北京
國家知識產權局信息顯示，常州臻晶半導體有限公司申請一項名為“用于液相法穩定生長碳化硅單晶的裝置及工作方法”的專利，公開號CN121065809A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發明屬于化學冶金技術領域，具體涉及一種用于液相法穩定生長碳化硅單晶的裝置及工作方法，本用于液相法穩定生長碳化硅單晶的裝置包括：內坩堝，其側壁內開設有環形腔室，所述環形腔室開設有若干層與內坩堝連通的排液孔組；外坩堝，套設在內坩堝的外圍，其腔底設置有用于伸入環形腔室并堵住各排液孔組的環形導向塊；驅動軸，與外坩堝連接；加熱器，位于外坩堝的外圍；控制模塊，與驅動軸電性連接；本用于液相法穩定生長碳化硅單晶的裝置及工作方法的驅動軸通過正轉帶動外坩堝下降高度使環形導向塊打開排液孔組，此時內坩堝中的溶液液面高度降低以遠離浮晶處。
天眼查資料顯示，常州臻晶半導體有限公司，成立于2020年，位于常州市，是一家以從事研究和試驗發展為主的企業。企業注冊資本249.4545萬人民幣。通過天眼查大數據分析，常州臻晶半導體有限公司參與招投標項目9次，財產線索方面有商標信息8條，專利信息46條，此外企業還擁有行政許可13個。
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本文源自：市場資訊
作者：情報員
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