快科技2月9日消息,三星電子將于本月下旬,也就是農歷新年假期(今年2月17日為農歷初一)之后,正式向NVIDIA批量交付HBM4高帶寬存儲芯片,標志著全球范圍內HBM4芯片首次實現大規模量產與出貨。
業內消息顯示,三星電子已順利通過NVIDIA HBM4芯片的全部認證流程,交付時間精準匹配NVIDIA新一代人工智能加速器的發布計劃,其中就包括Vera Rubin平臺。
據悉,NVIDIA計劃在3月16日至19日舉辦的GTC 2026大會上,首次公開展示搭載三星HBM4芯片的Vera Rubin人工智能計算平臺。
NVIDIA CEO黃仁勛在上月的CES 2026展會上就曾透露,Vera Rubin平臺已全面進入生產階段。這也讓市場對該平臺2026年下半年的正式推出充滿期待,而三星HBM4的及時交付,將為其順利落地筑牢關鍵基礎。
據悉,此次三星量產的HBM4芯片,性能大幅超越行業現行標準。工藝方面,DRAM單元芯片使用1c工藝(即第六代10nm級DRAM技術),基板芯片則采用4nm代工廠工藝,這一組合直接推動HBM4芯片性能實現跨越式提升。
具體來看,三星HBM4的數據處理速度可達11.7Gbps,比行業標準機構JEDEC設定的8Gbps高出約37%,也較上一代HBM3E的9.6Gbps提升22%;單堆棧存儲帶寬達3TB/s,是上一代產品的2.4倍。
該芯片采用12層堆疊技術時可提供36GB容量,未來升級至16層堆疊后,容量還能進一步拓展至48GB。
簡單來說,HBM(高帶寬存儲)是專為AI加速器、高性能計算設備設計的高端存儲芯片,核心作用是破解算力提升帶來的內存帶寬瓶頸,也是AI大模型訓練、自動駕駛等前沿領域的核心器件。
當前全球AI算力需求持續爆發,HBM市場需求也隨之快速增長。此次HBM4芯片大規模量產,不僅能推動全球存儲技術迭代升級,更能為下一代AI計算平臺的性能突破提供有力支撐。
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