美日臺(tái)聯(lián)手科技合圍，高市下黑手卡中國脖子，這招比稀土還厲害！

臺(tái)灣臺(tái)積電這家企業(yè)，在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域堪稱執(zhí)牛耳者，手握業(yè)界最尖端的晶圓代工工藝，技術(shù)壁壘高聳入云。

2026年2月5日，臺(tái)積電董事長魏哲家專程飛抵東京，與日本首相高市早苗舉行閉門會(huì)談，正式確認(rèn)熊本第二座晶圓廠將全面升級(jí)至3納米制程產(chǎn)線。

消息一經(jīng)披露，日本各大主流媒體紛紛頭條聚焦，輿論高度關(guān)注——這將是日本國土上首次誕生具備3納米量產(chǎn)能力的芯片制造基地，項(xiàng)目總投資額躍升至170億美元，創(chuàng)下該國半導(dǎo)體史上單體投資新高。

原規(guī)劃僅覆蓋6至12納米成熟節(jié)點(diǎn)，此次直接跨越多代技術(shù)鴻溝，核心動(dòng)因正是緊抓人工智能爆發(fā)帶來的算力革命浪潮。

比稀土更致命

不少讀者不禁發(fā)問：為何說這一布局的殺傷力甚至超過稀土管制？

厘清這個(gè)問題，關(guān)鍵在于分清“資源依賴”與“制造主權(quán)”的本質(zhì)差異——稀土屬于天然礦產(chǎn)資源，而3納米芯片則是高端工業(yè)體系的“中樞神經(jīng)”，二者在戰(zhàn)略權(quán)重與技術(shù)不可替代性上，完全不在同一維度。

中國雖為全球最大稀土供應(yīng)方，但全球多國已加速開發(fā)替代礦源與回收技術(shù)，其稀缺性正被持續(xù)稀釋。

而3納米芯片則截然不同，它已成為驅(qū)動(dòng)大模型訓(xùn)練、智能駕駛決策、航天器自主導(dǎo)航、新一代醫(yī)療影像分析等前沿應(yīng)用的底層引擎。當(dāng)前全球范圍內(nèi)，僅有臺(tái)積電與三星兩家廠商實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定良率與萬片級(jí)月產(chǎn)能交付。

我國尚不具備3納米全流程自主制造能力，更嚴(yán)峻的是，連支撐該工藝落地的關(guān)鍵裝備——包括極紫外光刻機(jī)、高精度原子層沉積設(shè)備、先進(jìn)離子注入系統(tǒng)等——均被美國聯(lián)合日本、荷蘭實(shí)施出口許可封鎖。

3納米工藝的真正威力，在于性能與能效的雙重躍遷：相較5納米節(jié)點(diǎn)，在同等功耗下，邏輯運(yùn)算效率提升18%；在相同計(jì)算頻率下，能耗下降32%。這種量級(jí)突破，使其成為AI芯片設(shè)計(jì)的黃金標(biāo)準(zhǔn)。

微軟最新推出的AI推理加速芯片Maia 200、英偉達(dá)Blackwell架構(gòu)旗艦GPU、蘋果iPhone 16系列A18仿生處理器，全部由臺(tái)積電3納米FinFET+工藝打造，單顆芯片晶體管密度突破1400億枚，峰值算力逼近每秒40萬億次浮點(diǎn)運(yùn)算。

對(duì)中國而言，這究竟意味著什么？

當(dāng)下全力推進(jìn)的新質(zhì)生產(chǎn)力體系中，人工智能大模型、L4級(jí)自動(dòng)駕駛系統(tǒng)、超精密分子影像診斷平臺(tái)，無一不以3納米級(jí)芯片為算力基石。

例如三甲醫(yī)院部署的AI病理輔助診斷儀，需實(shí)時(shí)解析千萬級(jí)像素組織切片圖像，背后仰賴3納米芯片提供的毫秒級(jí)響應(yīng)與低熱功耗；

智能網(wǎng)聯(lián)汽車的激光雷達(dá)點(diǎn)云處理、多傳感器融合決策，必須依靠此類芯片完成每秒數(shù)億次的數(shù)據(jù)吞吐與建模；

就連未來走進(jìn)千家萬戶的家庭服務(wù)機(jī)器人，其環(huán)境感知、語義理解、動(dòng)作規(guī)劃等核心功能，也深度綁定于該級(jí)別芯片的集成度與能效比。

一旦供應(yīng)鏈出現(xiàn)斷點(diǎn)，相關(guān)產(chǎn)業(yè)不僅面臨發(fā)展減速，更可能遭遇技術(shù)代際落差，且短期內(nèi)難以通過迂回路徑填補(bǔ)空白。

更具深遠(yuǎn)影響的是，半導(dǎo)體技術(shù)迭代節(jié)奏正在加快——日本本土企業(yè)Rapidus已聯(lián)合豐田、索尼、NTT等巨頭，加速攻堅(jiān)2納米全環(huán)繞柵極（GAA）結(jié)構(gòu)芯片，目標(biāo)鎖定2027年實(shí)現(xiàn)風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

臺(tái)積電急踩油門

鮮為人知的是，熊本第二工廠的躍升并非臨時(shí)起意，而是一場精密籌劃的戰(zhàn)略卡位。

早在2025年秋季，該廠區(qū)便已啟動(dòng)建設(shè)，初期定位為6至12納米成熟制程基地，主要滿足日本汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電子客戶的本地化供應(yīng)需求，初始投資額定為122億美元。

然而僅隔數(shù)月，臺(tái)積電即宣布技術(shù)路線全面重構(gòu)，直接錨定3納米最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，追加投資48億美元，使總金額躍至170億美元（折合約2.6萬億日元）。

魏哲家在東京向高市早苗明確表示，此次升級(jí)的核心驅(qū)動(dòng)力，正是全球人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)引發(fā)的芯片需求井噴。

但其深層考量遠(yuǎn)不止于此。

日本政府提供的財(cái)政支持堪稱史無前例——已敲定最高7320億日元（約48億美元）的專項(xiàng)補(bǔ)貼，占項(xiàng)目總投資比重高達(dá)43%。

換言之，臺(tái)積電每投入1美元建廠，日本政府就配套承擔(dān)近0.77美元成本。

更值得玩味的是，日方已公開表態(tài)，正就進(jìn)一步擴(kuò)大補(bǔ)貼規(guī)模開展緊急評(píng)估，確保升級(jí)進(jìn)程零阻力推進(jìn)。

尤為關(guān)鍵的是，日本在半導(dǎo)體上游環(huán)節(jié)的深厚積淀，可為臺(tái)積電構(gòu)建“安全冗余”——信越化學(xué)與SUMCO合計(jì)掌控全球超65%的半導(dǎo)體級(jí)硅片產(chǎn)能，東京電子的干法蝕刻系統(tǒng)與濕法清洗設(shè)備市占率穩(wěn)居全球前三，均為晶圓制造不可或缺的“工業(yè)母機(jī)”。

將3納米產(chǎn)線落戶熊本，實(shí)質(zhì)是將材料供應(yīng)、設(shè)備維護(hù)、工藝驗(yàn)證等關(guān)鍵環(huán)節(jié)全部納入日本本土閉環(huán)，徹底規(guī)避地緣政治導(dǎo)致的供應(yīng)鏈中斷風(fēng)險(xiǎn)。

資本市場的反饋極為敏銳。

自2月5日升級(jí)計(jì)劃官宣起，臺(tái)積電美股連續(xù)五個(gè)交易日走強(qiáng)：2月5日收盤報(bào)330.73美元，至2月10日已攀升至361.91美元，累計(jì)漲幅達(dá)9.4%，創(chuàng)近兩年單周最大漲幅紀(jì)錄。

投資者用真金白銀投票，押注美日臺(tái)三方協(xié)同所構(gòu)筑的新一代半導(dǎo)體地緣格局。

需要強(qiáng)調(diào)的是，該工廠預(yù)計(jì)最早于2028年上半年進(jìn)入量產(chǎn)階段，達(dá)產(chǎn)后將供應(yīng)全球近三成的3納米芯片產(chǎn)能。

而臺(tái)積電熊本第一工廠已于2024年12月正式投產(chǎn)，專注28納米至12納米成熟工藝，目前已為索尼圖像傳感器、村田電子射頻模塊等日系頭部企業(yè)提供穩(wěn)定代工服務(wù)。

兩座工廠形成鮮明互補(bǔ)：一座夯實(shí)汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)終端等基礎(chǔ)需求，一座搶占AI服務(wù)器、高性能計(jì)算等前沿陣地，雙輪驅(qū)動(dòng)，深度嵌入日本高端制造業(yè)生態(tài)。

美日暗中遞力

臺(tái)積電如此果決地加碼先進(jìn)制程，絕非單純商業(yè)判斷，而是美日兩國系統(tǒng)性戰(zhàn)略引導(dǎo)下的必然選擇，其中美國的主導(dǎo)意志貫穿始終。

美國《芯片與科學(xué)法案》表面冠以“振興產(chǎn)業(yè)”之名，實(shí)則構(gòu)建了一套精準(zhǔn)鎖定全球龍頭企業(yè)的制度性約束框架，臺(tái)積電正是該框架中最具分量的簽約方之一。

法案明確規(guī)定：凡接受美方補(bǔ)貼的企業(yè)，十年內(nèi)禁止在中國大陸新建或擴(kuò)產(chǎn)任何14納米及以下先進(jìn)制程產(chǎn)線。

臺(tái)積電既已簽署協(xié)議并領(lǐng)取補(bǔ)助，即自動(dòng)放棄在華建設(shè)3納米、2納米等尖端工廠的可能性。這意味著主動(dòng)剝離中國大陸市場約20%的營收貢獻(xiàn)，相當(dāng)于親手舍棄一塊戰(zhàn)略級(jí)增長拼圖。

更為嚴(yán)苛的是，美方還強(qiáng)制要求臺(tái)積電定期提交庫存水位、客戶訂單結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品定價(jià)策略等核心經(jīng)營數(shù)據(jù)，近乎將企業(yè)運(yùn)營透明度置于美方監(jiān)管顯微鏡之下。

這種深度綁定，根植于資本層面的結(jié)構(gòu)性控制——目前臺(tái)積電近半數(shù)股權(quán)由美國機(jī)構(gòu)投資者持有，僅花旗銀行托管的美國存托憑證（ADR）份額就超過20%，形成事實(shí)上的資本共治格局。

日本則扮演了這場棋局中最積極的落地執(zhí)行者角色。

除巨額財(cái)政輸血外，日本更在產(chǎn)業(yè)配套上傾盡全力：已有53家本土半導(dǎo)體材料、零部件及檢測設(shè)備企業(yè)隨臺(tái)積電同步進(jìn)駐熊本，初步建成覆蓋硅片、光刻膠、靶材、封裝基板的完整區(qū)域產(chǎn)業(yè)集群。

索尼、豐田、電裝三大巨頭更以股東身份深度介入——索尼持股6%，電裝持股5.5%，豐田持股2%，三方合計(jì)持股逾13.5%，真正實(shí)現(xiàn)資本、技術(shù)、市場的三位一體捆綁。

更隱蔽卻更具殺傷力的是，美日荷三方已實(shí)質(zhì)性組建半導(dǎo)體設(shè)備出口管制聯(lián)盟。自2023年起，ASML最新型號(hào)EUV光刻機(jī)、東京電子最新一代CCP蝕刻系統(tǒng)、乃至關(guān)鍵備件與遠(yuǎn)程診斷服務(wù)，均已列入對(duì)華禁運(yùn)清單。

此舉形同“雙軌并進(jìn)”：一邊推動(dòng)臺(tái)積電在日本加速量產(chǎn)3納米芯片，一邊系統(tǒng)性切斷中國獲取先進(jìn)制程設(shè)備的全部合法渠道，圍堵之勢(shì)日益清晰。

后記

美日臺(tái)三方此次深度聯(lián)動(dòng)，本質(zhì)上是一場高度理性的戰(zhàn)略互惠——

臺(tái)積電獲得前所未有的財(cái)政支持與供應(yīng)鏈安全保障，日本借勢(shì)重拾全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)地位，美國則通過資本控制、技術(shù)規(guī)制與產(chǎn)業(yè)協(xié)同三重手段，將中國高端制造升級(jí)路徑納入可控軌道。

不過，阿斯麥公司前首席執(zhí)行官彼得·溫寧克早在2023年便發(fā)出警示：

對(duì)華設(shè)備出口限制非但無法遏制技術(shù)進(jìn)步，反而會(huì)強(qiáng)力倒逼自主創(chuàng)新進(jìn)程。因?yàn)槲锢矶刹环謬纾袊蒲袌F(tuán)隊(duì)完全有能力在光刻光學(xué)系統(tǒng)、精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)、真空環(huán)境控制等核心子系統(tǒng)上實(shí)現(xiàn)突破。

現(xiàn)實(shí)印證著這一預(yù)判：上海微電子28納米浸沒式光刻機(jī)已完成整機(jī)聯(lián)調(diào)并進(jìn)入用戶驗(yàn)證階段；中芯國際已成功流片5納米增強(qiáng)型工藝芯片，良率穩(wěn)步爬坡；華為昇騰910B芯片亦依托國產(chǎn)封裝與EDA工具實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)突圍。