AOS上海：全球首條、超薄晶圓量產(chǎn)！

文 | 國家級上海松江經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)

圖 | 尼西半導(dǎo)體科技（上海）有限公司

AOS上海松江工廠重大突破：

全球首條CSP35微米功率半導(dǎo)體超薄晶圓正式量產(chǎn)

把一片晶圓磨到只有35微米厚，是什么概念？相當于頭發(fā)絲直徑的一半。

AOS萬國半導(dǎo)體旗下自有工廠—尼西半導(dǎo)體科技（上海）有限公司，已經(jīng)建成全球首條CSP35微米功率半導(dǎo)體超薄晶圓工藝及封裝測試生產(chǎn)線。

這一厚度突破讓功率芯片的導(dǎo)通電阻和熱阻大幅降低，顯著提升了器件的能效與散熱性能，為新能源汽車、5G基站等高功率密度應(yīng)用場景提供了核心支撐。

圖｜晶圓制造過程

豆腐上繡花，35微米見真章

晶圓越薄，性能越好，但加工難度也直線上升。晶圓薄到50微米以下后，脆得像薯片，稍微受力就可能裂開。尼西半導(dǎo)體通過和設(shè)備供應(yīng)商一起攻關(guān)，把加工精度控制在35±1.5微米，碎片率壓到0.1%以內(nèi)。把研磨產(chǎn)生的應(yīng)力損傷，通過化學(xué)腐蝕消除掉92%。切割環(huán)節(jié)也換了思路，不用傳統(tǒng)刀片，用定制化激光切，熱影響區(qū)小，切出來的良率達到98.5%。整個過程好比在豆腐上繡花，稍有不慎就前功盡棄。

40%、60%、5倍，薄芯片的三本賬

芯片做薄了，好處直接體現(xiàn)在電和熱上。載流子跑通芯片的時間縮短40%，發(fā)熱量下降，導(dǎo)通損耗就少了。熱阻比100微米的標準品下降60%，相當于給芯片裝上了更好的散熱片。封裝環(huán)節(jié)也跟著受益——可以做雙面散熱，模塊熱阻再降30%，功率循環(huán)壽命翻了5倍。成本賬也算得過來：同樣一片晶圓，切出來的芯片數(shù)量多出20%，手機快充模塊體積能砍掉一半，電動汽車的電控單元還能減重3公斤。

產(chǎn)線背后的“硬核天團”

這條產(chǎn)線的穩(wěn)定運行，依托于研發(fā)人員在一系列關(guān)鍵設(shè)備上的開發(fā)和專研，以及生產(chǎn)過程中精良的工藝管控。鍵合機用于晶圓與玻璃載片的臨時鍵合，對位誤差控制在120微米以內(nèi)，單日產(chǎn)能約400片。研磨機加工精度達0.1微米，片內(nèi)厚度偏差小于2微米。激光切割機切縫寬度僅11微米，相較傳統(tǒng)刀片切割可提升約10%的芯片有效面積利用率。解鍵合機通過激光實現(xiàn)玻璃與晶圓分離，并配套去膠工藝，破片率較低且化學(xué)品使用量小。從鍵合、研磨、切割到測試環(huán)節(jié)，產(chǎn)線均配備專用設(shè)備，其中測試環(huán)節(jié)單日產(chǎn)出可達12萬顆成品。此外，該產(chǎn)線中的關(guān)鍵設(shè)備由公司工程師與國內(nèi)設(shè)備廠商聯(lián)合研發(fā)，通過協(xié)同創(chuàng)新實現(xiàn)了核心裝備的自主可控，填補了國內(nèi)相關(guān)技術(shù)空白。

通過精密減薄、激光切割等核心工藝，35微米超薄晶圓技術(shù)將晶圓加工從“被動減薄”升級為“主動功能化”，使芯片在電熱性能、封裝密度上同步提升。該產(chǎn)線為國產(chǎn)器件進入高壓平臺、快充等市場提供了量產(chǎn)底座。

關(guān)于AOS

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