中微公司2025年營收123億元創(chuàng)新高，凈利潤同增30.69%，薄膜設(shè)備成新增長點 | 財報見聞

中微半導(dǎo)體設(shè)備以逾三成的營收增速和超過半百億元的研發(fā)投入，強(qiáng)化了其在國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的競爭地位。

27日，中微半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)布2025年度業(yè)績快報：

• 全年營業(yè)收入約123.85億元，同比增長約36.62%；
• 歸屬于母公司所有者的凈利潤約21.11億元，同比增加約30.69%。
• 公司同期大幅加碼研發(fā)，全年研發(fā)投入約37.44億元，同比增長約52.65%，占營業(yè)收入比例達(dá)30.23%。

業(yè)績增長由核心刻蝕設(shè)備的規(guī)模擴(kuò)張與新品類的快速放量共同驅(qū)動。其中，LPCVD和ALD薄膜設(shè)備銷售額約5.06億元，同比增長約224.23%，增速遠(yuǎn)超刻蝕主業(yè)。公司同時披露，ICP刻蝕設(shè)備的加工精度和重復(fù)性已達(dá)到單原子水平，標(biāo)志著技術(shù)突破進(jìn)入新階段。

刻蝕設(shè)備保持主引擎地位，薄膜設(shè)備高速起量

刻蝕設(shè)備依然是中微公司的核心收入來源。2025年刻蝕設(shè)備銷售約98.32億元，同比增長約35.12%，占全年營收的比重約為79%。

公司披露，針對先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝以及先進(jìn)存儲器件超高深寬比刻蝕工藝，均實現(xiàn)了穩(wěn)定可靠的大規(guī)模量產(chǎn)。至2025年底，公司累計已有超過7,800個反應(yīng)臺在國內(nèi)外170余條客戶芯片及LED生產(chǎn)線全面量產(chǎn)，刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺全球累計出貨超過6,800臺。

薄膜設(shè)備的高速增長是本期業(yè)績的另一亮點。LPCVD和ALD設(shè)備銷售額同比增長約224.23%，公司CDP產(chǎn)品部門為先進(jìn)存儲器件和邏輯器件開發(fā)的十多款導(dǎo)體和介質(zhì)薄膜設(shè)備已順利進(jìn)入市場，LPCVD設(shè)備累計出貨量突破三百個反應(yīng)臺，并且設(shè)備性能據(jù)公司稱已完全達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

研發(fā)投入高強(qiáng)度擴(kuò)張，利潤增速因此受壓

在營收高增長的同時，公司主動選擇以犧牲短期利潤換取技術(shù)積累。2025年研發(fā)費(fèi)用達(dá)24.75億元，同比增長約74.61%；研發(fā)總投入約37.44億元，同比增長約52.65%，占營收比例約30.23%，公司稱遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板均值。

公司在公告中將研發(fā)投入大幅增加列為凈利潤增速低于營收增速的主要原因之一。盡管營收增長帶來毛利增量約11.28億元，但研發(fā)費(fèi)用同期增長約10.58億元，幾乎將毛利增量抵消殆盡，從而壓低了經(jīng)營利潤的彈性。

新品梯隊持續(xù)擴(kuò)充，EPI和MOCVD進(jìn)入驗證節(jié)點

公司在刻蝕和薄膜設(shè)備之外，正積極布局外延設(shè)備和化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域。EPI設(shè)備方面，減壓外延設(shè)備已付運(yùn)至成熟制程及先進(jìn)制程客戶進(jìn)行量產(chǎn)驗證，部分先進(jìn)工藝已進(jìn)入量產(chǎn)驗證階段；常壓外延設(shè)備現(xiàn)已完成開發(fā)，進(jìn)入工藝驗證階段。新一代高選擇比預(yù)清潔腔體也已在客戶端進(jìn)行量產(chǎn)驗證。

MOCVD設(shè)備方面，公司稱持續(xù)保持國際氮化鎵基MOCVD設(shè)備市場領(lǐng)先地位，新型八寸碳化硅外延設(shè)備及新型紅黃光LED應(yīng)用設(shè)備已付運(yùn)至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展驗證，多款Micro-LED及顯示領(lǐng)域?qū)Ｓ肕OCVD新產(chǎn)品亦進(jìn)入客戶端驗證階段。

支撐上述規(guī)模擴(kuò)張的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)亦已到位。公司在南昌約14萬平方米以及上海臨港約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地均已投入使用。公司表示持續(xù)開發(fā)關(guān)鍵零部件供應(yīng)商，推動供應(yīng)鏈穩(wěn)定安全，設(shè)備交付率保持在較高水準(zhǔn)。

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