浙江
投資銀行高盛認為，中國光刻機公司至少落后美國同行20年。光刻技術是半導體制造的幾個環節之一，也是阻礙中國制造高端芯片的唯一瓶頸。最先進的光刻機由荷蘭公司ASML制造，由于其依賴美國原產的零部件，美國政府有權限制其對華銷售。
由于擔憂與軍方的關聯，中國科技巨頭華為因美國政府制裁，被禁止從臺積電采購芯片。因此，華為不得不依賴中芯國際滿足其芯片需求，而美國又對中芯國際施加制裁，限制其采購極紫外 (EUV) 芯片制造光刻機，這意味著中芯國際只能用更舊的工藝以更高成本的方式生產 7 納米芯片。
然而，這些芯片很可能是使用 ASML 較老的 DUV 機器制造的，因為中國缺乏制造先進光刻掃描儀的能力，因為它們需要的零部件在全球范圍內生產，主要在美國和歐洲。投資銀行高盛的一份最新報告指出，中國國內光刻設備行業可能比 ASML 落后二十年。
圖片：Ray Wang/X
光刻是芯片制造工藝中的幾個步驟之一。它涉及將芯片設計從光掩模轉移到硅晶圓上。高端設備，例如 ASML 的 EUV 和高數值孔徑 EUV 掃描儀，能夠在硅晶圓上轉移更小的電路圖案，從而提高芯片性能。圖案轉移后，會進行蝕刻，形成最終布局，并在整個制造過程中沉積其他材料并清潔晶圓。
因此，光刻技術對于在晶圓上復制精細電路至關重要，這意味著光刻設備是芯片制造過程中的瓶頸。投資銀行高盛在最近的一份報告中認為，中國國內芯片制造行業至少還需要20年才能達到與ASML當前一代芯片制造技術相當的水平。
目前，臺積電等領先的芯片制造商正在量產3納米芯片，并正在加緊生產2納米產品。高盛的報告強調：“ASML花了20年時間，投入了400億美元的研發和資本支出，才從65納米光刻技術過渡到3納米以下。” 鑒于中國本土的光刻設備制造商目前處于65納米工藝階段，該銀行的數據顯示，這些公司似乎不太可能在短期內趕上西方。
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