快科技2月9日消息,三星電子將于本月下旬,也就是農(nóng)歷新年假期(今年2月17日為農(nóng)歷初一)之后,正式向NVIDIA批量交付HBM4高帶寬存儲(chǔ)芯片,標(biāo)志著全球范圍內(nèi)HBM4芯片首次實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)與出貨。
業(yè)內(nèi)消息顯示,三星電子已順利通過(guò)NVIDIA HBM4芯片的全部認(rèn)證流程,交付時(shí)間精準(zhǔn)匹配N(xiāo)VIDIA新一代人工智能加速器的發(fā)布計(jì)劃,其中就包括Vera Rubin平臺(tái)。
據(jù)悉,NVIDIA計(jì)劃在3月16日至19日舉辦的GTC 2026大會(huì)上,首次公開(kāi)展示搭載三星HBM4芯片的Vera Rubin人工智能計(jì)算平臺(tái)。
NVIDIA CEO黃仁勛在上月的CES 2026展會(huì)上就曾透露,Vera Rubin平臺(tái)已全面進(jìn)入生產(chǎn)階段。這也讓市場(chǎng)對(duì)該平臺(tái)2026年下半年的正式推出充滿(mǎn)期待,而三星HBM4的及時(shí)交付,將為其順利落地筑牢關(guān)鍵基礎(chǔ)。
據(jù)悉,此次三星量產(chǎn)的HBM4芯片,性能大幅超越行業(yè)現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)。工藝方面,DRAM單元芯片使用1c工藝(即第六代10nm級(jí)DRAM技術(shù)),基板芯片則采用4nm代工廠工藝,這一組合直接推動(dòng)HBM4芯片性能實(shí)現(xiàn)跨越式提升。
具體來(lái)看,三星HBM4的數(shù)據(jù)處理速度可達(dá)11.7Gbps,比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC設(shè)定的8Gbps高出約37%,也較上一代HBM3E的9.6Gbps提升22%;單堆棧存儲(chǔ)帶寬達(dá)3TB/s,是上一代產(chǎn)品的2.4倍。
該芯片采用12層堆疊技術(shù)時(shí)可提供36GB容量,未來(lái)升級(jí)至16層堆疊后,容量還能進(jìn)一步拓展至48GB。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),HBM(高帶寬存儲(chǔ))是專(zhuān)為AI加速器、高性能計(jì)算設(shè)備設(shè)計(jì)的高端存儲(chǔ)芯片,核心作用是破解算力提升帶來(lái)的內(nèi)存帶寬瓶頸,也是AI大模型訓(xùn)練、自動(dòng)駕駛等前沿領(lǐng)域的核心器件。
當(dāng)前全球AI算力需求持續(xù)爆發(fā),HBM市場(chǎng)需求也隨之快速增長(zhǎng)。此次HBM4芯片大規(guī)模量產(chǎn),不僅能推動(dòng)全球存儲(chǔ)技術(shù)迭代升級(jí),更能為下一代AI計(jì)算平臺(tái)的性能突破提供有力支撐。
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