存儲周期+自主可控，國產(chǎn)半導體設備邁入高速增長期！半導體設備ETF（561980）盤中漲超3%

1月14日上午，存儲器與半導體設備“卷土重來”！受益于存儲“超級周期”首份年報預增超500%提振，多家存儲公司開盤大漲。上游半導體設備由于核心受益于存儲需求高增，目前多股拉升。

高“設備”含量——半導體設備ETF（561980）盤中拉漲3.26%，實時成交額超1.4億元，近期基金規(guī)模剛創(chuàng)新高。目前權重股中微公司漲超4%，海光信息漲超6%，拓荊科技、長川科技漲超5%，寒武紀、北方華創(chuàng)、中芯國際、南大光電等漲超1%；成份股江豐電子、珂瑪科技等持續(xù)拉升。

消息面上，美國放寬了H200芯片出口到中國的監(jiān)管規(guī)定，此前已“條件性”允許向中國出售H200人工智能芯片。關于H200的放開，多家機構認為對國產(chǎn)算力產(chǎn)業(yè)鏈影響非常有限，反而會提振國產(chǎn)替代信心。

此外，存儲超級周期下的首份年報預告出爐，預計2025年凈利潤將大幅同比增長427.19%-520.22%，提振板塊情緒。

從產(chǎn)業(yè)鏈來看，存儲芯片屬于半導體設備空間最大的下游市場之一。2025年-2026年存儲價格持續(xù)上漲，TrendForce預估2026Q1一般型DRAM合約價還會季增55-60%，Server DRAM價格季增逾60%，NANDFlash各類產(chǎn)品合約價持續(xù)上漲33-38%。

【存儲周期+自主可控，國產(chǎn)半導體設備有望持續(xù)高增】

招商證券指出，需求爆發(fā)+技術升級驅動半導體行業(yè)進入新一輪周期，供需錯配帶動存儲持續(xù)漲價。

①需求端，NV推出新存儲平臺，AI存儲需求持續(xù)升級。

2026年1月6日，新一代Rubin AI平臺推出，其中，BlueField-4為推理上下文內存存儲平臺，預計在每個GPU原有1TB內存基礎上，額外增加16TB內存，NVL72機架預計將增加1152TB內存，有望帶動NAND需求進一步增長。

②供給端，供需缺口帶動26Q1存儲產(chǎn)品價格持續(xù)上漲。

目前國際頭部存儲芯片廠將主要產(chǎn)能轉向HBM、DDR5等適配AI和數(shù)據(jù)中心的高端芯片，但維持較為克制的擴產(chǎn)策略，同時大幅削減DDR4等傳統(tǒng)存儲芯片的產(chǎn)能，供給收緊導致存儲價格持續(xù)提升。

更重要的是，2025年12月國內存儲龍頭獲得IPO受理，其為全球第四、中國第一DRAM原廠，本次上市擬募資295億元投向量產(chǎn)線技改、下一代技術升級及前瞻研發(fā)，預計2027年底完成大部分設備導入，有望帶動國產(chǎn)設備需求和份額提升。

上游半導體設備國產(chǎn)化率較低，自主可控訴求迫切。根據(jù)MIR，2024年中國晶圓制造設備綜合本土化率25%，其中光刻機、量檢測設備、涂膠顯影機的國產(chǎn)化率較低，分別為<1%、9%、12%；MIR預測到2026年，中國晶圓制造設備綜合本土化率有望提升至30%。

半導體設備ETF（561980）跟蹤中證半導，高度聚焦半導體產(chǎn)業(yè)鏈中技術壁壘最高、價值最集中的上游環(huán)節(jié)，“設備”含量近60%。指數(shù)前十大權重股集中度接近80%，覆蓋中微公司(刻蝕設備)、北方華創(chuàng)(多領域設備)、中芯國際(制造龍頭)、海光信息、寒武紀(AI芯片設計)、南大光電（半導體材料）等細分龍頭，設備+材料+芯片設計三行業(yè)占比超90%，或為國產(chǎn)替代攻堅產(chǎn)業(yè)鏈，成長空間廣闊。

半導體設備ETF（561980）標的指數(shù)多階段表現(xiàn)

截至上周五，中證半導2018以來最大漲幅超640%（上一輪半導體周期至今），彈性明顯優(yōu)于中證全指半導體、中華半導體芯片、國證芯片等同類半導體指數(shù)中均位列第一。2025年至今，指數(shù)上漲超87%，亦優(yōu)于同類指數(shù)，顯示長投短投或均更具阿爾法。

風險提示：基金有風險，投資需謹慎。