提價(jià)30%！存儲芯片漲價(jià)潮來襲，產(chǎn)業(yè)鏈一文全讀懂！

01產(chǎn)業(yè)驅(qū)動(dòng)因素

①存儲芯片持續(xù)漲價(jià)

節(jié)前，因市場需求激增，多家存儲芯片廠商宣布漲價(jià)。

海外芯片大廠三星電子宣布將內(nèi)存價(jià)格上調(diào)30%，NAND閃存價(jià)格上漲5%-10%；美光科技也通知客戶價(jià)格將上漲20%-30%。

相關(guān)存儲產(chǎn)品甚至出現(xiàn)了缺貨。

不得不說，自2025年上半年以來，存儲芯片就呈現(xiàn)漲價(jià)趨勢，我國北京君正表示，存儲芯片漲價(jià)周期可能持續(xù)到明年。

其背后摩根士丹利表示，AI引發(fā)的芯片狂熱，正從GPU等邏輯芯片迅速蔓延至存儲芯片領(lǐng)域。

②半導(dǎo)體吹響周期向上的號角

值得一提的是，存儲芯片一直被認(rèn)為是半導(dǎo)體的“急先鋒”。

我們之前便提到，2025年上半年，我國半導(dǎo)體行業(yè)的營收、凈利潤分別同比增長17.23%、36.51%。

行業(yè)凈利潤自2024年便持續(xù)上行，今年利潤增速創(chuàng)下近三年新高，但還是沒有達(dá)到2022年的最高水平。

也正是在這樣的背景下，諸多半導(dǎo)體公司獲得了良好的業(yè)績，反而是存儲芯片相關(guān)公司業(yè)績表現(xiàn)較差，從而帶來較強(qiáng)的業(yè)績反轉(zhuǎn)預(yù)期。

02產(chǎn)業(yè)驅(qū)動(dòng)因素

03上游產(chǎn)業(yè)鏈

03-1半導(dǎo)體材料

無論是哪類芯片，其生產(chǎn)制造都要用到半導(dǎo)體材料和設(shè)備。

其中半導(dǎo)體材料應(yīng)用，晶圓制造要用到硅片，清洗、刻蝕環(huán)節(jié)都要用到電子特氣和濕化學(xué)品，薄膜沉積要用到靶材、前驅(qū)體，光刻要用到光刻膠和掩膜版，封裝環(huán)節(jié)要用到封裝材料（封裝基板、鍵合絲、粘合材料）等。

整體來說，半導(dǎo)體材料應(yīng)用較多的是硅片、電子氣體、光掩模版3類，其次是拋光材料、光刻膠、濕化學(xué)品等。

另外，半導(dǎo)體材料也是我國重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域。

國產(chǎn)化率相對較低的環(huán)節(jié)往往有著較高的技術(shù)壁壘以及國產(chǎn)替代空間。

包括光刻膠、電子氣體、濕電子化學(xué)品、CMP拋光墊、拋光液、12英寸硅片以及封裝基板等，它們的國產(chǎn)化率大多都在20%左右甚至更低。

03-2半導(dǎo)體設(shè)備

除半導(dǎo)體材料外，半導(dǎo)體設(shè)備在芯片制造中同樣重要，晶圓制造、封裝測試每個(gè)環(huán)節(jié)都有對應(yīng)的設(shè)備。

而且因?yàn)閱蝺r(jià)較高，半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模比材料規(guī)模更大。

2025年，全球半導(dǎo)體設(shè)備、材料規(guī)模預(yù)計(jì)分別達(dá)到1255億美元、超700億美元。

分類來看，光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、量檢測設(shè)備是4類主要的設(shè)備，其次是清洗設(shè)備、涂膠顯影設(shè)備、CMP設(shè)備等。

但半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化率也并不算高，2024年我國國產(chǎn)設(shè)備商占比雖然突破了50%，但量測、光刻、涂膠顯影、離子注入設(shè)備國產(chǎn)化率仍較低。

它們的技術(shù)突破難度比高端半導(dǎo)體材料突破難度還大。

03-3相關(guān)標(biāo)的

①雅克科技：半導(dǎo)體材料龍頭廠商，并是國內(nèi)唯一的前驅(qū)體供應(yīng)商，實(shí)現(xiàn)國內(nèi)頭部存儲客戶全覆蓋。

②晶瑞電材：國內(nèi)最早量產(chǎn)光刻膠的少數(shù)幾家企業(yè)之一，當(dāng)前ArF光刻膠已實(shí)現(xiàn)小批量出貨，紫外系列光刻膠產(chǎn)品出貨量增長顯著。

③北方華創(chuàng)：半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，在HBM芯片制造等領(lǐng)域可提供刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法、電鍍等多款核心設(shè)備。

④華海清科：國內(nèi)CMP拋光、封裝設(shè)備龍頭，均應(yīng)用于存儲芯片制造和封裝領(lǐng)域，目前正向平臺型企業(yè)邁進(jìn)。

04中游產(chǎn)業(yè)鏈

04-1存儲芯片分類

接下來，我們詳細(xì)了解一下存儲芯片。

存儲芯片主要分為兩類，DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器和NAND Flash非易失性存儲器，它們的設(shè)計(jì)和架構(gòu)不同，功能也有所不同。

簡單來說，前者斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，后者則可以保存，二者的應(yīng)用占比大約為56%：44%。

當(dāng)然，存儲芯片不止這兩類，DRAM還可以分為DDR、LPDDR、HBM。

其中DDR更適用于臺式機(jī)、服務(wù)器等場景，LPDDR專為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)，為低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存，HBM屬于高寬帶內(nèi)存，廣泛應(yīng)用于AI計(jì)算等場景，以降低數(shù)據(jù)通信能耗并提升運(yùn)算效率。

NAND Flash則包括SSD（固態(tài)硬盤）、嵌入式存儲、U盤等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于各類場景。

當(dāng)前，DRAM市場增速要快于NAND Flash。

根據(jù)Trendforce預(yù)測，2025年DRAM全球市場規(guī)模將達(dá)到1365億美元，同比增長51%，其充分受益于HBM崛起、DRAM產(chǎn)品升級、大廠限縮供給和服務(wù)器需求復(fù)蘇等。

NAND Flash市場規(guī)模將達(dá)870億美元，同比增長29%，同樣受到大容量QLC（四層式存儲單元）和SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤）崛起、智能手機(jī)采用QLC UFS（通用閃存存儲）等因素帶動(dòng)。

存儲芯片市場同時(shí)面臨了漲價(jià)、需求增長、技術(shù)迭代等多重邏輯。

04-2存儲芯片市場格局

我們把存儲芯片生產(chǎn)和市場格局一起來講。

具體來說，和其他芯片一樣，存儲芯片也要經(jīng)過設(shè)計(jì)、制造和封測三個(gè)環(huán)節(jié)，但存儲芯片還衍生出了存儲模組這一環(huán)節(jié)。

即模組廠將多個(gè)存儲芯片以及其他配套芯片（主控芯片、內(nèi)存接口芯片）進(jìn)行組裝，從而實(shí)現(xiàn)對終端的銷售。

由上圖可以看到，存儲芯片設(shè)計(jì)、制造、封測、模組集成和配套芯片的價(jià)值占比分別約為24%、42%、16%、13%和5%。

我們分別看一下：

①存儲芯片設(shè)計(jì)和IDM模式：當(dāng)前國內(nèi)上市存儲芯片廠商主要集中在設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，而海外龍頭多形成了集制造、封測為一體的IDM模式。

并且雖然我國存儲芯片廠商和國外還有較大差距，但隨著我國企業(yè)布局的完善（以長江存儲、長信存儲為主導(dǎo)），國產(chǎn)化率也在持續(xù)提升。

②存儲芯片封測：存儲芯片有專門的封測廠商，并且隨著HBM、3D堆疊等存儲技術(shù)的發(fā)展，帶動(dòng)了先進(jìn)封裝以及測試環(huán)節(jié)的需求。

可以說為了實(shí)現(xiàn)先進(jìn)制程，我國存儲芯片的封測能力也在不斷提升。

③存儲芯片模組集成：模組集成環(huán)節(jié)的利潤空間雖然相對較低，但其連接著上下游，對上可拓展空間較大，對下周期性特點(diǎn)更突出，同樣具有一定技術(shù)壁壘。

04-3相關(guān)標(biāo)的

①兆易創(chuàng)新：國產(chǎn)存儲芯片設(shè)計(jì)龍頭，雖然目前主要在NOR Flash領(lǐng)域地位突出，但DRAM領(lǐng)域也在持續(xù)拓展中。

②瀾起科技：內(nèi)存接口芯片龍頭，目前積極拓展高性能運(yùn)力芯片，打開增長新曲線。

③德明利：三大存儲模組廠商之一，2025年上半年?duì)I收實(shí)現(xiàn)88%的增長，嵌入式存儲、固態(tài)硬盤等加速放量。

④江波龍：全矩陣存儲模組龍頭，2025年二季度營收、凈利潤都有明顯改善，且已在企業(yè)級存儲、主控芯片等領(lǐng)域有所突破。

⑤深科技：承接長鑫存儲的晶圓加工業(yè)務(wù)，同時(shí)也是海外存儲模組廠商金士頓的封測業(yè)務(wù)的主要供應(yīng)商。

⑥通富微電：公司處于存儲器封測領(lǐng)域國內(nèi)第一方隊(duì)。

05下游產(chǎn)業(yè)鏈

目前來看，存儲芯片最核心的驅(qū)動(dòng)力還是AI。

可以分兩方面考慮，一方面，AI云端即AI數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器對于存儲芯片的需求。

有關(guān)機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，2025年我國AI資本支出將達(dá)7000億元，到2030年全球AI資本支出將達(dá)8000億美元！

數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器必然要處理海量數(shù)據(jù)，從而對存儲芯片及存儲模組的要求提升，帶動(dòng)諸如HBM以及企業(yè)級SSD和近線SSD（NL eSSD）的需求。

另一方面，AI端側(cè)/AI邊緣端設(shè)備的發(fā)展，同樣將增加對高寬帶、大容量和低功耗、小尺寸內(nèi)存的需求。

AI端側(cè)的發(fā)展也有望迎來持續(xù)且快速的增長。

06發(fā)展趨勢

最后簡單做個(gè)總結(jié)，存儲芯片當(dāng)前正面臨漲價(jià)、技術(shù)升級、國產(chǎn)替代和AI需求驅(qū)動(dòng)等多重刺激，未來其產(chǎn)業(yè)發(fā)展將有望迎來新一輪景氣周期。

#存儲芯片、#AI、#HBM

以上分析不構(gòu)成具體投資建議。股市有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。