河南
快科技2月9日消息，三星電子將于本月下旬，也就是農歷新年假期（今年2月17日為農歷初一）之后，正式向NVIDIA批量交付HBM4高帶寬存儲芯片，標志著全球范圍內HBM4芯片首次實現大規模量產與出貨。
業內消息顯示，三星電子已順利通過NVIDIA HBM4芯片的全部認證流程，交付時間精準匹配NVIDIA新一代人工智能加速器的發布計劃，其中就包括Vera Rubin平臺。
據悉，NVIDIA計劃在3月16日至19日舉辦的GTC 2026大會上，首次公開展示搭載三星HBM4芯片的Vera Rubin人工智能計算平臺。
NVIDIA CEO黃仁勛在上月的CES 2026展會上就曾透露，Vera Rubin平臺已全面進入生產階段。這也讓市場對該平臺2026年下半年的正式推出充滿期待，而三星HBM4的及時交付，將為其順利落地筑牢關鍵基礎。
據悉，此次三星量產的HBM4芯片，性能大幅超越行業現行標準。工藝方面，DRAM單元芯片使用1c工藝（即第六代10nm級DRAM技術），基板芯片則采用4nm代工廠工藝，這一組合直接推動HBM4芯片性能實現跨越式提升。
具體來看，三星HBM4的數據處理速度可達11.7Gbps，比行業標準機構JEDEC設定的8Gbps高出約37%，也較上一代HBM3E的9.6Gbps提升22%；單堆棧存儲帶寬達3TB/s，是上一代產品的2.4倍。
該芯片采用12層堆疊技術時可提供36GB容量，未來升級至16層堆疊后，容量還能進一步拓展至48GB。
簡單來說，HBM（高帶寬存儲）是專為AI加速器、高性能計算設備設計的高端存儲芯片，核心作用是破解算力提升帶來的內存帶寬瓶頸，也是AI大模型訓練、自動駕駛等前沿領域的核心器件。
當前全球AI算力需求持續爆發，HBM市場需求也隨之快速增長。此次HBM4芯片大規模量產，不僅能推動全球存儲技術迭代升級，更能為下一代AI計算平臺的性能突破提供有力支撐。
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