，可搭配MP2988控制器應用，但其他資料不詳。

1、MPS DrMOS助力技嘉RTX 5090供電系統，打造旗艦顯卡新標桿

MP86998

MP86998是一款集成內部功率MOSFET和柵極驅動器的單片半橋驅動器。它可以在寬輸入電壓 (VIN) 范圍內實現高達80A的連續輸出電流 (IOUT)。該器件采用單片IC方法，可驅動每相高達 50A的電流。其集成驅動器和 MOSFET 通過優化死區時間并降低寄生電感實現高效率。該器件的工作頻率為 100kHz 至 3MHz。

MP86998提供多種可簡化系統設計的功能，并能與具有三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監測電感電流并報告結溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86998 采用 TLGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP87190

MP87190 是一款內部集成功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋。它可在寬輸入電源電壓 (VIN) 范圍內實現高達 90A 的連續輸出電流 (IOUT)。MP87190 的Quiet SwitcherTM 技術 (QST) 采用只能在單片架構中實現的電路設計，以提供電壓振鈴抑制功能。該技術可以將峰值開關電壓限制在 VIN 與 2V 之間，從而提高設備的可靠性、降低 EMI 并減少對 PCB 布局的敏感性。

MP87190 提供多種可簡化系統設計的功能，并能與三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外該器件還提供 Accu-SenseTM 電流采樣和溫度采樣功能，以分別監測電感電流 (IL) 并報告結溫 (TJ)。MP87190 是注重高效率與小尺寸的服務器和電信應用理想之選。MP87190 采用 TLGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

ONSEMI安森美

FDMF6820A

安森美FDMF6820A是一顆DrMOS芯片，面向同步降壓應用。器件將驅動器、上管/下管功率 MOSFET以及相關的自舉/肖特基二極管功能集成到單芯片內，通過一體化設計來降低系統寄生電感、優化開關動態與導通損耗，從而減少振鈴、提升效率與功率密度。該芯片封裝采用 PQFN 6×6封裝，主打高集成、易布局與熱性能增強。

FDMF6820A峰值效率可達93%以上、輸入電壓0.3~25V，具備60A高電流輸出能力、同時針對最高約1MHz開關頻率優化。該產品PC主板、刀片服務器主板供電、桌面電腦與工作站、POL高電流 DC-DC、網絡與通信處理器電壓調節、小型化VR模塊等場景應用。

FDMF6823A

安森美FDMF6823A是一顆DrMOS芯片，采用PQFN 6×6封裝，支持0.3~25V輸入，連續輸出電流可達60A。器件把驅動IC、上下橋功率MOS、自舉肖特基二極管一并集成，面向同步降壓的高電流、高頻應用，通過一體化封裝與優化的驅動/功率器件動態特性來降低系統寄生與振鈴，提升整體效率與功率密度。

FDMF6823A提供跳脈沖/輕載效率控制、驅動禁用、過溫警告與 UVLO欠壓鎖定，并通過自適應柵極時序抑制直通風險。該幾件典型應用覆蓋高性能PC主板、刀片服務器主板、臺式機、工作站、POL高電流 DC-DC、網絡與通信處理器電壓調節、小型化VR模塊等場景。

FDMF6823C

XS DrMOS系列是新一代經全面優化的超緊湊型集成式MOSFET加驅動器功率級解決方案，最高可輸出50A電流，適用于高電流、高頻同步降壓DC-DC應用。 FDMF6823C將驅動器IC、兩個功率MOSFET和自舉肖特基二極管集成到了一個熱增強的、超小型PQFN-40封裝中。

通過集成方法，可實現完整開關功率級的驅動器、MOSFET動態性能、系統電感和功率MOSFET RDS(ON)優化。 XS? DrMOS采用飛兆半導體公司的高性能PowerTrench? MOSFET技術，顯著減少開關振鈴，省去大多數降壓轉換器應用中使用的緩沖器電路。

Primechip元芯

YX47590

YX47590是一款集成了Si FET的高性能半橋柵極智能功率級。它集成了30V的柵極智能功率級和自舉二極管，并支持三重柵極 PWM 輸入。其超短的傳播延遲和快速的上升和下降時間。

YX47590具有輸出電流和溫度感應功能，并向控制器報告。內置欠壓鎖定（UVLO）、過溫保護（OTP）、高壓側 MOSFET 短路保護（HSS）和過流保護（OCP）有助于確保器件安全可靠地運行。其優化設計確保了從智能功率級到功率晶體管的最低傳播延遲，使其成為高頻應用的理想選擇。智能功率級信號輸入與常用的三態PWM兼容，提供靈活的功率級控制。死區時間可通過外部電阻器進行調整，以獲得更好的效率或系統可靠性。

Renesas瑞薩

ISL99360/ISL99360B

ISL99360和ISL99360B是一顆60A輸出的功率級模組。 ISL99360和ISL99360B集成了高精度電流和溫度監控器，可反饋至控制器和倍增器，形成一個完整的多相DC/DC系統。 這些器件移除了 DCR 傳感網絡設計及與其相關的熱補償來簡化設計并提高性能。 通過專用的LFET控制引腳實現了輕載高效。 業界領先的熱增強型5x5 PQFN封裝可最大限度地減少整體PCB面積。

ISL99360 和 ISL99360B 具有兼容 3.3V 和 5.0V 的三態 PWM 輸入，與瑞薩的多相 PWM 控制器配合使用，可在異常工作條件下提供可靠的解決方案。 ISL99360 和 ISL99360B 還集成了 UVLO、HFET 短路、過熱和過流的故障保護來提高系統性能和可靠性。 漏極開路故障報告引腳簡化了 SPS 和控制器之間的握手過程，并可在啟動和故障條件下禁用控制器。

ISL99380R5935/ISL99380BR5935

瑞薩ISL99380R5935/ISL99380BR5935是一顆80A輸出的功率級模組，芯片內部集成高精度電流檢測和溫度檢測。內置完善的保護功能，包括上管短路和過電流保護，智能反向過電流保護，過熱保護和供電欠壓閉鎖，采用QFN5*6封裝，適用于CPU、GPU以及ASIC供電。

該系列DrMOS與瑞薩數字 PWM 控制器結合使用時，可實現精確的系統級電源管理，并為基于負載線的穩壓器提供同類最佳的瞬態響應。這些器件省去了典型的DCR檢測網絡和相關熱補償元件，從而簡化設計。同時該芯片還通過集成故障保護功能（包括 HFET 過流、HFET 短路、智能反向過流 (SROCP)、過溫 (OTP) 和 VCC 欠壓鎖定 (UVLO)）提高了系統性能和可靠性。

1、拆解報告：技嘉B650E AORUS PRO X USB4主板

ISL99390R5935/ISL99390BR5935

ISL99390R5935和ISL99390BR5935是90A智能功率級。ISL99390R5935 和 ISL99390BR5935在整個線路、負載和溫度范圍內提供極高的電流檢測精度。與瑞薩數字PWM控制器配合使用時，這些器件可為基于負載線的穩壓器提供精密的系統級電源管理和出色的瞬態響應。 這些器件移除了典型的 DCR 傳感網絡和相關的熱補償組件，以簡化設計。QFN 5x6封裝可實現高密度設計。

ISL99390R5935 和 ISL99390BR5935 具有瑞薩電子的三態 PWM 輸入，與瑞薩電子多相 PWM 控制器和相位倍增器配合使用，可在異常工作條件下提供可靠的解決方案。 ISL99390R5935 和 ISL99390BR5935 還集成了HFET 過流、短路 HFET、智能反向過流（SROCP）、過溫（OTP）和 VCC 欠壓鎖定（UVLO）等故障保護功能，提高了系統性能和可靠性。

RAA221320

RAA221320是一款集成高精度電流和溫度監控器的20A輸出智能功率級。 集成了高精度電流和溫度監控器，可反饋至控制器，形成一個多相 DC/DC 系統。 這些監控器移除了 DCR 傳感網絡和相關的熱補償來簡化設計并提高性能。熱增強型4x5 PQFN封裝可最大限度地減少整體PCB面積。

SPS具有3.3V兼容三態 PWM 輸入，可與瑞薩電子多相 PWM 控制器協同工作，在異常工作條件下提供可靠的解決方案。 SPS 還集成了 UVLO、短路 HFET、過溫和過流的故障保護功能，提高了系統性能和可靠性。 漏極開路故障報告引腳簡化了 SPS 和控制器之間的握手過程，并可在啟動和故障條件下禁用控制器。

RAA221340

RAA221340智能功率級集成了高精度電流和溫度監控器，可反饋至控制器，形成一個多相 DC/DC系統。 SPS 移除了 DCR 傳感網絡和相關的熱補償來簡化設計并提高性能。 業界領先的熱增強型 4x5 PQFN 封裝可最大限度地減少整體 PCB 面積。

SPS 具有 3.3V 兼容型三態 PWM 輸入，可與瑞薩電子多相 PWM 控制器配合使用，在異常工作條件下提供可靠的解決方案。 SPS 還集成了 UVLO、短路 HFET、過溫和過流的故障保護功能，提高了系統性能和可靠性。 漏極開路故障報告引腳簡化了 SPS 和控制器之間的握手過程，并可在啟動和故障條件下禁用控制器。

Silergy矽力杰

SQ29670NGG

矽力杰SQ29670NGG是一顆16V/70A的DrMOS芯片，其將半橋柵極驅動器 + 高側/低側 MOS集成，并在器件內部集成去耦/驅動相關能力以降低回路寄生、提升功率密度與效率。器件 VIN 最高16V，VDRV/VCC工作在3.0~3.6V，支持3.3V PWM且兼容三態PWM省電邏輯，開關頻率可到 2.0MHz。同時集成多重欠壓鎖定與保護功能。

應用上，這顆器件適合CPU/GPU/ASIC/AI核心供電等大電流應用，以及服務器與通信電源中的高功率密度板級穩壓模塊等諸多應用場景。

TI德州儀器

CSD96415

CSD96415RWJ是德州儀器推出的DrMOS芯片，把高低側功率MOSF與驅動器一并在集成QFN 5×6封裝中。該器件額定峰值電流80A，同時支持最高 1.75MHz 開關頻率，兼容 3.3V/5V PWM，并提供三態 PWM 輸入以配合輕載策略。此外沒改芯片集成電流感應與溫度傳感，帶模擬溫度輸出與故障監控功能；并內置自舉開關、提供用于擊穿/直通保護的優化死區時間。

CSD96415RWJ可在CPU/GPU供電、服務器/臺式機主板上的核心電壓與非核心電壓軌，以及各類大電流 POL、DC-DC轉換器等諸多高電流供電場景應用。

CSD96497Q5MC

德州儀器CSD96497Q5MC是一顆DrMOS芯片，面向同步降壓 的多相供電場景。器件把高低側MOS以及柵極驅動器集成在QFN 5×6封裝內，并標稱65A持續工作電流，開關頻率最高可到 1.25MHz，兼容3.3V/5V PWM且支持三態 PWM。同時，該芯片集成多種系統級功能接口與保護。

應用層面，該器件主要面向服務器、臺式機V-core供電、內存、輔助電源，以及網絡與通信設備中的大電流處理器電壓調節模塊等諸多場景應用。

uPI力智

uP9642B

uP9642B是一種智能功率級（SPS）解決方案，它集成了經過全面優化的驅動器和 MOSFET，適用于高電流、高頻率的同步降壓型 DC-DC 轉換器。這種 SPS 能夠滿足先進 CPU、GPU 以及 DDR 內存設計所需的低輸出電壓和高性能要求。

uP9642B 還支持高級別的高精度模塊溫度報告功能以及芯片上同步 MOSFET 電流監測功能。其保護功能包括逐周期過流保護、相位故障檢測、初步過電壓保護、VCC/VDRV 欠壓鎖定（UVLO）保護以及過熱關斷保護。uP9642B專為CPU核心電源傳輸進行了優化。該器件與多相降壓型 PWM 控制器配合使用，可構成處理器的完整核心電壓調節器。

uP9646

uP9646是一款集成功率級模塊，用于臺式機和筆記本電腦應用中的多相同步降壓 DC-DC 轉換器。該器件可為CPU、GPU和DDR內存電源提供高達50A的輸出電流并保證高轉換效率。

該部件具有英特爾 PS4模式支持、熱警告、過流保護和零電流檢測功能。系統使用熱預警輸出來確保安全運行。該器件的過流保護功能進一步增強了對轉換器的保護。零電流檢測功能提供了更大的應用靈活性。uP9646 還提供全面的保護功能，包括 VCC/VDRV 的欠壓鎖定和過溫保護。uP9646 采用緊湊的WQFN 5×5-31L 封裝。目前，該器件已獲部分型號英偉達RTX5060顯卡采用。

Vishay威世

SiC820/SiC820A

SiC820是一款針對同步降壓應用優化的集成功率級解決方案，可提供高電流、高效率和高功率密度性能。SiC820采用Vishay的 5mm x 6mm MLP封裝，使穩壓器設計能夠提供每相超過80 A的電流。

內部功率MOSFET采用Vishay先進的 TrenchFET? Gen IV技術，可提供業界標桿性能，顯著降低開關和傳導損耗。

SiC822/SiC822A

SiC822是一款針對同步降壓應用優化的集成功率級解決方案，可提供大電流、高效率和高功率密度性能。SiC822采用Vishay 的5mm x 6mm MLP封裝，使穩壓器設計能夠提供每相超過70 A的電流。

內部功率MOSFET采用Vishay先進的TrenchFET? Gen IV技術，可提供業界標桿性能，顯著降低開關和傳導損耗。

SiC830/SiC830A

SiC830是一款集成功率級解決方案，專為同步降壓應用而優化，可提供高電流、高效率和高功率密度性能。SiC830采用Vishay的5mm x 6mm MLP封裝，使穩壓器設計能夠提供每相超過80 A的電流。

內部功率MOSFET采用Vishay先進的 TrenchFET? Gen IV技術，該技術可提供業界標桿性能，顯著降低開關和傳導損耗。

SiC832/SiC832A

SiC832是一款集成功率級解決方案，針對同步降壓應用進行了優化，可提供高電流、高效率和高功率密度性能。SiC832 采用Vishay 的 5 mm x 6 mm MLP封裝，使穩壓器設計能夠提供每相超過70 A的電流。

內部功率MOSFET采用 Vishay 先進的 TrenchFET? Gen IV 技術，可提供業界標桿性能。

SiC840/SiC840A

SiC840是一款集成功率級解決方案，針對同步降壓應用進行了優化，可提供高電流、高效率和高功率密度性能。SiC840 采用Vishay的5 mm x 6 mm MLP 封裝，使穩壓器設計能夠提供每相超過80A的電流。

內部功率MOSFET 采用 Vishay 先進的 TrenchFET? Gen IV 技術，該技術可提供業界標桿性能，顯著降低開關和傳導損耗。

SiC648/SiC648A

SiC648是一款智能VRPower器件，集成了高邊和低邊MOSFET、高性能驅動器以及集成自舉 FET。SiC648 提供高精度電流和溫度監控器，可反饋至控制器和倍壓器，從而完成多相DC/DC 系統。

該器件通過省去DCR檢測網絡和相關的熱補償，簡化了設計并提高了性能。輕載效率由專用 LGCTRL 控制引腳支持。采用Vishay 5mm x 5mm MLP封裝。

SiC654

威世SiC654是一款高頻集成功率級芯片，針對同步降壓應用進行了優化，可提供高電流、高效率和高功率密度。該芯片采用威世專有的MLP 5×5封裝，能夠提供高達50A的連續電流輸出。

SiC654內部MOSFET采用了威世最新的TrenchFET技術，能夠顯著降低開關損耗和導通損耗。該芯片還內置了一個MOSFET柵極驅動集成電路，具有高電流驅動能力、自適應死區時間控制、集成自舉開關以及開發者可選擇的零電流檢測功能，以提高輕載效率。該驅動器還廣泛兼容市面PWM控制器，支持三態PWM，并且支持5伏/3.3伏PWM邏輯。此外，該設備還支持PS4模式，以降低系統處于待機狀態時的功耗。同時，該芯片提供工作溫度監測、保護功能以及警告標志，以增強系統監測和可靠性。

1、華碩RTX 5080顯卡采用全新DrMOS！

充電頭網總結

DrMOS把高低側MOSFET與驅動器集成在同一封裝內，通過縮短關鍵回路、降低寄生參數，為多相VRM提供更穩定的高電流、高頻供電基礎。同時DrMOS普遍集成遙測接口與完善的保護機制，在CPU、GPU、以及AI加速卡的實際應用中，DrMOS可有效提升系統效應速率、穩定性以及轉換效率。