內存暴漲下，SK海力士宣布成功開發LPDDR6

內存價格暴漲之際，韓國半導體巨頭SK海力士3月10日通過其官網宣布，該公司已成功開發出基于10納米級第6代（1c）工藝的16Gb LPDDR6 DRAM，目標在今年上半年完成量產準備工作，并在下半年開始出貨。

聲明提到，SK海力士已于1月份在CES 2026上首次展示了該產品，并于近期完成了開發認證。SK海力士方面表示：“我們是全球首家完成基于1c工藝開發LPDDR6的公司?！?/p>

低功耗是其最新產品的核心亮點之一。

據介紹，與上一代LPDDR5X相比，LPDDR6大幅提升了數據處理速度和能效，其數據處理速度較上一代提升了33%，運行速度超過10.7Gbps（每秒10.7千兆比特），超越了現有產品的最高水平。同時，功耗也較上一代降低了20%以上。

此前，《韓國商業周刊》（ Business Korea）曾披露，SK海力士的LPDDR6內存通過引入“高效模式”，能夠在保持12.8Gb/s傳輸速率的同時降低功耗。LPDDR6在低電壓條件下可實現10.9Gb/s的傳輸速率，即使在14.4Gb/s的峰值速度下也能保持穩定的性能。

SK海力士特別提到，為了降低功耗，公司采用了一種名叫動態電壓頻率調節（DVFS）的電源管理技術。簡單來說，根據不同的工作條件和使用場景，系統會對電壓和頻率進行調整。例如，在游戲等高性能場景下，系統會調高電壓和頻率以實現最大帶寬，而在日常使用中則會調低電壓和頻率以降低功耗。

SK海力士強調，其LPDDR6主要針對具備端側AI（On-device AI）功能的智能手機和平板電腦。

《韓國商業周刊》、《朝鮮日報》等韓媒均提到，傳統上來說，專門應用于智能手機等移動設備的LPDDR就具有低功耗的特點。隨著端側AI的競爭日益激烈，恰好滿足其需求的LPDDR已得到了存儲廠商們的重視。三星開發的LPDDR6同樣強調能效，其大部分電路在超低電壓下運行，讀取功耗較LPDDR5降低了27%，并且采用了1b工藝，領先于SK海力士。

推理型人工智能會生成臨時的“鍵值緩存”（KV緩存）數據來維護對話上下文。隨著上下文長度的增長，KV緩存的需求也會急劇上升，甚至可能超過GPU中HBM內存的容量。因此，將HBM的高帶寬與LPDDR的高容量和低功耗設計相結合，正成為一種極具前景的解決方案。

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