中國不再容忍，亮出比稀土稀缺百倍王牌，美國憂心忡忡

說到戰略稀缺資源，中國人第一反應大概率都是稀土。

畢竟這種被稱作“工業維生素”的寶貝，小到手機芯片、大到航天飛船，幾乎離不開它，更是咱們中國科技崛起的硬底氣。

但很多人不知道，在全球科技競爭的隱秘賽道上，還藏著一張比稀土更“金貴”的牌。

這張比稀土稀缺100倍的“超級材料牌”，核心原料其實是一種大家不太熟悉的礦產銻。

別看銻名氣不大，它的稀缺程度，早就被全球各國拉進了“戰略重點關注名單”。

根據中國地質調查局2024年發布的《全球礦產資源儲量評估報告2024》顯示，銻在地殼中的含量僅為十萬分之6.5，這個數字不僅遠低于稀土，更是比新能源領域的“香餑餑”鋰，還要稀缺100倍，說它是“礦產界的大熊貓”，一點都不夸張。

更讓人意外的是，雖然自然界中已經發現了120多種銻礦物，但真正能達到工業開采標準、能實際利用的，還不到10種。

再加上銻礦開采難度大、提純工藝復雜，進一步讓它變得“一礦難求”，稀缺價值也跟著水漲船高。

可能有人會問，稀缺就一定金貴嗎？

答案是肯定的，尤其是這種綁定了未來高科技命脈的稀缺資源。稀土的價值，在于它應用范圍廣。

而銻和它支撐的第四代半導體材料，價值則在于它直接決定了未來高科技產業能走多遠，不管是咱們日常關注的新能源汽車、智能電網，還是國之重器航天軍工、量子計算，幾乎所有前沿領域的突破，都離不開它的支撐。

全球主要經濟體早就看透了這一點，紛紛將銻及第四代半導體相關礦產列為“關鍵礦產”，一場沒有硝煙的爭奪賽，早就悄悄打響了。

而咱們中國，在這場資源爭奪戰中，天生就握著“先天優勢”。

據2024年美國地質調查局的統計數據顯示，全球銻的探明儲量約222.5萬噸，其中咱們中國就占了67萬噸，足足是全球總儲量的30%，穩穩坐在全球第一的位置。

更關鍵的是中國地質調查局的報告明確將銻列為中國12種優勢礦產之一，這就為咱們發展第四代半導體產業，打下了最堅實的資源基礎。

但話說回來光有資源還不夠，稀缺資源不等于絕對話語權。

中國把資源優勢變成技術領先優勢，靠的是一場從“跟跑”到“領跑”的技術突圍，靠的是中國企業和科研人員的默默深耕、彎道超車。

在第四代半導體材料領域，早期的時候，歐美、日本憑著先發優勢，牢牢攥著核心技術壁壘，尤其是日本。

曾明確計劃在幾年內突破氧化鎵材料的技術瓶頸，想壟斷全球市場，讓其他國家只能“看人臉色”。

但咱們中國企業和科研機構的崛起，徹底打破了這個格局，甚至在很多方面，直接實現了反超。

就拿杭州鎵仁半導體來說，它聯合浙大科創中心，用完全自主創新的鑄造法，成功研發出了全球首顆8英寸氧化鎵單晶材料，比日本原本計劃的研發時間，整整提前了三年！

更重要的是，這個成果能直接兼容現有硅基芯片廠的8英寸產線，不用大規模改造生產線，就為氧化鎵從實驗室走進工廠、實現規?；瘧茫伜昧寺?。

除了杭州鎵仁，富加鎵業等咱們國內的企業，也在這個領域持續發力，成為咱們技術領跑的重要支撐。

富加鎵業是中國最早投身氧化鎵單晶生長研究的企業之一，它不僅成功打通了6英寸氧化鎵晶圓的全產業鏈，不用再依賴國外的上游產品，更在設備研發上實現了重大突破。

研制出了國際首臺具備“一鍵長晶”功能的EFG設備和全自動VB晶體生長設備，能滿足2到6英寸晶體的生長需求，大大提升了生產效率和產品穩定性。

截至目前，富加鎵業已經獲得了40項國內授權專利、12項國際授權專利，其中美國和日本各占6項，更在牽頭起草氧化鎵領域的首個國家標準，還承擔了國家發改委、工信部各1項重點項目，真正做到了“掌握技術、制定標準”，攥住了全球該領域的技術話語權。

而在金剛石半導體領域，中國科學院寧波材料技術與工程研究所也傳來了好消息，研發出了4英寸級超低翹曲金剛石“自支撐”超薄膜，實現了不用外力輔助的“自剝離”，把原本需要數小時的剝離時間。

縮短到了幾分鐘，同時還成功將915MHz大功率MPCVD的金剛石沉積面積擴展到12英寸，為工業化批量生產打下了堅實基礎。

中國在第四代半導體領域的快速崛起，從來都不是某一家企業的孤軍奮戰，而是國家戰略、政策扶持、產學研協同發力的結果。

2024年1月，工業和信息化部等七部門聯合印發了《關于推動未來產業創新發展的實施意見》，明確將未來材料作為重點發展方向，還提出了到2025年突破百項前沿關鍵核心技術、培育百家領軍企業的目標，為第四代半導體材料的發展，劃定了清晰的路線圖，讓企業和科研機構有了明確的方向。

在“十四五”規劃中，國家更是將寬禁帶半導體及顯示材料、集成電路關鍵材料，列為重點發展方向，延續并優化了集成電路產業的重大專項支持和稅收優惠政策，有效降低了新材料初期應用的市場風險，讓企業敢于投入資金搞研發、敢于推動技術產業化，為整個產業的發展，注入了強勁動力。

相比之下，歐美、日本等國家，雖然現在還在發力追趕，但已經逐漸落后于咱們中國。

日本原本計劃的氧化鎵技術突破，被咱們提前實現，現在只能被動追趕，歐盟、美國的相關研發計劃，進展比較緩慢，而且缺乏完整的產業鏈支撐和充足的資源保障，很難形成規?；母偁幜?。

們中國并沒有“閉門造車”，而是積極推動國際合作，比如富加鎵業就聯合NextGO Epi，打造國際氧化鎵供應新格局，把咱們中國的技術和產品推向全球，既分享了技術成果，也進一步鞏固了自己的全球領先地位。

這場由咱們中國引領的半導體革命，不僅僅是材料領域的一次突破，更是咱們中國科技，從自主創新走向全球引領的重要體現，是咱們中國擺脫技術束縛、實現科技自立自強的重要一步。