導讀:挑戰英偉達!國產芯片發現新路徑,2年就能大規模商用
算力的天花板,終于要被打破了?
近日,存儲芯片價格陡然上揚,DDR4、LPDDR4X等產品較年初漲幅近達50%,推動芯片交易型開放式指數基金(ETF)單日漲幅達3.58%,資本市場呈現出一片活躍景象。
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從表面來看,這是供需關系失衡所導致的結果。一方面,AI大模型對存儲的需求如洶涌洪水般急劇增長;另一方面,存儲芯片原廠仍在實施減產策略,致使供給難以與需求相匹配,價格自然隨之大幅攀升。然而,若將這種價格上漲簡單地視為普通的價格波動,無疑是對其影響的輕描淡寫。
真正令市場高度緊張的是,單純依賴GPU堆疊的發展模式已然走到盡頭。GPU猶如一座高速運轉的工廠,但若數據無法及時輸入,或者存儲空間不足,即便擁有再先進的設備,也只能陷入停工等待的困境。這種“存儲墻”問題,已成為整個行業共同面臨的嚴峻挑戰。
即便像英偉達這樣的行業巨頭,也不得不從架構層面探尋新的解決方案。英偉達一方面采用將光模塊與芯片直接封裝在一起的方式,以降低數據傳輸損耗;另一方面大規模應用HBM高帶寬存儲技術,以追求更快的數據傳輸速度,同時積極嘗試近存計算技術,使數據處理盡可能在存儲設備附近完成。
但問題在于,美國早早就將先進工藝和高端技術列入“實體清單”,不僅通過一紙禁令切斷了相關產品的出口渠道,即便有部分產品勉強流入市場,大多也是經過閹割的版本,性能大幅降低。在高帶寬存儲芯片領域,更是被三星和SK海力士牢牢掌控,二者產能占比高達90%,且價格往往是普通內存的5倍之多。
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正因如此,我們已無其他選擇。然而,也正是在這種外部壓力的逼迫之下,國內高校與企業在多個領域齊頭并進,奮力探索出了一系列全新的解決方案。
清華大學與復旦大學的科研團隊率先成功研制出近存計算原型芯片,其能耗較傳統芯片直接降低一半以上;長鑫存儲的HBM樣品已進入客戶驗證階段,性能直逼國際先進水平;清華大學團隊研發的憶阻器芯片在圖像識別方面,能效比傳統GPU高出數十倍。曾經被視為難以跨越的技術障礙,如今正被我們逐一攻克,這無疑是最為有力的回應。
當前,自研自強的浪潮已在全行業范圍內蓬勃興起,國內眾多企業積極投身創新實踐,努力突破“卡脖子”技術瓶頸。如今,國產芯片領域已有眾多企業積極開展戰略布局。更為關鍵的是,我們不再是零星的單點突破,而是逐步構建起了涵蓋設計、制造到應用的完整產業鏈條。
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華為在昇騰、鯤鵬領域持續投入研發資源,中芯國際與華虹在制程工藝方面穩步推進技術革新,長鑫存儲和壁仞科技在存儲與算力領域加速探索創新路徑,多方力量正共同推動國產解決方案走向成熟。誠如華為董事長徐直軍所言:“最多2年,即可實現大規模商用。” 這并非空洞的口號,而是整個產業上下游協同合作、凝聚合力所賦予的充足底氣。
與此同時,國內大型企業也以實際行動表明了自身態度。字節跳動和阿里巴巴已停止相關產品測試,并取消了英偉達專為中國市場定制的RTX Pro 6000D訂單。對于那些經過性能閹割的產品,我們毅然決然地選擇摒棄,而非一味妥協退讓。
盡管未來或許仍充滿諸多挑戰,但可以明確的是,任何形式的封鎖都無法真正阻擋中國人追求突破與發展的堅定步伐。
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