【IBS 預測】拆解半導體 CAPEX：數據中心硬撐需求，2030 年≤2nm 晶圓值 1066 億，封裝成新增長點

市場規模增長受關稅壓制，2030 年預計低于 1 萬億美元

半導體市場增長偏離歷史預測，核心制約因素是關稅及貿易摩擦；2025 年下半年行業財務能見度低，多數企業發布謹慎業績指引，進一步拉低中長期規模預期。

需求結構顯著分化，數據中心成唯一強驅動

不同應用場景需求 “冷熱不均”，數據中心因 AI、HPC 需求支撐半導體消費，而消費電子、汽車電子（傳統領域）需求疲軟；成熟芯片 segment（MCU、模擬）同時面臨需求不足與價格壓力。

先進制程與存儲創新成 CAPEX 核心投向 ≤2nm 先進制程是長期主線，需巨額 CAPEX 支撐

制程持續縮小是行業技術慣性，≤2nm 晶圓量將從 2030 年的 24 萬 WPM 增至 2035 年的 59 萬 WPM，對應 CAPEX 需求從 2030 年$1944億升至2035年$7056 億；頭部企業（TSMC、Intel、三星）主導技術路線。

存儲技術迭代（HBM、3D DRAM、NAND）驅動 CAPEX 增長

存儲市場聚焦 “高密度、低功耗、快速度”，HBM（高帶寬內存）、3D DRAM（立體架構）、1000 層 NAND 是關鍵方向，但技術挑戰與廠商整合并存，中國企業（CXMT、YMTC）逐步崛起。

封裝技術成先進制程 “配套剛需”，CAPEX 占比顯著提升

制程縮小至≤2nm 后，芯片內 / 外布線的 RC 延遲與功耗問題凸顯，2.5D/3D/3.5D 封裝成為解決方案，需光子學、玻璃基板等新技術支撐，封裝 CAPEX 占≤2nm 晶圓加工 CAPEX 的 15%。

功率器件（SiC/GaN）成新增長極，中國產能與技術崛起

EV 與數據中心驅動功率器件需求，SiC 已規模化應用（EV、數據中心電源），GaN 未來將切入 EV 車載充電；中國加速功率器件產能建設，技術競爭力提升，AI 模塊成差異化競爭點。

TSMC 絕對主導，區域與技術分層明顯
≤2nm 代工廠市場規模可觀，2030 年價值超千億

TSMC 壟斷先進代工廠市場，財務與產能優勢雙領先

Intel / 三星追趕，中國代工廠聚焦本土市場

2025 年 CAPEX 預計 $1558 億（+5% YoY），先進領域是主要投向

資本密集度飆升，技術門檻推高 CAPEX 門檻

2nm 晶圓廠 5 萬 WPM 投資成本$175億（28nm僅$32 億）

• 先進制程的高 CAPEX 需求，使得 CAPEX 占市場比例從 2021 年的 23.2% 升至 2035 年的 25.4%，行業 “資本驅動” 特征愈發明顯；長期來看，CAPEX 增長與市場規模增長的關聯性持續增強。

中國 WFE 廠商在光刻領域仍弱，但刻蝕 / 沉積設備已突破，2025 年 CAPEX 增長主要服務本土