【2025年歐盟報告】歐洲半導體戰略：核心要點、動因邏輯與現實挑戰

歐盟密集推出半導體戰略，本質是應對 “三重危機”：市場份額下滑的經濟危機、供應鏈依賴的安全危機、全球競爭的話語權危機，核心是捍衛 “戰略自主”—— 這是歐盟工業政策的底層邏輯（如之前的電池、氫能戰略）。

• 歐盟是全球芯片需求大國（汽車、工業電子占全球需求的 25%），但供給能力持續萎縮：2020 年全球芯片制造份額僅 9%，而 1990 年這一比例為 19%；2021 年歐盟芯片貿易逆差達 200 億歐元，且 “主流芯片”（28 納米及以上，用于汽車、能源）需求增長快于本土供給，30% 的主流芯片依賴中國進口。

  
  

  
  

• 2020 年疫情引發全球芯片短缺，歐盟汽車業首當其沖：德國汽車產量暴跌至 1975 年水平，大眾、寶馬等企業停產數周，直接損失超百億歐元。這一事件讓歐盟清醒認識到 “依賴亞洲產能” 的風險 —— 全球 5 納米及以下芯片產能中，臺灣（TSMC）占 92%、韓國（三星）占 8%，歐盟完全依賴進口；若發生地緣沖突，歐盟關鍵產業將 “斷供”。

  
  

• 全球主要經濟體均在加碼半導體：美國《芯片與科學法案》投入 2800 億美元（含 390 億美元制造補貼），目標 2032 年占全球產能 30%；中國通過 “大基金”（I、II、III 期）投入 1352 億歐元，目標 2025 年芯片自給率 70%；韓國 “K-Chips 法案” 提供 524 億歐元稅收優惠，鞏固存儲芯片優勢；日本 “Rapidus 計劃” 投入 167 億歐元，目標 2027 年量產 2 納米芯片。若歐盟不跟進，將在 “技術代差” 與 “產能布局” 上雙重落后，徹底喪失在數字經濟與先進制造領域的話語權。

《芯片法案》支柱 I（研發）與支柱 II（制造）聯動，通過 “試點線”（支柱 I）直接對接 “FOAK 工廠”（支柱 II），確保研發成果在歐盟本土轉化 —— 例如，荷蘭 ASML 的 High-NA EUV 技術（用于 3 納米及以下），通過 2023 年 IPCEI 項目接入歐盟試點線，未來將供應本土工廠。

《芯片法案》通過 IPCEI 與 “歐洲半導體委員會”（ESB）整合成員國資源：例如，2023 年 IPCEI 項目中，德國負責汽車芯片工廠、意大利聚焦碳化硅（新能源汽車用）、荷蘭主攻光刻設備，形成 “分工互補”。同時，歐盟明確國家援助規則（支柱 II），避免成員國 “補貼戰”（如之前德國與法國爭奪英特爾工廠）。

支柱 III 建立 “預警 + 應對” 體系：通過 “戰略圖譜” 監測全球產能、原材料（如鎵、硅晶圓）供應情況；通過 “危機工具箱” 在短缺時優先保障關鍵領域 —— 例如，若未來出現硅晶圓短缺，歐盟可協調成員國聯合采購，避免車企與電子企業 “惡性競爭”。

歐盟的核心局限是 “財政權限分散”—— 半導體制造屬資本密集型（建一座 5 納米工廠需 200 億歐元），歐盟預算無法單獨承擔，只能依賴成員國與私營企業。這種 “妥協” 體現在資金結構上（歐盟僅負責 10% 公共資金），也導致戰略目標存在 “不確定性”：若成員國補貼不到位（如匈牙利延遲對三星工廠的補貼）或私營企業撤資（如某車企暫停芯片工廠投資），戰略將受阻。

現實挑戰：目標 “過于雄心勃勃” 的隱憂

• 目標與資源錯配

  ASML 測算，要實現 20% 份額，歐盟需投入 2510 億歐元資本支出，而《芯片法案》總資金僅 860 億歐元，缺口達 1650 億歐元；且歐盟委員會無法強制成員國協調投資，部分小國因財政壓力難以參與（如東歐國家無力補貼 FOAK 工廠）。

• 外部環境制約

  能源成本高（歐盟電價是美國的 2-3 倍，芯片制造需高耗能）、原材料依賴（中國占全球 95% 精煉鎵、日本占 50% 硅晶圓）、技能短缺（預計 2030 年全球半導體人才缺口 100 萬，歐盟占比 20%），以及地緣政治（美國對華出口管制迫使 ASML 限制對華設備出口，影響歐盟企業營收）。

• 執行效率問題

  《芯片法案》因疫情緊急出臺，未做充分影響評估，部分目標缺乏量化指標（如支柱 I 的 KPI 無具體數值）；FOAK 工廠審批周期長（平均 4 年），即使 2025 年獲批，2030 年才能量產，難以貢獻份額。