中國離子注入機研發新突破，芯片供應安全再添保障

中國長期以來一直完全依賴進口高能離子注入機。日前，中國研發出一款高度先進的"顯微手術刀"，在突破芯片供應鏈關鍵瓶頸方面取得了重要進展。

中國原子能科學研究院1月18日宣布，成功研制出國內首臺具有完全自主知識產權的高能氫離子注入機，命名為POWER-750H，性能達到國際同類先進水平。離子注入機在特定半導體制造工藝中起著至關重要的作用，它利用加速離子將精確數量的材料注入硅片。專家表示，掌握這項技術對于中國推進高科技芯片國產化生產、減少對外國供應商的依賴至關重要。

中國原子能科學研究院表示，長期以來，中國完全依賴進口高能氫離子注入機，國外的技術限制和市場壟斷制約了國內該技術的發展。基于數十年核物理和加速器技術積累，該院現在利用串列加速器技術實現了完全自主設計能力。這一突破覆蓋了從基本原理到全系統集成的每個階段，使中國能夠在國內生產串聯式高能氫離子注入機，減少對海外供應商的依賴。

專家認為，這標志著我國在加強半導體制造基礎設施方面邁出了重要一步。此外，實現這些高能離子注入機的國產化發展，將有力推動我國半導體自主可控能力建設，增強不依賴外國技術生產關鍵部件的能力。與此同時，掌握離子注入技術已成為中國的一項戰略重點，因為該技術被認為是半導體制造中"四大核心裝備"之一。然而，開發如此先進的設備需要克服重大技術挑戰。

芯片生產需要極高的精度和穩定性，對于離子注入機而言，這意味著要控制納米甚至原子尺度的多個參數。實現這種水平的控制對于生產高性能芯片和減少對進口技術的依賴至關重要，這將使中國得以加強國內半導體制造能力。

在離子注入過程中，離子會改變硅片中特定區域的電學性能。更高能量的離子束穿透深度更大，可形成芯片工作的內部結構，如晶體管和二極管。如果離子束不穩定，芯片性能就會受損，而且設備必須長期穩定運行才能滿足工業需求。

與光刻機不同，離子注入機并非用于每個芯片的制造，但對于某些應用場景（包括節能半導體和高質量圖像傳感器）來說卻必不可少，在這些領域，注入精度直接影響芯片性能和良率。

過去十年來，中國不斷加強半導體產業建設，構建更加自主可控的供應鏈。中微公司的刻蝕設備已用于5納米芯片生產，上海微電子的封裝光刻系統為數據中心芯片提供支撐，海思等企業設計出世界一流的移動"片上系統"，國內企業在電子設計自動化軟件領域的市場份額穩步增長，這些共同助力中國打造更完整的半導體生態系統。

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