宏碁N8000 PCIe 5.0固態硬盤圖賞：6nm主控超低功耗、11GB/s性能

2 月 13 日，宏碁推出了基于 6nm 主控的 PCIe 5.0 固態硬盤 —— 宏碁 N8000。該產品采用 PCIe 5.0 x4 高速通道與 NVMe 2.0 接口協議，為中高端游戲本、輕薄本及迷你主機提供新一代存儲擴容方案。

在維持 PCIe 5.0 高帶寬特性的同時，N8000 將產品優化的核心重心放在了功耗控制與溫控表現上。

從整體外觀來看，宏碁 N8000 PCIe 5.0 固態硬盤采用了標準的 M.2 2280 物理規格。其電路板選用了純黑色的 PCB 基板。

主控芯片、兩顆 NAND 閃存顆粒以及相關的供電控制元器件均集中在 PCB 的正面，這種單面布局有效降低了硬盤的整體厚度，使其能夠更好地兼容筆記本電腦內部嚴苛的物理安裝空間。同時，宏碁 N8000 采用的是無外置物理緩存（DRAM-less）架構方案，所以也沒有獨立的 DRAM 內存芯片。

細節上，靠近 M.2 金手指接口一側的核心元器件為固態硬盤主控芯片。芯片表面的微距實拍絲印顯示型號為 SM2504XT，這是來自慧榮科技的新一代 PCIe 5.0 主控。

該主控采用了臺積電 6nm 先進制程工藝制造。相較于早期工藝，6nm 制程在漏電流控制和能耗比上具備顯著的物理優勢。得益于這一先進制程主控的搭載，N8000 在同規格 Gen5 產品中實現了較低的功耗表現，其滿載功耗被控制在 5.2W 以下，官方數據顯示相比常規 PCIe 5.0 SSD 功耗降低約 40%。

這為緩解移動端設備滿載運行時的散熱與續航壓力提供了硬件基礎。

占據 PCB 核心區域的是兩顆用于存儲數據的 NAND 閃存顆粒。

顆粒是由國內存儲封測廠商佰維（BIWIN）進行封裝的 3D TLC 閃存。配合主控，該閃存可提供 3600MT/s 的 I/O 接口速度。在理論性能方面，N8000 的最高順序讀取速度可達 11000MB/s，順序寫入速度達到 10000MB/s，隨機讀寫性能雙雙達到 1700K IOPS。宏碁 N8000 還引入了 HMB 機制，并配置了智能 SLC cache 動態緩存技術。

N8000 搭配了超薄石墨散熱貼片用于核心熱量導出，避開了占用空間的厚重金屬馬甲。產品目前提供 1TB 與 2TB 兩種容量版本，其中 2TB 版本的標稱耐久度達到 1500TBW。

目前宏碁存儲 Acer N8000 固態硬盤已經上市，1TB 款 1399 元、2TB 款 2299 元。

實拍圖賞：

配件包括固態硬盤 * 1 說明書 * 1 螺絲 * 1 螺絲刀 * 1 貼紙 * 1