韓媒唱衰:中國十年內搞不出EUV光刻機,但中國可能要造光刻工廠
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韓國媒體斷言,中國十年內搞不出EUV光刻機,這番論調近期引發不少關注,面對技術封鎖與供應鏈限制,外界似乎認定中國在高端光刻機領域難有突破,可實際情況卻暗藏轉機
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美國不斷收緊光刻機相關禁令,從頂尖EUV設備擴至所有DUV浸沒式光刻機,還要求荷蘭等國協同執行、這讓中國獲取先進光刻設備得渠道被大幅壓縮,韓媒的唱衰,正是基于這一現實困境
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不過全球光刻機巨頭ASML卻流露擔憂,其CEO稱若將中國逼到絕境,中國可能研發出自主技術反哺西方、2026年第一季度,中國大陸市場占ASML銷售額的比例,已從超三分之一驟降至19%,韓國取而代之成為其最大市場 。
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制造EUV光刻機難度極高,單臺設備包含超十萬個精密零件,光源、鏡頭、雙工件臺等核心部件,分別依賴美、德、日等國的尖端技術,雙工件臺誤差需控制在2納米以內,堪比在沙粒上繪電路圖!
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但中國并非毫無進展,長春光機所造出國產極紫外光源樣機,國望光學實現28nm浸潤式鏡頭量產,正攻堅EUV光學系統,華卓精科更是躋身全球第二家掌握雙工件臺技術的企業
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除了單機技術突破,中國還在探索替代路線,納米壓印光刻便是重要方向之一,這項技術靠機械壓印復制微納結構,規避傳統光學光刻的分辨率極限,成本僅為沉浸式光刻的五分之一,能耗更是只有EUV光刻機的十分之一
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納米壓印技術在存儲芯片領域優勢明顯,美光科技已宣布支持相關設備,用來降低DRAM存儲芯片制造成本,國內企業璞璘科技也研發出線寬小于10nm得納米壓印設備,已投入量產,可應用于存儲芯片、硅基微顯等領域 。
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另一條路線是電子束光刻,浙江大學團隊研發地“羲之”設備,精度達0.6nm,線寬8nm,已進入應用測試階段,不過這兩項技術在生產效率、兼容性上,和ASML的EUV光刻機仍有差距,暫無法完全替代
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更具顛覆性的是“光刻機工廠”設想,清華大學團隊提出地穩態微聚束原理,要構建大型EUV光源系統,通過傳輸系統分配給多個曝光終端,靠集中供能解決精密難題,這和ASML得單臺設備集成思路截然不同
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這種模式避開單機技術地專利壁壘,契合中國大型工程建設地優勢,有點像汽車產業靠電動化體系實現彎道超車、不過它面臨巨額投資和長周期挑戰,短期內還沒法落地,當下中國仍在深耕DUV光刻機及成熟制程,靠多重圖形化、先進封裝等技術彌補短板 .
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其實比起糾結能不能造出EUV光刻機,更該關注的是技術路徑地多樣性、畢竟芯片制造的核心是滿足需求,而非一定要復刻某一種設備模式,找到適合自身發展的路,才是破局關鍵!
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有網友留言稱:“ASML慌,中國光刻機工廠模式挺創新,能繞開壁壘嗎、”這話問到點子上,創新模式能不能成,確實還得看后續的技術落地和產業鏈配合,但至少給行業提供新方向!
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在我看來,外界唱衰亦好,巨頭擔憂亦罷,都說明中國半導體產業的突圍已經觸動現有格局、不管是單機技術攻堅,還是新路線探索,都是在一步步打破封鎖,這種不服輸的勁兒,才是最讓人佩服的 。
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