韓媒唱衰:中國十年內搞不出EUV光刻機,但中國可能要造光刻工廠

韓媒唱衰：中國十年內搞不出EUV光刻機，但中國可能要造光刻工廠

韓國媒體斷言，中國十年內搞不出EUV光刻機，這番論調近期引發不少關注，面對技術封鎖與供應鏈限制，外界似乎認定中國在高端光刻機領域難有突破，可實際情況卻暗藏轉機

美國不斷收緊光刻機相關禁令，從頂尖EUV設備擴至所有DUV浸沒式光刻機，還要求荷蘭等國協同執行、這讓中國獲取先進光刻設備得渠道被大幅壓縮，韓媒的唱衰，正是基于這一現實困境

不過全球光刻機巨頭ASML卻流露擔憂，其CEO稱若將中國逼到絕境，中國可能研發出自主技術反哺西方、2026年第一季度，中國大陸市場占ASML銷售額的比例，已從超三分之一驟降至19%，韓國取而代之成為其最大市場 。

制造EUV光刻機難度極高，單臺設備包含超十萬個精密零件，光源、鏡頭、雙工件臺等核心部件，分別依賴美、德、日等國的尖端技術，雙工件臺誤差需控制在2納米以內，堪比在沙粒上繪電路圖!

但中國并非毫無進展，長春光機所造出國產極紫外光源樣機，國望光學實現28nm浸潤式鏡頭量產，正攻堅EUV光學系統，華卓精科更是躋身全球第二家掌握雙工件臺技術的企業

除了單機技術突破，中國還在探索替代路線，納米壓印光刻便是重要方向之一，這項技術靠機械壓印復制微納結構，規避傳統光學光刻的分辨率極限，成本僅為沉浸式光刻的五分之一，能耗更是只有EUV光刻機的十分之一

納米壓印技術在存儲芯片領域優勢明顯，美光科技已宣布支持相關設備，用來降低DRAM存儲芯片制造成本，國內企業璞璘科技也研發出線寬小于10nm得納米壓印設備，已投入量產，可應用于存儲芯片、硅基微顯等領域 。

另一條路線是電子束光刻，浙江大學團隊研發地“羲之”設備，精度達0.6nm，線寬8nm，已進入應用測試階段，不過這兩項技術在生產效率、兼容性上，和ASML的EUV光刻機仍有差距，暫無法完全替代

更具顛覆性的是“光刻機工廠”設想，清華大學團隊提出地穩態微聚束原理，要構建大型EUV光源系統，通過傳輸系統分配給多個曝光終端，靠集中供能解決精密難題，這和ASML得單臺設備集成思路截然不同

這種模式避開單機技術地專利壁壘，契合中國大型工程建設地優勢，有點像汽車產業靠電動化體系實現彎道超車、不過它面臨巨額投資和長周期挑戰，短期內還沒法落地，當下中國仍在深耕DUV光刻機及成熟制程，靠多重圖形化、先進封裝等技術彌補短板 .

其實比起糾結能不能造出EUV光刻機，更該關注的是技術路徑地多樣性、畢竟芯片制造的核心是滿足需求，而非一定要復刻某一種設備模式，找到適合自身發展的路，才是破局關鍵!

有網友留言稱：“ASML慌，中國光刻機工廠模式挺創新，能繞開壁壘嗎、”這話問到點子上，創新模式能不能成，確實還得看后續的技術落地和產業鏈配合，但至少給行業提供新方向!

在我看來，外界唱衰亦好，巨頭擔憂亦罷，都說明中國半導體產業的突圍已經觸動現有格局、不管是單機技術攻堅，還是新路線探索，都是在一步步打破封鎖，這種不服輸的勁兒，才是最讓人佩服的 。

這事你怎么看