光芯片與光材料核心觀點更新

1、光芯片與光材料投資核心觀點

產業信心強化邏輯：兩場行業大會的舉辦，使市場對光互聯產業的發展信心得到進一步強化。本次大會上，全球兩大光芯片巨頭Lumentum、Coherent均再次宣布擴產計劃，這已是兩家企業近兩個月內第二次宣布擴產。盡管行業龍頭已釋放擴產信號，但當前光芯片領域整體供給仍存在剛性缺口，這一現狀充分反映出光芯片下游需求極為旺盛，供給端緊張局勢尚未緩解，印證了光互聯產業的高景氣度，為產業鏈相關環節發展提供了有力支撐。

·核心投資邏輯總述：當前光互聯技術正處于持續迭代發展階段，行業長期成長空間明確。結合光芯片領域需求旺盛、供給緊張的產業現狀，光芯片與光材料領域的供需共振投資機會已得到進一步強化，是光互聯產業鏈中值得重點關注的投資方向。

·核心推薦標的總覽：本次梳理的核心投資標的分為光芯片、光材料兩大方向，具體包括：

a. 光芯片方向：國內首推源杰科技，核心推薦組合還包括硅光芯片領域的中際旭創、新易盛，以及布局EML硅光芯片、CW、TFLN的華工科技，同時受益標的還有長光華芯、光迅科技、永鼎股份、世嘉光子、東山精密、光庫科技、安孚科技；海外標的包括Lumentum、Coherent、博通、Marvell、住友電工、Tower Semiconductor等。

b. 光材料方向：國內受益標的包括天通股份、福晶科技、中瓷電子、云南鍺業；海外標的包括AXT、IQE、Coherent等。

2、光材料與光芯片行業基礎介紹

·光材料體系分類及特點：光芯片的主流材料分為四大體系，另有輔助及新興材料。具體分類及特點如下：

a. 三五族化合物：為核心有源材料，分為兩類，磷化銦適配長距離、高速光通信場景，光電轉換效率優異，可用于EM激光器、DFB、APD探測器等產品；砷化鎵技術成熟、成本較低，適配短距離傳輸、消費電子、3D傳感、激光雷達領域，可用于VCSEL激光器，多應用于短距數據中心連接場景。

b. 硅基材料：分為硅、氮化硅兩類，具備高集成、低成本的核心特性，是未來超高速數據中心的主流方案之一，當前硅光子光模塊在光模塊中的占比呈長期提升趨勢。

c. 鈮酸鋰材料：電光效應強、帶寬高、功耗低，其中薄膜鈮酸鋰（區別于傳統體鈮酸鋰）適配單通道200G以上的超高速調制場景，是下一代數據中心超高速連接的核心材料。

除上述三類外，還有鍺、碳酸鋰、聚合物有機材料等輔助及新興材料。不同場景的選型邏輯清晰：長距離高速傳輸優先選用磷化銦，短距離及消費電子場景優先選用砷化鎵，超高速、高集成、低成本需求場景優先選用硅基方案，單通道200G以上的超高速調制場景優先選用薄膜鈮酸鋰。

·光芯片功能分類及特點：光芯片可按照是否具備發光能力、調制功能、是否需要外接CW（連續光）激光器分為三類，各類的功能特點、產品類型及光源要求差異顯著：

a. 純發光芯片：可自主產生光源，不具備調制功能，無需外接CW光源，典型產品包括DFB、FP、VCSEL芯片，自身可生成連續光，但無法完成信號調制。

b. 純調制芯片：具備較強的電光、聲光調制能力，無法自主發光，必須外接CW光源才可正常工作，典型產品包括硅光芯片、薄膜鈮酸鋰調制器、獨立電吸收調制器（EA），其中硅光芯片本身不具備發光屬性，必須配套CW光源使用。

c. 發光調制一體化芯片：同時具備發光與調制雙重功能，無需外接CW光源，典型產品包括EML芯片、PIC芯片，其中EML芯片由DFB激光器與EA電吸收調制器單片集成而成，是該類芯片的核心代表產品。

三類芯片基于功能差異適配不同應用場景，可根據實際的光源配套需求、性能要求靈活選型。

3、光芯片行業發展趨勢與供需格局

·光通信速率升級趨勢：AI產業快速發展驅動光通信網絡持續向超高速方向演進，2026年1.6T光模塊進入放量期。近期GTC大會與OFC大會上，中際旭創、新易盛等行業龍頭發布的XPO產品速率達12.8T，同時單個CPU光引擎速率達25.6T以上。光通信網絡速率升級節奏加快、技術迭代提速，將顯著拉動上游高速光芯片的需求。

·核心受益方向邏輯闡釋：短期光芯片領域三大核心受益方向分別為EML芯片、硅光芯片、CW激光器，各方向的驅動邏輯與應用情況如下：

a. EML芯片是NV等行業巨頭的首選方案，兼具調制與發光功能，穩定性強，適配超高速AIDC光互聯場景，核心制作材料為磷化銦。

b. 硅光光模塊滲透率正持續大幅提升，核心優勢為高集成度、降本效果顯著，可縮小光模塊體積、降低產品成本。隨著光模塊向800G、1.6T及后續3.2T、6.4T等超高速代際升級，硅光的成本優勢持續凸顯，CPO等新技術方案的推進也將進一步拉動硅光芯片需求。硅光材料本身不具備發光能力，僅能實現調制功能，因此需要外接CW激光器作為配套光源。

c. CW激光器是硅光、硼鉬磷酸鋰等調制類芯片的必備配套光源，其本質是連續發光的工作模式，并非特定芯片類型，DFB、FP、VCSEL等只要處于連續發光狀態均可歸為CW激光器。目前光通信場景對光源波長穩定性、窄線寬要求較高，可量產的達標產品主要為DFB激光器，因此行業通常將CW激光器默認為CW DFB激光器，長期來看CW激光器發展空間十分廣闊。

·行業供需格局與缺口情況：海外光芯片巨頭的擴產計劃從供給端驗證了行業高景氣度：Lumentum預計2026年底EML產能較2025年增長超50%，此前公司曾計劃磷化銦產線擴產40%，同時預測2030年AI數據中心對磷化銦的需求年復合增速將達85%；Coherent預計2026-2027年磷化銦產能將實現超級加倍增長。需求端來看，2027年1.6T光模塊需求將同比翻數倍，800G光模塊需求也將持續大幅增長，經測算，即使Lumentum、Coherent、博通、住友等海外廠商全部完成擴產，光芯片供給仍存在10%-30%的缺口。供需緊平衡背景下，部分光芯片企業已上調產品價格，光芯片成為明確的通脹環節；近期NV分別向Lumentum、Coherent各投資20億美金鎖定產能，進一步凸顯光芯片供應的緊俏程度。供需雙振的大背景下，全球光芯片企業迎來重大產業機遇，國內企業也有望切入巨頭供應鏈，實現較大的業績彈性。

4、光芯片與光材料投資方向梳理

·光芯片領域投資標的：光芯片領域核心分為兩大投資方向，對應的國內外推薦標的如下：

a. 海外相關標的覆蓋Lumentum、Coherent、Broadcom、Marvell、住友、Tower Semiconductor等企業；

b. 硅光芯片、硅光設備及硅光晶元方向的國內標的包括中際旭創、新易盛、華工科技。

當前國內以源杰科技、長光華芯、永鼎股份、仕佳光子為代表的優質光芯片企業，均在大力擴產光芯片尤其是CW激光器的產能，整體市場需求十分旺盛，同時企業的EML芯片正在全力向海外供應鏈拓展。從發展節奏來看，短期國內企業的CW激光器有望率先放量，EML芯片也存在逐步實現國產突圍的機會，國產替代邏輯清晰。

·光材料領域投資標的：光材料是除光芯片外需要重點重視的領域，當前核心的產業方向為硼鉬磷酸鋰，2026年GTC大會上已有公司重點提及該材料。硼鉬磷酸鋰是調制器領域的無冕之王，具備極強的電光效應、超高帶寬、極低功耗的特性，天然適配超高速AI數據中心的應用需求，需注意當前提及的鈮酸鋰均指薄膜鈮酸鋰。從量產節奏來看，若單通道速率超過200G，比如達到400G，則有可能達到薄膜磷酸鋰的量產臨界點，目前該材料產業還處于相對早期階段，具體放量節奏需要重點跟蹤。除此之外上游還有其他稀缺光材料。薄膜磷酸鋰產業鏈各環節的核心標的如下：

a. 上游材料環節：國內天通股份主營薄膜磷酸鋰襯底，福晶科技主營薄膜磷酸鋰晶體，中瓷電子主營薄膜磷酸鋰基片，鍺材料領域重點關注云南鍺業；海外重點關注標的包括AXT、IQE、Coherent等。

b. 調制器環節：光庫科技是純釙鉬磷酸鋰調制器的核心標的，安孚科技通過參股子公司布局硅光抑制集成的薄膜磷酸鋰調制器，華工科技、光迅科技均有布局薄膜磷酸鋰調制器業務，中利視創新勝等龍頭企業也具備相關技術儲備，有優勢切入薄膜鈮酸鋰調制器產業鏈。

·行業投資價值總結：在超高速AI光互聯時代，光芯片作為核心光器件，疊加光材料領域，有望迎來量價齊升的重大產業機遇。國內相關企業有望在這一產業發展浪潮中，逐步推進光芯片的國產替代進程，整體長期發展空間十分廣闊。建議重點關注光芯片與光材料兩大領域的投資機會。