存儲成本飆升 終端產品漲價壓力傳導至消費端

1月25日消息，據韓媒報道，三星電子已將2026年第一季度NAND閃存供貨價格上調100%以上，去年年底已與核心客戶完成新價合同簽署，今年1月起正式執行。這是繼DRAM內存合同價最高上調近70%后，存儲市場再迎重磅調價，漲幅遠超此前市場預期。

NAND閃存漲價呈行業擴散態勢。作為全球NAND市場份額前兩位的廠商，SK海力士價格漲幅與三星相近，全球第五大廠商閃迪也計劃今年將NAND價格上調100%，野村證券此前已披露該消息。“與DRAM一樣，NAND制造商相繼加入漲價行列，全市場漲價已難以避免?！睒I內人士表示。

此次漲價并非短期波動。市場調研機構數據顯示，2025年第四季度NAND價格環比上漲33%～38%，當時市場預計今年一季度漲幅相近，而實際漲價幅度大幅超出預期，反映出市場供需失衡的加劇。

供需失衡是漲價核心動因。需求端，AI應用擴散催生爆發式需求，AI基礎設施投資拉動企業級固態硬盤需求激增，端側AI趨勢推動移動設備、PC搭載大容量存儲方案，英偉達全新架構更將NAND納入AI分層內存體系，進一步放大需求。供給端，過去一年行業無大規模擴產，三星等廠商投資謹慎，疊加128層向更高階制程轉換，以及產線向QLC工藝改造，常規產能被擠壓，供給增長受限。

漲價潮的市場影響已逐步顯現。AI基礎設施建設成本攀升，出現“AI普及瓶頸在于存儲器”的觀點；智能手機、PC制造商計劃上調終端售價，以轉嫁存儲成本壓力。由于供給短期內難以大幅提升，這一傳導效應預計將持續。

行業普遍預測，NAND價格上漲趨勢將延續至二季度，目前三星正與客戶協商該季度供貨價格上調事宜。隨著DRAM與NAND雙重漲價，存儲行業周期性復蘇態勢明確，同時AI驅動的結構性需求重構，正重塑存儲芯片定價邏輯。