全球第一！中國又一家芯片牛企硬核出世

作者：華商韜略

來源：華商韜略

作為第三代半導體材料的代表，氮化鎵被稱為“半導體游戲規則的改變者” 。

2015年，看好氮化鎵的前NASA科學家駱薇薇回國創業，如今，她已是全球氮化鎵芯片的王者。

AI正帶來一系列的用電挑戰與變革。

科技巨頭們則忙著制定新的游戲規則，引領行業前進。

比如，英偉達就決定引領數據中心電力系統的換代，從54V直流架構升級到800V高壓直流架構，目標在2027年全面部署，以滿足AI算力需求暴增后的供電效率。

8月1日，英偉達公布了800V直流電源架構合作伙伴名錄，7家企業入選了芯片供應商名單，有美國老牌芯片大廠、“張忠謀的老東家”德州儀器，日本知名半導體制造商羅姆，德國汽車芯片巨頭英飛凌，歐洲的意法半導體等等——

“最年輕”的，是來自中國的半導體廠商英諾賽科。

三天后，英諾賽科在官網發文，“本公司第三代氮化鎵GaN芯片具備高頻、高效率與高功率密度等特性，為英偉達800VDC架構提供從800V輸入到GPU終端，覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案。”

英諾賽科能被英偉達看中，與國際大廠并肩站在AI舞臺的中央，靠的就是對氮化鎵芯片技術的研究。

制材直接決定著芯片的成本、效率和性能。自1950年代芯片發明至今，先后有以硅為代表的第一代芯片材料，以砷化鎵和磷化銦為代表的第二代芯片材料，以及氮化鎵、碳化硅為代表的第三代材料。

其中，硅依然憑借穩定性高和地殼含量多等因素占據芯片材料的主流選擇。

1980年代興起的以砷化鎵和磷化銦為代表的化合物芯片，主導了移動通信基站、衛星通信系統等場景，但在整個芯片應用領域仍屬小眾。

2010年開始登上舞臺的氮化鎵，則被認為有可能對硅產生顛覆性的影響，因為它的各種特性都優于硅，而且特別適合AI時代。

以氮化鎵為材料做出的芯片，具有高功率、低能耗、體積小的特性，以AI時代最迫切需要的數據中心為例，應用氮化鎵芯片，可使單機房算力密度提升10倍以上。

成立于2015年的英諾賽科，目前已是氮化鎵芯片領域的龍頭企業，在全球氮化鎵功率半導體市場份額排名第一，市占率達42.4%，2024年在港股上市，目前市值近900億。

英諾賽科創始人駱薇薇為美籍華人芯片專家，她曾在NASA工作15年，從項目經理一路做到首席科學家。

2014年，美國納微半導體成為全球首個推出氮化鎵功率芯片的公司，全球氮化鎵材料芯片的研發與應用加速，一直關心著中國芯片發展的駱薇薇認為，這是中國實現芯片趕超的機會，于是決定回國創業。

駱薇薇曾用三個“難”字形容英諾賽科的創業之路，研發難、融資難、建廠也難，最初談了十幾個投資機構都黃了，但她始終對氮化鎵充滿信心，“我們沒有被‘固有經驗’勸退，每天朝著‘不可能’多走一步，走到了今天。”

2015年12月，駱薇薇回國創業，在珠海高新區成立英諾賽科，出資方包括英諾賽科、國企珠海高新創投和珠海高新技術創業服務中心，注冊資本10億人民幣。

即便自身是芯片專家，要在前沿領域做一家新公司，難度依然可想而知，得知消息的朋友，也曾勸她，“氮化鎵的坑太深了，不熬八、九年別想量產。”

但駱薇薇認為，困難是可以克服的，而且難才更顯意義。“在NASA的工作經歷讓我積累了勇氣，再難的事，也敢做可行性分解，按邏輯一步一步去完成。”

非但如此，她還一開始就選擇了最困難的方式，立志徹底掌握核心，創造出一個不同的成功樣本。

自臺積電張忠謀將芯片產業的設計制造一劈為二，分為芯片制造（代工）、芯片設計以來，芯片創業公司大都選擇了資產門檻更低，也更能聚焦力量投入研發的設計路線，而制造則交給臺積電、中芯國際等專業大廠。

但駱薇薇和創始團隊卻選擇了IDM全產業鏈模式，把設計、制造、銷售都掌握在自己手里。

這么選的理由是，只有有了自主可控的生產線，才能解決氮化鎵芯片大規模推廣的三大痛點：價格、量產和供應鏈保障。

而且，他們還更有挑戰性地決定：直接制造領先業界的8英寸晶圓，而不是當時市場主流的6英寸晶圓。

相比6英寸，8英寸晶圓能多產出80%的晶粒，降低30%的成本，做8英寸能真正把價格打下來，但每擴大一英寸，難度都呈指數級上升，要攻克一系列技術難關。

創業頭兩年，駱薇薇就像是“救火隊長”，帶領團隊四處突圍，買不到歐美卡脖子的設備，就想方設法找舊機器，年輕人工程師沒經驗，就駐守車間一遍一遍地教……

最終，英諾賽科克服一系列困難，攻下了兩大核心技術，一是突破了低翹曲度、低缺陷及位錯密度、低漏電晶圓制造等世界級挑戰，成功掌握了8英寸硅基氮化鎵外延技術；二是開發出8英寸硅基氮化鎵器件制造工藝流程。

2017年11月，英諾賽科建成了中國首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片生產線，于無聲處響了一記驚雷，受到了行業內外的關注，也為擴大產能找到了“伯樂”。

當時，正在加碼芯片產業的江蘇蘇州，邀請英諾賽科入駐其汾湖新型半導體產業園，支持其開建了被列為江蘇省重點項目的、投資總額就高達80億元的第三代半導體基地。

2020年夏天，英諾賽科的8 英寸芯片生產線迎來重大突破，產品良率達到92%，那天，一身油污工服的駱薇薇跟工程師團隊一起歡呼勝利。

2021年6月，英諾賽科（蘇州）半導體公司舉行了量產暨研發樓奠基儀式，標志著全球最大的氮化鎵生產基地正式投產，對全球第三代半導體技術的發展意義重大，上海、蘇州和國家集成電路產業投資基金的相關領導都出席了慶典。

歷經6年艱辛研發，英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵終于開啟了大規模量產的階段。

隨著量產的實現，英諾賽科得以大展拳腳，一位強援的加盟更是如虎添翼，他就是中芯國際技術研發副總裁吳金剛博士。

吳博士在中芯國際任職20年，是先進工藝制程業務的核心管理者，能讓他放棄千萬股權激勵離職，很多人猜測下家可能是華為，但沒想到是擔任英諾賽科的CEO。

打動吳博士的不是企業的規模，而是一個有更大想象力的未來，這也是駱薇薇她們所相信的，“氮化鎵技術將重塑AI算力、新能源汽車、機器人等未來產業的賽道。”

以人形機器人為例，機器人的靈活性取決于關節電機，傳統電機存在體積大、發熱高、續航短等問題，而未來單個機器人的關節將從今天的幾十個增加到兩百個以上，如果應用氮化鎵驅動模組，將徹底解決關節電機的問題，讓人形機器人無限接近人的靈活性。

在消費電子領域，氮化鎵技術帶來的改變已經出現，其低邊驅動器芯片能縮小電源系統的尺寸，降低功率損耗，延長電池的使用時間，進而被諸如手機，乃至新能源汽車相關產品采用。

2021年10月，英諾賽科自主研發的雙向導通產品VGaN率先導入OPPO手機，成為世界第一款導入智能手機內部電源開關領域的氮化鎵芯片。

隨后，智能充電品牌安克也采用了英諾賽科的氮化鎵芯片，兩家共同發布了全球首款65W全氮化鎵快充，攜手把手機快充設備推進到“氮化鎵時代”。

與手機快充一同快速發展的，還有英諾賽科的汽車電子業務，2022-23年，其多款車載充電器、激光雷達電源芯片產品獲得了AEC-Q101車規級認證。

在英諾賽科的C輪融資中，寧德時代董事長曾毓群以個人名義投資了2個億，英諾賽科也收獲了寧德時代這個重要的客戶，為其鋰電池相關設備提供電源模組。

2023年，不斷取得頭部客戶的英諾賽科，營收突破5億達5.93億元，截至當年8月，其氮化鎵芯片出貨量突破3億顆，實現了消費和工業級產品（手機、LED、汽車激光雷達、數據中心）的大批量交付，一躍成為全球消費類領域最大的氮化鎵供應商，市場份額高達42%，雖然依然虧損，但盈利的曙光已經展現。

如此業績，也讓英諾賽科遭到國外同行阻擊。

2023年5月，美國氮化鎵巨頭宜普就向聯邦法院和美國國際貿易委員會（ITC）指控英諾賽科專利侵權，意欲禁止其產品出口美國，但英諾賽科的700+項技術專利，瓦解了對方的進攻，取得了專利案的勝利。

打贏專利官司的另一邊，英諾賽科不斷加快走向全球市場的速度，在硅谷、首爾、比利時等地設立了子公司和研發中心。

駱薇薇常對海外團隊說，要讓世界相信‘中國芯’。而且，技術出身的她，也會變成“推銷”高手給同事們支招，“你們除了聊參數、技術之外，也要直觀地告訴客戶，用我們的芯片，能讓您的新能源車多跑50公里，數據中心的能耗降低20%。”

8月28日，英諾賽科發布了2025年的半年報，營收5.53億元，比去年同期增長43.4%，毛利率由負轉正為6.8%，還與頭部客戶全球首次實現搭載氮化鎵芯片的機器人量產出貨。

據咨詢機構調研，隨著AI數據中心、新能源汽車、機器人的迅猛發展，對第三代半導體芯片的需求也將越來越大，除了氮化鎵，同屬第三代芯片材料的碳化硅也在快速增長，其2030年的市場規模將達到150億美元。

而據業內專家預測，氮化鎵芯片市場將在兩到三年內達到數十億美元的規模，并在未來十年內達到約數百億美元。

因此，氮化鎵芯片的競爭仍會相當激烈，英諾賽科的勁敵英飛凌已經宣布，其成功研發的12英寸晶圓量產在即，而駱薇薇的征程也剛到中途，她的目標是：“做第三代芯片的臺積電、英偉達，不是羨慕人家的規模，而是技術上的話語權。”

今年春節，英諾賽科爆單了，員工們無暇過節，每天安排70人堅守在無塵車間，為了響應海外用戶的需求，維護團隊24小時待命，一位研發工程師看著實驗室里毫米見方的氮化鎵晶圓，對記者說：

“我們追趕的不是時差，是時代。”

[1] 《EPC專利被判決無效，英諾賽科獲ITC案件終極勝利》英諾賽科官網

[2]《駱薇薇：從NASA首席到英諾賽科掌舵人，一位女科學家的"造芯"傳奇》金磚財經