美國MATCH法案：都因?yàn)槊擞艳k事不力，讓中國趁機(jī)買到先進(jìn)設(shè)備

前沿導(dǎo)讀

據(jù)科技日?qǐng)?bào)發(fā)布新聞指出，美國議員提出的MATCH法案在多個(gè)維度全面升級(jí)對(duì)中國芯片產(chǎn)業(yè)的制裁打壓。

其核心推動(dòng)者查克·舒默以及約翰·穆勒納爾認(rèn)為，此前美國的制裁措施要比盟友國更加嚴(yán)格，這導(dǎo)致中國企業(yè)趁機(jī)大量采購盟友國企業(yè)的先進(jìn)制造設(shè)備。MATCH法案將會(huì)對(duì)盟友國提出管制要求，荷蘭、日本等國需要在150天內(nèi)對(duì)齊美國的出口管制標(biāo)準(zhǔn)，不然美國將會(huì)對(duì)盟友國的企業(yè)動(dòng)用“外國直接產(chǎn)品規(guī)則”，強(qiáng)制性叫停具有美國技術(shù)的設(shè)備出口。

參考資料：

• https://mp.weixin.qq.com/s/xgpckjBuMUDqT1V4fIgqgw

四條規(guī)定

MATCH法案包含以下四條規(guī)定：

1、確定相關(guān)國家企業(yè)無法自主制造的半導(dǎo)體設(shè)備清單。

2、禁止向相關(guān)國家繼續(xù)提供制造設(shè)備和相關(guān)技術(shù)，對(duì)此前已出售的設(shè)備實(shí)施售后方面的限制。

3、將中芯國際、華虹集團(tuán)、長鑫存儲(chǔ)、長江存儲(chǔ)、華為這5家中國企業(yè)所需的所有芯片設(shè)備列入受管制清單中。

4、確保出口管制的統(tǒng)一性，要求盟友國在150天內(nèi)對(duì)其美國的出口管制標(biāo)準(zhǔn)，否則美國將啟動(dòng)“外國直接產(chǎn)品規(guī)則”。

此次法案來勢洶洶，不但將5家中國科技巨頭劃入全面出口管制的清單當(dāng)中，而且還要求盟友國在150天內(nèi)把出口管制標(biāo)準(zhǔn)與美國對(duì)齊，對(duì)中國企業(yè)實(shí)施更加全面的出口管制。

在這5家中國企業(yè)當(dāng)中，中芯國際與華虹集團(tuán)是晶圓制造工廠，并且這兩家是中國大陸地區(qū)規(guī)模最大、技術(shù)儲(chǔ)備最足、資源投入最多的本土晶圓廠，可以代表中國大陸地區(qū)最先進(jìn)的芯片制造技術(shù)。

而長鑫存儲(chǔ)與長江存儲(chǔ)則是中國最大的兩家存儲(chǔ)芯片制造商，長鑫存儲(chǔ)負(fù)責(zé)DRAM內(nèi)存制造，長江存儲(chǔ)負(fù)責(zé)NAND閃存制造。這兩家存儲(chǔ)芯片制造商均已經(jīng)掌握了較為先進(jìn)的自主技術(shù)，大幅度縮短了與國際企業(yè)的技術(shù)差距，而且依靠國內(nèi)手機(jī)品牌的支持，兩家企業(yè)均實(shí)現(xiàn)了自主芯片的商業(yè)化發(fā)展。

華為則是美國制裁清單的“老用戶”，從2018年開始，美國就一直在對(duì)華為進(jìn)行限制，先禁止華為使用美國供應(yīng)鏈設(shè)計(jì)芯片，隨后又禁止臺(tái)積電給華為代工芯片，最后則是切斷國際供應(yīng)鏈與華為的合作。

雖然華為只是一個(gè)民營企業(yè)，但是其橫跨了通訊、芯片設(shè)計(jì)、終端產(chǎn)品銷售等多個(gè)業(yè)務(wù)板塊，甚至還布局自主操作系統(tǒng)與ai產(chǎn)業(yè)。從產(chǎn)業(yè)規(guī)模上面來看，華為有一種“中國版英特爾”的發(fā)展趨勢。

這5家企業(yè)分別代表了中國在晶圓制造、存儲(chǔ)芯片制造、芯片設(shè)計(jì)這3個(gè)領(lǐng)域中的門面，MATCH法案對(duì)這幾家中國門面企業(yè)實(shí)施完全體的出口管制，相當(dāng)于給中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“七寸”位置來了一拳，危機(jī)感十足。

法案影響

此前美國制定的出口管制都是有明確的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，比如禁止那些制造18nm DRAM內(nèi)存芯片、14nm及以下邏輯芯片、128層及以上NAND閃存芯片所需的設(shè)備出口。

這些制裁標(biāo)準(zhǔn)都是卡在了先進(jìn)芯片與成熟芯片的分界點(diǎn)，只是限制了中國企業(yè)先進(jìn)芯片的發(fā)展，并沒有限制中國企業(yè)繼續(xù)采購制造成熟芯片所需的設(shè)備。

而此次MATCH法案則是將制裁范圍從當(dāng)初的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)擴(kuò)大至成熟節(jié)點(diǎn)，以上5家中國企業(yè)無論是發(fā)展先進(jìn)芯片還是發(fā)展成熟芯片，均不允許繼續(xù)采購海外的制造設(shè)備。

法案重點(diǎn)針對(duì)的進(jìn)口設(shè)備有兩個(gè)，一個(gè)是老生常談的ASML光刻機(jī)，另一個(gè)是日本東京電子制造的刻蝕機(jī)。

ASML雖然總部位于歐洲荷蘭，但是其背后與美國資本高度綁定。

1997年，ASML加入美國政府和英特爾主導(dǎo)的EUV LLC技術(shù)聯(lián)盟，攻克EUV制造技術(shù)。

2001年，ASML收購美國硅谷集團(tuán)，將美國的光刻機(jī)技術(shù)納入麾下。

2013年，在韓國公平交易委員會(huì)、日本公平交易委員會(huì)、美國司法部的共同批準(zhǔn)下，ASML收購了光源供應(yīng)商美國Cymer公司。

Cymer是ASML DUV光刻機(jī)和EUV光刻機(jī)的獨(dú)家光源供應(yīng)商，雖然ASML是一家歐洲企業(yè)，但是其制造光刻機(jī)所需的技術(shù)零件與美國資本深度融合，這也是美國可以對(duì)荷蘭政府施壓，禁止ASML出口給中國光刻機(jī)的主要原因。

而日本東京電子對(duì)華出口的重點(diǎn)設(shè)備是搭配光刻機(jī)使用的刻蝕機(jī)，尤其是低溫刻蝕機(jī)設(shè)備。

低溫刻蝕機(jī)可以搭配特定的光刻膠材料實(shí)現(xiàn)更加優(yōu)秀的高深寬比結(jié)構(gòu)，被廣泛應(yīng)用于制造高堆疊層數(shù)的3D NAND閃存芯片。該設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)400層甚至是1000層的閃存顆粒堆疊，其制造效率要比傳統(tǒng)刻蝕機(jī)提高了2倍-4倍左右。

低溫刻蝕機(jī)主要的應(yīng)用場景就是提升閃存芯片的制造效率，同時(shí)繼續(xù)提升閃存芯片的顆粒堆疊密度，以實(shí)現(xiàn)更高水平的存儲(chǔ)速率。SK海力士、三星、鎧俠等日本存儲(chǔ)器制造商，均已經(jīng)開始使用東京電子的低溫刻蝕機(jī)對(duì)下一代3D NAND閃存芯片進(jìn)行技術(shù)評(píng)估。

低溫刻蝕機(jī)屬于是面向未來的產(chǎn)業(yè)設(shè)備，含金量相當(dāng)于中國企業(yè)在2018年采購的EUV光刻機(jī)，也是美國此次MATCH法案重點(diǎn)針對(duì)的設(shè)備。

MATCH法案還要求分析中國自主設(shè)備的發(fā)展情況，將中國企業(yè)可以自主制造以及無法自主制造的設(shè)備羅列出來。對(duì)于中國企業(yè)可以制造出來的自主可控設(shè)備，美國政府不對(duì)同類型的海外設(shè)備實(shí)施管制，而那些中國企業(yè)暫時(shí)無法制造的設(shè)備，美國政府則會(huì)大力限制。

在上個(gè)月結(jié)束的上海半導(dǎo)體展會(huì)當(dāng)中，許多中國企業(yè)均在展會(huì)中亮出了自家推出的自主芯片設(shè)備。只有少部分國產(chǎn)設(shè)備達(dá)到了國際先進(jìn)水平，支持5nm節(jié)點(diǎn)的芯片制造，大部分設(shè)備的技術(shù)水平處于中端層面，正在向高端設(shè)備進(jìn)發(fā)。

國產(chǎn)設(shè)備可以滿足28nm及以上節(jié)點(diǎn)的芯片制造，而14nm及以下芯片需要海外設(shè)備的輔助，這也讓部分歐洲企業(yè)以及日本企業(yè)從中獲利。

此次MATCH法案強(qiáng)迫盟友國家的企業(yè)對(duì)齊美國的管制標(biāo)準(zhǔn)，這必然會(huì)讓那些依靠中國市場獲得經(jīng)濟(jì)增長的企業(yè)遭到嚴(yán)重?fù)p失，從而影響全球產(chǎn)業(yè)鏈彼此依賴的合作關(guān)系。