芯片訪華后漲價70%，中國何時追上韓國水平

前腳剛在中國笑臉相迎，與各方達成看似友好的交流；后腳回到韓國，就立刻對服務器存儲芯片下達了“漲價令”，幅度高達60%到70%。

這并非商戰電影的橋段，而是2026年初，全球科技界，特別是中國科技產業真實面臨的“冰火兩重天”。

一方面，美國科技巨頭為搶購AI算力核心的高帶寬內存（HBM），不惜重金派高管常駐韓國鎖定貨源；另一方面，中國企業面對漲價與潛在斷供束手無策。這印證了芯片領域“弱肉強食”的叢林法則，無情面可言。

這場AI核心芯片爭奪戰已超越商業競爭，關乎國家科技命脈。中國存儲芯片何時能追上韓國水平，擺脫“看人臉色”的窘境，成為關鍵命題。

中國被“卡脖子”的核心，在于韓國掌握的高帶寬內存（HBM）。AI大模型如同大腦，HBM則是輸送養分的血管，AI服務器對存儲芯片的需求是普通服務器的8-10倍。

全球存儲芯片市場被三星、SK海力士、美光三巨頭高度壟斷：2024年三者在DRAM市場合計占比超94%，NAND市場超80%。而在HBM領域，三巨頭形成絕對壟斷，2025年第三季度僅SK海力士市占率就達57%，三星、美光緊隨其后。

壟斷地位賦予韓國廠商漲價底氣。AI需求指數級爆發導致全球HBM產能告急，韓國廠商借機提價攫取超額利潤。需明確的是，此次漲價是面向全球的行業性提價，核心驅動力是供需失衡，非針對中國的報復性操作。

中國作為全球第二大存儲芯片消費市場，需求占全球近三成，但核心供應高度依賴進口。2025年長鑫存儲DRAM市占率僅10%-12%，長江存儲NAND市占率8%-10%，核心存儲芯片自給能力薄弱，巨大供需缺口成為致命軟肋。

中國企業主要面臨三重枷鎖：

一是技術代差。HBM需多層芯片3D堆疊并保障傳輸穩定性，SK海力士HBM4已于2025年9月完成開發并量產出貨，12層堆疊的HBM3E早實現量產；國內長鑫存儲HBM2量產、HBM3樣品交付并計劃2026年量產，雖實現階段性突破，但在堆疊層數、帶寬等硬指標及規模化量產能力上仍有差距。

二是產能壟斷。美日韓掌控全球高端存儲芯片產能，形成從晶圓制造到封裝測試的閉環。國內高端制程、先進封測產能有限，短期內難以滿足高性能存儲需求。

三是外部擠壓。地緣政治加劇使關鍵芯片設備、資料進口難度大增，非市場因素直接壓縮了國產替代空間。

面對困境，中國并非無計可施。完整的產業鏈生態是最大優勢，一場跨區域的產業鏈協同突圍已在合肥、北京、武漢等地打響。

制造端，長鑫存儲加速追趕，HBM3樣品已交付客戶，計劃2026年量產、2027年攻克HBM3E；長江存儲在NAND領域突破顯著，獨創的晶棧?Xtacking?架構實現海外授權，完成技術反向輸出。

設備端進展顯著，北方華創、中微公司等已研發出HBM生產所需的刻蝕機、薄膜沉積設備，可應用于TSV銅填充等關鍵工藝，雖未完全替代進口，但已成為“備胎”并進入部分核心生產線。

上下游協同模式是突圍關鍵。國家“產業基礎能力提升計劃”集中資源攻克軟件、設備、材料等核心難題，推動構建自主可控的半導體生態系統。

中國追上韓國存儲芯片水平需循序漸進，不可急功近利，也無需妄自菲薄。未來三年是關鍵窗口期，需分階段推進。

短期內以“穩”為目標，擴大中低端芯片產能提升自給率，解決“有無”問題，穩住消費電子與數據中心基本盤；中期聚焦“攻”，突破HBM良率與量產瓶頸，2026年國產HBM3量產出貨將打破壟斷壁壘；長期致力于“立”，積累技術后爭奪國際標準制定權，實現從“跟跑”到“并跑”“領跑”的跨越。

韓國廠商訪華后漲價雖令人憋屈，卻也成為國產替代的“催化劑”，讓我們深刻認識到核心技術無法乞求。韓國京畿道的搶貨亂象是舊秩序的焦慮，而中國實驗室與工廠的燈火，照亮了重構行業秩序的希望。這場存儲芯片與AI未來的博弈，中國開局落后，但比賽才剛起步，勝負未定。

韓國廠商這次“訪華后漲價70%”的操作，雖然讓我們感到憤怒和憋屈，但從另一個角度看，也給我們敲響了警鐘，提供了一劑強烈的“催化劑”。它讓我們更加清醒地認識到，核心技術，真的是要不來、買不來、討不來的。

京畿道酒店里的搶貨大戰還在繼續，那是舊秩序下的混亂與焦慮。而在中國實驗室和工廠里徹夜不熄的燈火，則照亮了我們重構行業秩序的希望。

這場關于存儲芯片、關于AI未來的戰爭，中國雖然開局落后，但比賽才剛剛開始，鹿死誰手，尚未可知。