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復旦大學集成電路與微納電子創新學院副院長周鵬
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來源:中國青年報客戶端
“如果這款芯片將來能夠量產的話,也許手機上就可以跑大模型了。”復旦大學集成電路與微納電子創新學院副院長周鵬所說的芯片全稱是“全功能二維半導體/硅基混合架構異質集成閃存芯片”。
在今天舉行的中關村論壇年會開幕式上,這款芯片入選國家自然科學基金委員會發布的2025年度“中國科學十大進展”。
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3月25日,2026中關村論壇年會開幕。中青報·中青網記者 尹希寧/攝
周鵬在會前向記者介紹,他的團隊為上述閃存芯片取了個名字叫“長纓”,“長纓”是可以支持8位指令與32位并行處理的高復雜度、指令驅動的全功能芯片,集成良率高達94.3%,為原子級芯片集成提供了新范式。
更重要的是,“長纓”不僅有中國名字,而且擁有中國完整自主知識產權,是由內而外的“中國芯”。
在主流的閃存市場上,消費者大多是購買U盤、固態硬盤、SD卡等來存儲數據。隨著人工智能、大數據技術的發展,研究人員甚至是普通消費者對存儲器提出了更高的要求。
如果將存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器,那么前者讀寫速度快而數據容易丟失,例如RAM(內存);后者即使斷了電也能保存數據,但讀寫速度相對慢,例如Flash(閃存)。
“我們的技術就是把易失和非易失的界限打破了。”周鵬說,“長纓”的成功研發意味著未來的存儲器既能保證讀寫速度快又能保證數據不易丟失。
2025年4月,周鵬-劉春森團隊在《自然》(Nature)期刊提出了“破曉”二維閃存原型器件,實現了400皮秒超高速非易失存儲,是迄今最快的半導體電荷存儲技術,為打破算力發展困境提供了底層原理。
上得了書架的科技成果,能不能上貨架?周鵬將存儲器產業形容成一座金字塔,越往塔尖成本越高。周鵬說:“我們是瞄著通用存儲器去做的,又快又便宜”。
目前,市面上主流的集成電路制造工藝是CMOS(互補金屬氧化半導體)技術。而周鵬與團隊將二維閃存原型器件融入傳統的半導體產線。
經過研發,“長纓”順利問世,性能“碾壓”目前的Flash閃存技術。周鵬打了個比方,在人工智能的應用背景下,如果一個大模型原來需要搭載9張英偉達的芯片才能夠運轉,那么換成量產的“長纓”,1張足夠。
眼下,完成“從0到1”創新的周鵬仍未止步,他和團隊的目標是“從1到10、100”。周鵬希望,“長纓”能夠盡快走向市場,推動行業和產業向新發展。
中青報·中青網記者 尹希寧
從 0 到 1 到量產!復旦 “長纓” 閃存:手機跑大模型,中國芯率先破局
點贊!復旦成果入選2025年度“中國科學十大進展”
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