臺積電豪擲560億美元擴產，CEO卻坦言芯片短缺將延續至2027年以后

臺積電正以創紀錄的資本支出押注AI芯片需求，但即便如此，這家全球最大晶圓代工商也坦承無法跟上需求步伐。

臺積電本周在財報電話會議上宣布，2026年資本支出預計將達到560億美元，資金將全部用于新建晶圓廠及升級現有產線。然而，CEO 魏哲家明確表示，盡管投入巨資，公司仍預計供應短缺將持續至2027年乃至更長時間，而非僅限于2026年。

這一表態直接揭示了當前AI超級周期下半導體行業的核心矛盾：需求擴張速度遠超產能建設周期。從GPU、CPU到內存，再到電壓調節器、集成電路、線纜等配套材料，整條供應鏈目前均處于短缺狀態，對英偉達、AMD、蘋果等主要客戶的晶圓訂單續簽形成制約。

全球建廠計劃：中國臺灣省、美國、日本三地同步推進

為應對持續攀升的3納米制程需求，臺積電正在全球范圍內執行多地并行的產能擴張計劃。

在中國臺灣省，臺積電將在臺南科學園區的GIGAFAB集群內新增一座3納米晶圓廠，預計2027年上半年投入量產。在美國亞利桑那州，第二座晶圓廠同樣采用3納米制程，建設工程已竣工，量產時間定于2027年下半年。在日本，臺積電計劃將第二座晶圓廠升級至3納米制程，量產時間預計為2028年。

魏哲家在財報會議上表示，除新建晶圓廠外，公司還在持續將中國臺灣省現有的5納米設備轉換為支持3納米產能，并在N7、N5、N3節點之間推行靈活的產能調配機制，以最大化對所有客戶的支持力度。他同時強調，在產能緊張的情況下，臺積電不會在客戶之間厚此薄彼。

需求端壓力：AI應用滲透全產業鏈

推動此輪供應緊張的核心驅動力來自AI需求的全面爆發。隨著Agentic AI興起，對高帶寬內存（HBM）及LPDDR的需求大幅攀升，AI應用對算力基礎設施的消耗已從數據中心蔓延至汽車、物聯網等多個終端市場。

英偉達、AMD、蘋果等科技巨頭持續更新晶圓訂單，進一步加劇了臺積電的產能壓力。魏哲家指出，現有產線一旦達到峰值產能，將啟動升級改造以補充增量需求，但這一過程需要時間。

供應瓶頸也促使部分廠商開始分散代工布局。據悉，特斯拉正同時與臺積電和三星合作開發下一代AI芯片，并推進與英特爾的Terafab合作計劃；英特爾亦被傳將憑借其14A制程工藝在年內贏得重要客戶；三星則在代工業務上迎來更多客戶詢單，但其當前重心仍集中于HBM等存儲芯片生產。

產能瓶頸短期難解，投資者需關注長周期風險

臺積電560億美元的資本支出計劃規模龐大，但晶圓廠從建設到量產的周期通常長達數年，這意味著即便資金到位，產能釋放也難以立竿見影。中國臺灣省和美國新廠最早要到2027年下半年才能實現量產，日本工廠則要等到2028年。

這一時間表意味著，在未來兩到三年內，AI芯片供應緊張的格局將大概率延續，相關產業鏈的交貨周期和采購成本壓力難以快速緩解。對于依賴先進制程芯片的科技企業而言，供應鏈管理和產能鎖定能力將成為影響其競爭格局的關鍵變量。