2026開年爆發！功率半導體國產替代進入決勝期

2026年開年，功率半導體行業率先吹響“爆發式開局”號角。一邊是露笑科技8英寸SiC襯底實現關鍵性技術突破、西電郝躍院士團隊打破GaN功率器件國際紀錄，國產技術加速突圍海外壟斷；一邊是半導體材料板塊逆市走強、龍頭個股斬獲漲停，資本持續加碼第三代功率半導體賽道。行業正迎來不可逆的高端升級浪潮，成為2026年半導體領域最具確定性的增長主線。

國產SiC/GaN多點開花

功率半導體作為新能源汽車、光伏儲能、5G通信等戰略性新興產業的核心器件，其技術迭代速度直接決定下游產業的升級步伐與核心競爭力。2026年1月，國產第三代功率半導體（SiC/GaN）迎來密集技術突破，徹底打破英飛凌、Wolfspeed等海外巨頭近二十年的壟斷格局，國產替代進程大幅提速。

在SiC領域，露笑科技成為開年最大亮點之一。其全資子公司合肥露笑已全面攻克8英寸導電型SiC襯底核心技術，熟練掌握晶體生長全流程工藝，微管密度、表面粗糙度等關鍵性能參數達到行業先進水平，優于當前全球主流標準，且已建成規模化制造體系，可直接適配新能源汽車電控、光伏逆變器等高端應用場景的核心需求。值得關注的是，露笑科技同步公告調整碳化硅項目投資規模，將原計劃19.4億元的募集資金投資縮減至9.9億元，節余9.5億元補充流動資金。背后核心邏輯的是，當前6英寸SiC襯底市場競爭日趨激烈、下游需求階段性放緩，公司選擇主動收縮低端產能，聚焦8英寸高端產品布局，通過優化產能結構降低經營風險，搶占高端賽道話語權。

GaN領域同樣傳來歷史性突破，西安電子科技大學郝躍院士團隊實現重大技術革新。團隊首創“離子注入誘導成核”核心技術，從根源上改變氮化鋁層的生長模式，成功將原本粗糙的“多晶島狀”結構轉變為原子級平整的“單晶薄膜”，使器件界面熱阻降至傳統結構的三分之一，破解了GaN功率器件“熱堵點”這一困擾全球行業的世界性難題。基于該技術制備的GaN微波功率器件，在X波段和Ka波段分別實現42 W/mm和20 W/mm的輸出功率密度，將國際同類器件性能紀錄再次提升，相關成果已發表于《自然·通訊》《科學·進展》等國際頂級期刊，為5G/6G通信、衛星互聯網、航空航天等高端領域提供核心技術支撐，推動國產GaN器件躋身國際先進行列。

此次國產SiC/GaN多點突破，不僅打破了海外巨頭的技術壟斷與產能封鎖，加速推進功率半導體國產替代進程，持續縮小與國際先進水平的差距，為后續規模化量產與市場突破奠定堅實基礎。

板塊爆發，廠商搶灘高端賽道

技術突破的持續落地，帶動資本追捧與產能擴產同步發力，雙重利好共振之下，功率半導體行業正式進入高景氣周期，開年以來表現亮眼，成為資本市場的核心熱點賽道之一。

資本層面，板塊呈現“板塊走強、龍頭領漲”的鮮明特征。1月16日，A股大盤整體調整背景下，半導體材料概念股逆勢崛起，碳化硅龍頭天岳先進收獲20cm漲停，康強電子錄得10cm漲停，上海合晶、神工股份等個股漲幅超7%，當日共有12只相關個股創下歷史新高。據統計，截至1月23日，半導體材料板塊2026年以來平均漲幅達21.15%，大幅跑贏同期大盤，機構資金扎堆布局，其中德邦科技、昊華科技等核心標的獲機構一致看好，預測上漲空間均超10%。不過從1月23日最新行情來看，板塊內個股走勢出現分化，天岳先進微漲0.29%，康強電子微跌0.43%，短期熱度有所回落，但行業長期成長邏輯未變，資本對第三代功率半導體的長期布局意愿依然強烈。

產能擴產方面，國內核心廠商紛紛加碼布局，聚焦高端產品與核心材料，加速完善產業鏈布局，搶占市場先機。除露笑科技聚焦8英寸SiC襯底規模化生產、優化產能結構外，昊華科技在功率半導體核心材料領域持續發力，公司現有三氟化氮產能達5000噸/年，四川自貢沿灘基地新建6000噸/年三氟化氮項目一期3000噸裝置已順利投產，該產品主要應用于集成電路蝕刻、清洗環節，可充分滿足功率半導體高端產能的國產化需求。此外，總投資70億元的芯齊先進半導體項目于1月19日正式落地威海臨港，重點聚焦6英寸硅基功率半導體芯片，涵蓋MOSFET、IGBT等核心產品，項目投產后將進一步填補國產功率芯片產能空白，完善區域產業鏈布局；粵芯半導體四期項目同步啟動，總投資達252億元，重點布局數模混合特色工藝，精準適配功率器件需求，推動產業鏈上下游協同發展，提升產業整體競爭力。

短期來看，技術突破與資本熱度帶來顯著行業紅利，但長期而言，國產廠商仍面臨諸多挑戰。當前，國產功率半導體在規模化量產穩定性、下游客戶驗證周期、高端研發人才短缺等方面仍存在短板，行業仍需持續加大研發投入，優化產能布局，突破核心瓶頸。

雙線博弈日趨激烈

當前，全球功率半導體行業格局呈現海外巨頭壟斷高端、國產廠商突圍中低端的鮮明態勢，但隨著國產技術突破持續落地、產能加速擴張，這種固化格局正逐步被打破，海外巨頭與國產廠商的雙線博弈日趨激烈，行業分化態勢進一步加劇。

高端賽道仍是海外巨頭的核心陣地。英飛凌、安森美、Wolfspeed等海外龍頭企業，憑借長期的技術積累、完善的產業鏈布局與規模化產能優勢，占據全球SiC器件市場70%以上的份額，競爭優勢顯著。其中，英飛凌位于馬來西亞居林的SiC晶圓廠已正式投產，目標直指2030年占據全球30%的SiC市場份額；安森美則通過收購GTAT實現從襯底到封裝的全產業鏈布局，計劃2025年投產8英寸SiC晶圓，規劃年產能達60萬片，預計未來5-10年市占率將提升至20%以上。

成熟賽道（IGBT/MOSFET）的國產替代已接近尾聲，國產龍頭逐步實現規模化盈利。中車時代電氣、斯達半導等國內核心廠商，依托新能源汽車、光伏儲能等下游需求爆發式增長的紅利，持續提升產品市占率，優化產品結構，目前國產IGBT在新能源汽車領域的滲透率已逐步提升，部分廠商產品質量已達到國際同類水平，同時正加速向高端車規級、工業級產品升級，逐步替代進口產品，實現國產主導的轉變。

上游材料賽道的國產化進程也在同步加速，成為國產替代的重要支撐。作為功率半導體產業鏈的上游核心環節，半導體級硅材料國產化率已超50%，拋光液等關鍵材料國產化率突破30%，德邦科技、昊華科技等企業聚焦功率半導體配套材料，持續突破核心技術，逐步實現進口替代，受益于下游國產器件擴產紅利，企業業績持續保持增長態勢。整體來看，國產功率半導體產業鏈正逐步完善，從上游材料、中游器件到下游應用，已形成協同發展的良好態勢，國產替代的整體進程持續提速。