2 月 13 日,宏碁推出了基于 6nm 主控的 PCIe 5.0 固態硬盤 —— 宏碁 N8000。該產品采用 PCIe 5.0 x4 高速通道與 NVMe 2.0 接口協議,為中高端游戲本、輕薄本及迷你主機提供新一代存儲擴容方案。
在維持 PCIe 5.0 高帶寬特性的同時,N8000 將產品優化的核心重心放在了功耗控制與溫控表現上。
![]()
從整體外觀來看,宏碁 N8000 PCIe 5.0 固態硬盤采用了標準的 M.2 2280 物理規格。其電路板選用了純黑色的 PCB 基板。
主控芯片、兩顆 NAND 閃存顆粒以及相關的供電控制元器件均集中在 PCB 的正面,這種單面布局有效降低了硬盤的整體厚度,使其能夠更好地兼容筆記本電腦內部嚴苛的物理安裝空間。同時,宏碁 N8000 采用的是無外置物理緩存(DRAM-less)架構方案,所以也沒有獨立的 DRAM 內存芯片。
![]()
![]()
細節上,靠近 M.2 金手指接口一側的核心元器件為固態硬盤主控芯片。芯片表面的微距實拍絲印顯示型號為 SM2504XT,這是來自慧榮科技的新一代 PCIe 5.0 主控。
![]()
該主控采用了臺積電 6nm 先進制程工藝制造。相較于早期工藝,6nm 制程在漏電流控制和能耗比上具備顯著的物理優勢。得益于這一先進制程主控的搭載,N8000 在同規格 Gen5 產品中實現了較低的功耗表現,其滿載功耗被控制在 5.2W 以下,官方數據顯示相比常規 PCIe 5.0 SSD 功耗降低約 40%。
這為緩解移動端設備滿載運行時的散熱與續航壓力提供了硬件基礎。
![]()
占據 PCB 核心區域的是兩顆用于存儲數據的 NAND 閃存顆粒。
顆粒是由國內存儲封測廠商佰維(BIWIN)進行封裝的 3D TLC 閃存。配合主控,該閃存可提供 3600MT/s 的 I/O 接口速度。在理論性能方面,N8000 的最高順序讀取速度可達 11000MB/s,順序寫入速度達到 10000MB/s,隨機讀寫性能雙雙達到 1700K IOPS。宏碁 N8000 還引入了 HMB 機制,并配置了智能 SLC cache 動態緩存技術。
N8000 搭配了超薄石墨散熱貼片用于核心熱量導出,避開了占用空間的厚重金屬馬甲。產品目前提供 1TB 與 2TB 兩種容量版本,其中 2TB 版本的標稱耐久度達到 1500TBW。
目前宏碁存儲 Acer N8000 固態硬盤已經上市,1TB 款 1399 元、2TB 款 2299 元。
實拍圖賞:
![]()
![]()
配件包括固態硬盤 * 1 說明書 * 1 螺絲 * 1 螺絲刀 * 1 貼紙 * 1
![]()
![]()
特別聲明:以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布,本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.