為發(fā)展AI半導(dǎo)體，三星宣布今年將投資110萬億韓元

3月19日，三星電子公布了“2026年三星電子企業(yè)價(jià)值提升計(jì)劃”，宣布2026年的資本支出和研發(fā)投入規(guī)模將達(dá)110萬億韓元（約合人民幣5060億元），超過2025年的90.4萬億韓元（包括37.7萬億韓元的研發(fā)投資和52.7萬億韓元的設(shè)施投資），創(chuàng)下歷史新高。預(yù)計(jì)大部分投資將集中在負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案（Device Solutions，DS）部門。作為對(duì)比，SK海力士2025年研發(fā)投入僅6.7萬億韓元。

三星電子副會(huì)長兼首席執(zhí)行官、DS事業(yè)部負(fù)責(zé)人全永鉉（Young Hyun Jun）在18日舉行的股東大會(huì)上表示：“DS事業(yè)部是全球唯一一家能夠提供從邏輯到存儲(chǔ)器、晶圓代工和封裝‘一站式解決方案’的半導(dǎo)體公司。”他補(bǔ)充道：“我們將打造技術(shù)競爭力，以確保在人工智能半導(dǎo)體市場保持領(lǐng)先地位。”

為滿足市場對(duì)人工智能半導(dǎo)體日益增長的需求，三星電子目前正致力于縮短其位于平澤園區(qū)（業(yè)界最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地）的第四工廠（P4工廠）的建設(shè)周期。此外，該公司也在積極推進(jìn)第五工廠（P5工廠）核心設(shè)施的建設(shè)。

此外，三星電子正在韓國龍仁工業(yè)區(qū)建設(shè)一座晶圓廠，并在美國德克薩斯州泰勒市建設(shè)一座最先進(jìn)工藝的晶圓代工廠，目標(biāo)是在今年年底前投入運(yùn)營。

三星電子還宣布，其目標(biāo)是在高價(jià)值存儲(chǔ)器市場（例如高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM)）中占據(jù)穩(wěn)固的行業(yè)地位，并持續(xù)保持顯著的領(lǐng)先優(yōu)勢。

今年2月，三星電子已經(jīng)進(jìn)入英偉達(dá)Vera Robin供應(yīng)鏈，成為全球首家量產(chǎn)并出貨業(yè)界性能最高的第六代HBM4芯片的公司。隨后，該公司不斷擴(kuò)大其在HBM市場的份額，包括被AMD指定為HBM4的首選供應(yīng)商。

三星電子計(jì)劃今年躍升為領(lǐng)先的人工智能公司，并加強(qiáng)其新的增長組合，同時(shí)在未來的增長領(lǐng)域（如先進(jìn)機(jī)器人、醫(yī)療技術(shù)、汽車電子和暖通空調(diào)）進(jìn)行重大并購。

此外，三星電子表示，即使在從 2024-2026 年自由現(xiàn)金流 (FCF) 的 50% 中扣除已返還給股東的金額和今年的常規(guī)股息 (9.8 萬億韓元) 之后，如果產(chǎn)生任何剩余資金，他們也將給予額外回報(bào)。

編輯：芯智訊-浪客劍