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2026年4月8日,SK hynix宣布已開始量產消費級固態硬盤PQC21,這塊產品的最大賣點是業界首款采用321層QLC NAND 閃存。
PQC21的核心技術優勢在于將高密度321層4D NAND堆疊工藝與QLC(四級單元)存儲技術深度融合,同時采用外圍電路下置(PUC)架構,將外圍電路放置在存儲單元陣列下方,有效縮小芯片體積,實現了存儲密度與產品小型化的雙重突破。QLC(四級單元)是一種用于NAND閃存的存儲單元,可在單個單元中存儲四位數據,這也是其實現高存儲密度的核心基礎。
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具體來說,NAND閃存的性能與存儲密度,主要取決于單個存儲單元所能容納的數據位數,目前行業內主要分為單級單元(SLC,1位)、多級單元(MLC,2位)、三層單元(TLC,3位)、四級單元(QLC,4位)及五級單元(PLC,5位)。
其中,隨著存儲單元層級的提升,同一體積的NAND閃存可承載的數據量將呈指數級增長,進而實現存儲密度的大幅提升,這也是PQC21能夠在小巧體積內實現高容量的核心原因。據市場研究機構IDC預測,QLC NAND閃存在全球cSSD市場的份額將從2025年的22%顯著增長至2027年的61%,市場潛力巨大。
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不僅如此,PQC21還創新性地搭載了動態SLC緩存技術,并采用DP芯片封裝技術,將多個321層NAND芯片集成到單一芯片中,進一步提升單位面積的存儲密度。其中,動態SLC緩存可根據數據訪問需求,將部分存儲區域靈活切換為SLC(單級單元)模式,大幅提升頻繁訪問數據的讀寫速度與穩定性。
該技術采用“高速寫入+后臺轉換”的智能機制,先以SLC模式高速寫入數據,再通過后臺算法自動轉換為QLC目標格式,既保證了瞬時寫入性能,又兼顧了長期存儲的高密度需求,全面優化了產品的整體響應效率與使用體驗,有效彌補了傳統QLC技術在速度上的短板。
容量方面,PQC21初期推出1TB和2TB兩種主流規格,可充分滿足AI PC、高端筆記本及臺式機等設備的存儲需求,適配AI模型加載、多模態數據處理等高頻場景。
SK hynix表示,這款產品從2026年4月起, 已正式向戴爾科技批量供貨。后續SK hynix還將逐步擴大合作范圍,與全球更多主流PC廠商達成深度合作,進一步拓寬產品的市場覆蓋。
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總體來看,SK hynix PQC21這款321層QLC固態硬盤的成功量產與批量供應,不僅是公司在AI PC存儲領域的關鍵里程碑,更是其在高堆疊層數NAND技術領域的又一突破。該產品將精準匹配AI PC時代對高容量、高性能、低功耗存儲的核心需求,助力終端設備實現更流暢的AI運算與多任務處理,強化其在內存與存儲領域的核心競爭力,持續引領AI PC存儲技術的迭代升級。
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