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碳化硅功率器件市場規(guī)模預(yù)測
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市場空間(按照終端系統(tǒng)拆分)
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出貨量(按照終端系統(tǒng)拆分)
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未來市場趨勢
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全球收入排名
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襯底產(chǎn)能趨勢
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中國產(chǎn)業(yè)鏈
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8吋現(xiàn)狀
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SiC(碳化硅)的市場應(yīng)用前景,到2030年預(yù)計會達到103億美元,主要靠電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域(比如光伏逆變器、充電樁)推動。
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而當前供應(yīng)鏈現(xiàn)狀:IDM模式是主流,8英寸晶圓量產(chǎn)在加速,但短期受EV需求放緩影響,中國廠商競爭激烈。整體來看,SiC技術(shù)潛力大,但市場波動和供應(yīng)鏈調(diào)整是當前挑戰(zhàn)。
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晶圓尺寸在向8英寸升級,中國廠商已開始探索12英寸技術(shù)。
8英寸生產(chǎn)面臨質(zhì)量挑戰(zhàn),但新技術(shù)(如PVT爐設(shè)計、激光切割)正在提升良率。
器件創(chuàng)新方面,MOSFET有平面型和溝槽型并存,JFET在低頻場景表現(xiàn)突出,超級結(jié)MOSFET也開始應(yīng)用。
供應(yīng)鏈上,工程襯底和混合封裝模塊成為新選擇。
整體來看,SiC技術(shù)正朝著大尺寸、高性能、低成本方向快速發(fā)展,但不同技術(shù)路線會長期共存。
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