華潤微（華晶）的幕后歷史故事①（連載）

“中國功率分立器件行業第三大企業，其 MOSFET 產品國內市占率第一，第三代半導體（碳化硅、氮化鎵）技術快速突破，銷售收入大幅增長。核心技術包括國際領先的 BCD 工藝、MEMS 傳感器技術，以及國內領先的 IGBT 和功率封裝技術”

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前身階段：華晶電子&華科電子（ 1960 - 1998 ）

中國華晶電子集團前身作為我國集成電路產業的開拓者，其發展歷程與國家微電子戰略緊密交織，主要可劃分為三大階段：

一、初創奠基期（1960-1977）

1960 年由無錫電訊器材廠半導體車間與華昌絲廠部分人員組建江南無線電器材廠，初期僅能生產二極管。1963 年劃歸四機部后更名為 742 廠，通過 "廠校合并"（無錫無線電機械學校）強化技術力量，逐步掌握硅高頻管、數字場效應集成電路等 20 余種產品生產能力，形成 "質量第一" 的管理體系，榮獲 9 項國家金牌獎，成為國內重要半導體生產基地。

值得一提的是，70年代后期，工廠已經開始摸索生產黑白電視機六塊電路，并承擔國家微型計算機用8位CPU的攻關任務。

二、技術突破期（1977-1985）

1977 年成功爭取國家首條成套集成電路引進線（從日本東芝引進）落戶，建成 3 吋 5 微米技術生產線（1982 年投產），實現年產 2600 萬塊彩色電視機集成電路的能力。通過 "用戶標準即產品標準" 的市場化策略，1987 年產量占全國近 40%，成為國內產能最大、產業鏈最完整的FAB。

三、產業升級期（1985-1994）

作為 "南方微電子基地" 核心，1985 年組建無錫微電子聯合公司，1987 年啟動國家 "七五" 重點工程 —— 無錫微電子工程，建成科研生產聯合體，同步推進 3 微米 MOS 線建設與 5 微米雙極線擴產。

無錫微電子工程當時有三個主要任務：一是調集電子部24研究所許居衍院士等關鍵技術團隊到742廠建立無錫24所分所，以彌補742廠在集成電路工業化生產過程中研發力量欠薄弱的問題；二是從國外引進3微米技術的MOS生產線，以追蹤國際集成電路產業先進水平、進一步發展我國集成電路產業；三是5微米雙極生產線擴產（指上文提到的1978年我國引進的彩色電視機雙極電路生產線的擴容），以滿足國內日益增長的市場需求。

1990 年成立中國華晶電子集團公司，1994 年工程通過驗收，標志著我國微電子技術從 5 微米向 3 微米跨越，形成年產 1.2 億塊集成電路的生產能力。

在1994年驗收之后，1995年技術突破，華晶中央研究所羅浩平團隊完成"八五"攻關，研制1兆位MASK ROM和256K位SRAM采用1μm CMOS技術，標志我國集成電路進入兆位級時代

1983年，由華潤（集團）有限公司與原四機部、七機部、外經貿部聯合在香港設立微電子企業——香港華科電子公司，也已經建立中國首條4英寸晶圓生產線。

1990年8月機械電子工業部提出的工程建設計劃，是繼“無錫微電子工程”之后，我國向集成電路產業發起的又一次沖鋒——“908工程”

當時，908工程在三地之間做最后的抉擇：上海、無錫、紹興。國家通過調研、考察、打分，最終確定以華晶為依托，建設“908”主體工程。

整個908工程建設的主要任務有3項：

• 一是通過國際合作，建設一條6吋0.8—1微米、3000萬塊/年產量的硅生產線，這是908工程的主體部分，建設任務最后確定在無錫的華晶集團公司進行；

• 二是以北京集成電路設計中心為重點，建立若干集成電路設計中心（后來發展成為中國華大集成電路設計集團），形成新品開發能力；

• 三是建立掩膜制作中心，滿足國內需求以及開拓國際市場。

908工程從1990年8月啟動，到1992年9月國家計委才正式下發立項通知，兩年多的論證過程主要討論了兩個問題：引進是以通用電路為主還是以專業電路為主？是跟蹤國際先進水平為主還是滿足國內需求為主？這兩個問題就現在的認識來看應該是很好解決的，但是囿于當時對產業認識與積累的不充分，造成了難以抉擇的狀況。當然長時間的論證過程，也在一定程度上受到了計劃經濟思維的干擾，最終形成了決策上的“馬拉松”。

908主體工程先后歷經了與美國的ATMEL公司、朗訊公司，日本的富士通公司，加拿大的北方電訊公司的談判，最后在1995年，選擇了與美國朗訊公司簽約。1998年初，在華晶公司建成了一條0.8微米—1.2微米、月產1.2萬片的6吋生產線。（而此時海外已經到了8英寸 0.18um，試產0.13um了）

主體工程建設進度，本身來講，時間安排是抓緊的，但是由于工程前期的論證、談判所用的時間過于冗長（近5年），導致了工程建設尚未完全實施，產品技術就已經大大落后。

附錄之，華晶培養的優秀的半導體人匯總