北京
碳化硅功率器件市場規(guī)模預(yù)測
市場空間（按照終端系統(tǒng)拆分）
出貨量（按照終端系統(tǒng)拆分）
未來市場趨勢
全球收入排名
襯底產(chǎn)能趨勢
中國產(chǎn)業(yè)鏈
8吋現(xiàn)狀
SiC（碳化硅）的市場應(yīng)用前景，到2030年預(yù)計會達到103億美元，主要靠電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域（比如光伏逆變器、充電樁）推動。
而當前供應(yīng)鏈現(xiàn)狀：IDM模式是主流，8英寸晶圓量產(chǎn)在加速，但短期受EV需求放緩影響，中國廠商競爭激烈。整體來看，SiC技術(shù)潛力大，但市場波動和供應(yīng)鏈調(diào)整是當前挑戰(zhàn)。
晶圓尺寸在向8英寸升級，中國廠商已開始探索12英寸技術(shù)。
8英寸生產(chǎn)面臨質(zhì)量挑戰(zhàn)，但新技術(shù)（如PVT爐設(shè)計、激光切割）正在提升良率。
器件創(chuàng)新方面，MOSFET有平面型和溝槽型并存，JFET在低頻場景表現(xiàn)突出，超級結(jié)MOSFET也開始應(yīng)用。
供應(yīng)鏈上，工程襯底和混合封裝模塊成為新選擇。
整體來看，SiC技術(shù)正朝著大尺寸、高性能、低成本方向快速發(fā)展，但不同技術(shù)路線會長期共存。
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